"to-236a" nexperia 【通販モノタロウ】

PBSS4140T，215 Nexperia NPN トランジスタ， 40 V， 1 A， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia NPN トランジスタ， 40 V， 1 A， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 450 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃低飽和電圧NPNトランジスタ、Nexperia. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧NPNバイポーラ接合トランジスタ製品です。このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥1,198 税込￥1,318

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PMV20XNEAR Nexperia Nチャンネルトレンチ型 MOSFET， 20 V， 6.3 A， 3 ピンパッケージSOT23， TO-236AB nexperia

nexperiaNexperia Nチャンネルトレンチ型 MOSFET， 20 V， 6.3 A， 3 ピンパッケージSOT23， TO-236AB

RoHS

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 34 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1.25V最低ゲートしきい値電圧 = 0.75V最大ゲート-ソース間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT23， TO-236AB実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = トレンチMOSFET最大パワー消費 = 6.94 W動作温度 Min = -55 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応

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￥63,980 税込￥70,378

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BSH105，215 Nexperia NチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 1.05 A， 3 ピンパッケージSOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia NチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 1.05 A， 3 ピンパッケージSOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.05 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 0.85V最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 417 mW標準ターンオフ遅延時間 = 45 nsNチャンネルMOSFET、最大30 V、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

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￥799 税込￥879

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BZX84-B8V2，215 Zener Diode 8.2V 2% 250mW Auto TO-236AB nexperia

nexperiaZener Diode 8.2V 2% 250mW Auto TO-236AB

RoHS

仕様ダイオード構成：シングル●1チップ当たりのエレメント数：1●最大パワー消費：250 mW●パッケージタイプ：SOT-23●ツェナータイプ：電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性：2%●ピン数：3●最大逆漏れ電流：700nA●長さ：3mm●寸法：3 x 1.4 x 1.1mm●幅：1.4mm●ツェナーダイオード250 mW、BZX84シリーズ、NXP Semiconductors RoHS指令(10物質対応)対応

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￥9,598 税込￥10,558

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BZX84-B12，215 Nexperia ツェナーダイオード， 12V， 250 mW， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia ツェナーダイオード， 12V， 250 mW， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mWパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 25Ω最大逆漏れ電流 = 100nA長さ = 3mm寸法 = 3 x 1.4 x 1mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード250 mW、BZX84シリーズ、NXP Semiconductors RoHS指令(10物質対応)対応

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￥599 税込￥659

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BC807-40，215 Nexperia PNP トランジスタ， 45 V， 500mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia PNP トランジスタ， 45 V， 500mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号PNPトランジスタ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

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￥559 税込￥615

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BZX84-B5V6，215 Nexperia ツェナーダイオード， 5.6V， 250 mW， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia ツェナーダイオード， 5.6V， 250 mW， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mWパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 40Ω最大逆漏れ電流 = 1μA長さ = 3mm寸法 = 3 x 1.4 x 1mm幅 = 1.4mmツェナーダイオード250 mW、BZX84シリーズ、NXP Semiconductors RoHS指令(10物質対応)対応

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￥629 税込￥692

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BC846，215 Nexperia NPN トランジスタ， 65 V， 100mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia NPN トランジスタ， 65 V， 100mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.4 V小信号NPNトランジスタ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

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￥559 税込￥615

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BC847B，215 Nexperia NPN トランジスタ， 45 V， 100mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia NPN トランジスタ， 45 V， 100mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃小信号NPNトランジスタ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

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￥549 税込￥604

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BC846B，215 Nexperia NPN トランジスタ， 65 V， 100mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia NPN トランジスタ， 65 V， 100mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.4 V小信号NPNトランジスタ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

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￥659 税込￥725

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BC817，215 Nexperia NPN トランジスタ， 45 V， 500mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia NPN トランジスタ， 45 V， 500mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 1mm小信号NPNトランジスタ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(50個)

￥579 税込￥637

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BC817-40，215 Nexperia NPN トランジスタ， 45 V， 500mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia NPN トランジスタ， 45 V， 500mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号NPNトランジスタ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(50個)

￥669 税込￥736

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BAT54，215 Nexperia ショットキーバリアダイオード， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia ショットキーバリアダイオード， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率超小型低プロファイルの表面実装パッケージ低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化低静電容量電力スイッチングロスを最小に抑制低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(25個)

￥339 税込￥373

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BSV52，215 Nexperia NPN トランジスタ， 12 V， 100mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia NPN トランジスタ， 12 V， 100mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 500 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.4mm小信号NPNトランジスタ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

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￥409 税込￥450

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BC849C，215 Nexperia NPN トランジスタ， 30 V， 100mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia NPN トランジスタ， 30 V， 100mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃小信号NPNトランジスタ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥119 税込￥131

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BAS40-04，215 Nexperia ショットキーバリアダイオード， 120mA， 40V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia ショットキーバリアダイオード， 120mA， 40V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、最大120 mA、Nexperia. 高効率超小型低プロファイルの表面実装パッケージ低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化低静電容量電力スイッチングロスを最小に抑制低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥399 税込￥439

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BC817-25，215 Nexperia NPN トランジスタ， 45 V， 500mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia NPN トランジスタ， 45 V， 500mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号NPNトランジスタ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(50個)

￥419 税込￥461

7日以内出荷

BC807-25，215 Nexperia PNP トランジスタ， 45 V， 500mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia PNP トランジスタ， 45 V， 500mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号PNPトランジスタ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(50個)

￥589 税込￥648

7日以内出荷

BF822，215 Nexperia NPN トランジスタ， 250 V， 50 mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia NPN トランジスタ， 250 V， 50 mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 60 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.4mm高電圧トランジスタ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥299 税込￥329

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BZX84-C2V4，215 Nexperia ツェナーダイオード， 2.4V， 250 mW， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia ツェナーダイオード， 2.4V， 250 mW， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mWパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 100Ω最大逆漏れ電流 = 50μA長さ = 3mm寸法 = 3 x 1.4 x 1mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード250 mW、BZX84シリーズ、NXP Semiconductors RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(200個)

￥999 税込￥1,099

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BAV99，215 Nexperia スイッチングダイオード，シリーズ， 215mA， 100V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia スイッチングダイオード，シリーズ， 215mA， 100V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様ダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応低漏洩及び高電圧のタイプを用意高スイッチング速度低静電容量 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(20個)

￥209 税込￥230

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BAV23S，215 Nexperia スイッチングダイオード，シリーズ， 225mA， 250V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia スイッチングダイオード，シリーズ， 225mA， 250V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 250V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 50ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応低漏洩及び高電圧のタイプを用意高スイッチング速度低静電容量 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(25個)

￥679 税込￥747

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PESD1CAN，215 Nexperia 2チャンネル双方向 TVSダイオード， 200W， 70V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia 2チャンネル双方向 TVSダイオード， 200W， 70V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様ダイオード構成 = シリーズ最大クランピング電圧 = 70V最小ブレークダウン電圧 = 25.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 200W最大ピークパルス電流 = 3AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃幅 = 1.4mmPESD1CAN、CANバスESD保護ダイオード、Nexperia. PESD1CANは、小型のSOT23 (TO-236AB)表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、2つの車載コントローラエリアネットワーク(CAN)バスラインを静電気放電(ESD)やその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(20個)

￥669 税込￥736

6日以内出荷

nexperiaNexperia スイッチングダイオード，シリーズ， 215mA， 100V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応低漏洩及び高電圧のタイプを用意高スイッチング速度低静電容量 RoHS指令(10物質対応)対応

1リール(3000個)

￥7,798 税込￥8,578

7日以内出荷

BAT54S，215 Nexperia ショットキーバリアダイオード，シリーズ， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia ショットキーバリアダイオード，シリーズ， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5ns動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率超小型低プロファイルの表面実装パッケージ低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化低静電容量電力スイッチングロスを最小に抑制低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥109 税込￥120

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PLVA650A，215 Nexperia 低電圧アバランシェレギュレータダイオード， 5V， 250 mW， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia 低電圧アバランシェレギュレータダイオード， 5V， 250 mW， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mWパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ツェナータイプ = アバランシェツェナー電圧許容性 = 4%ピン数 = 3テスト電流 = 0.25mA最大ツェナーインピーダンス = 700Ω最大逆漏れ電流 = 20μA長さ = 3mm寸法 = 3 x 1.4 x 1mm標準電圧温度係数 = 0.2mV/℃ツェナーダイオード250 mW、PLVA6xxAシリーズ、Nexperia. 低ノイズ RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥299 税込￥329

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PESD2CAN，215 Nexperia 2チャンネル双方向 ESD保護ダイオード， 230W， 41V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia 2チャンネル双方向 ESD保護ダイオード， 230W， 41V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様方向性タイプ = 相方向最大クランピング電圧 = 41V最小ブレークダウン電圧 = 26.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 230W最大ピークパルス電流 = 5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃テスト電流 = 1mAPESDxxxL2シリーズ、低静電容量二重双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量双方向二重静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、最大2本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応

1リール(3000個)

￥56,980 税込￥62,678

7日以内出荷

BSH103，215 Nexperia NチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 850 mA， 3 ピンパッケージSOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia NチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 850 mA， 3 ピンパッケージSOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 850 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMOSFET、最大30 V、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

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￥1,198 税込￥1,318

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nexperiaNexperia 2チャンネル双方向 ESD保護ダイオード， 230W， 41V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様ダイオード構成 = シリーズ最大クランピング電圧 = 41V最小ブレークダウン電圧 = 26.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 230W最大ピークパルス電流 = 5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃テスト電流 = 1mAPESDxxxL2シリーズ、低静電容量二重双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量双方向二重静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、最大2本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥819 税込￥901

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BAT54A，215 Nexperia ショットキーバリアダイオード，コモンアノード， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia ショットキーバリアダイオード，コモンアノード， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様ダイオード構成 = コモンアノード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率超小型低プロファイルの表面実装パッケージ低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化低静電容量電力スイッチングロスを最小に抑制低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥169 税込￥186

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PDTC114ET，215 Nexperia NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.15 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

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￥609 税込￥670

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PDTC114YT，215 Nexperia NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.1 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 0.21、1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

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￥559 税込￥615

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BST82，215 Nexperia NチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 190 mA， 3 ピンパッケージSOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia NチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 190 mA， 3 ピンパッケージSOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 190 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 830 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 25 pF @ 10 VNチャンネルMOSFET、100 V以上、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応