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図解入門現場で役立つ第二種電気工事の基本と実際秀和システム(1件のレビュー)￥1,600税込￥1,760
1冊
7日以内出荷
現場の技術者を対象に、電気工事の基礎と施工の実際を伝授するものです。電気工事に携わりながらも現場と知識の乖離に戸惑いを感じている人、また第2種電気工事士資格の受験者や資格取得者で、机上の知識と実作業との関係がいまひとつ理解できない人に向けた、作業内容と基礎知識習得のための実践的な解説書です。
ジャンル電気分類専門判型A5ページ数257著者名大木健司初版年月2016/05
Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 12 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥95税込￥105
1個
5日以内出荷
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 45 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 19 nC @ 10 V動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 110 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥409税込￥450
1袋(2個)
7日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 8.77mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 110 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥189税込￥208
1個
7日以内出荷
インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 170 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET100 V 38 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンINFINEON￥2,598税込￥2,858
1袋(5個)
翌々日出荷
PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 38 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 150 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 260 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥589税込￥648
1袋(2個)
翌々日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 260 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 57 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， PINダイオード コモンカソードペア2組INFINEON￥699税込￥769
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = コモンカソードペア2組アプリケーション = スイッチ最大順方向電流 = 100mA最大逆電圧 = 50V標準キャリアライフ時間 = 75nsRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 開発 ボード CY8CKIT-059INFINEON￥3,500税込￥3,850
1個
欠品中
「スナップアウェイ」プログラマ/デバッガ CY8CKIT-059 PSoC 5LPプロトタイピングキット. CY8CKIT-059 PSoC 5LPプロトタイプ開発キットは、使いやすくコスト効率の高いプロトタイププラットフォームとして設計されています。このキットは、比類のない高精度アナログと柔軟性のあるカスタムシステムソリューションを設計することができます。この開発キットはまた、信号取得、信号処理、高精度、高帯域幅で柔軟性の高い制御の現代的な手法を提供します。 設計者は、PSoC 5LPとPSoC Creatorコンポーネントを組み合わせ、設計スケジュールを短縮し、市場投入期間を短縮できます。このキットには、PSoC 5LPデバイスをエンドシステムに簡単に開発・統合するためのプラットフォームとなるのと同時に、デバイスサンプルの代わりとなる低コストの代替品になります。. オンボードの内容. - PSoC 5LP デバイス - PSoC 5LPヘッダポートJ1 / J2 - Micro-USB コネクタ、 J6 - PSoC 5LP プログラム / デバッグ JTAG ヘッダ、 J5 - KitProg ( PSoC 5LP )デバイス - KitProgポート、J8 / J9 (GPIO) - SWD接続、J3 / J7 - PCB USB コネクタ - アンバーLED x 1 (電源) - 緑LED x 1 (ステータス) - 青LED x 1 (ユーザー) - ユーザープッシュボタンとリセットボタン - 外部リファレンスコンデンサ( ADC バイパス) - CapSense コンデンサ (CMOD) - プログラミングコネクタ、 J3 - 穴開き簡単に取り付けられるボードデザイン 特長 - 最高速USB 2.0接続でプロトタイプを作成するためのMicro-USBヘッダ - 32ビットARM Cortex M3 CPUコア - 0.5 V 、シングルセルバッテリ駆動からのブーストスタートアップ - 300 nA低リークハイバネーション低電力モード - 汎用I/Oシステム - デジタルペリフェラル - プログラミング/デバッグ/トレース - 精密でプログラム可能なクロック周波数 - PSoC Creator対応 アプリケーション 組込み設計と開発
仕様分類 = 開発 ボードテクノロジー = PSoCデバイスコア = ARM Cortex-M3プロセッサファミリ名 = PSoCプロセッサ品番 = CY8C5888LTI-LP097プロセッサ種類 = MCURoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥2,798税込￥3,078
1袋(20個)
当日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 180 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンINFINEON￥639税込￥703
1袋(2個)
7日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 180 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 370 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V動作温度 Max = +175 ℃動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
図解入門現場で役立つ電気の知識と心得 第2版秀和システム￥2,000税込￥2,200
1冊
10日以内出荷
工場や作業所などの現場で必要な知識がこの一冊に。教科書で習った内容を現場で活かす。電気の基本から、計器類、よくあるトラブルとその対策を紹介。電気取扱者と関連法の解説を追加。
ジャンル電気分類専門判型A5ページ数260著者名近藤晴雄 戸谷次延初版年月2017/09
図解入門よくわかる最新電気設備の基本と仕組み秀和システム￥1,800税込￥1,980
1冊
5日以内出荷
電気設備の役割と設置方法から、強電系と弱電系、情報通信施設と防犯施設、機種の選定条件、電気設備の設計フローなどを図解で解説。建物を快適化・情報化するための「電気設備」のイメージがわかる1冊。
ジャンル建築分類専門判型A5ページ数207著者名内野栄吉初版年月2013/12
わかる!電子工作の基本100秀和システム￥2,200税込￥2,420
1冊
7日以内出荷
アナログ、デジタル、ラジオなどに興味がある人を対象に、電子工作に必要な道具やパーツ、技術、回路の組み立て方などを図解でやさしく解説。初心者がつまずきやすい疑問がぜんぶ解決する、電子工作マメ百科。
ジャンル電子通信分類専門判型B5ページ数335著者名遠藤敏夫初版年月2010/12
Infineon マイコン CY8C21223， 16-Pin SOIC CY8C21223-24SXIINFINEON￥19,980税込￥21,978
1セット(48個)
7日以内出荷
仕様●ファミリー名： CY8C21223●パッケージタイプ： SOIC●実装タイプ： 表面実装●ピン数： 16●データバス幅： 8bit●プログラムメモリサイズ： 4 kB●最大周波数： 24MHz●RAMサイズ： 256 B●PWMユニット数： 2 x 8/16 bit●SPIチャンネル数： 1●I2Cチャンネル数： 1●長さ： 9.98mm●PSoC ファミリは、多くのプログラマブルシステムオンチップコントローラデバイスで構成されています。これらのデバイスは、複数の従来の MCU ベースのシステムコンポーネントを、低コストのシングルチッププログラマブルコンポーネントに置き換えるように設計されています。PSoC デバイスには、アナログ / デジタルロジックの構成可能なブロックとプログラマブルインターコネクトが組み込まれています。このアーキテクチャにより、個々のアプリケーションの要件に合わせて、カスタマイズされたペリフェラル設定を作成できます。また、高速 CPU 、フラッシュプログラムメモリ、 SRAM データメモリ、及び構成可能な I/O が、便利なピン配列に用意されています。RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 16kbit， SOIC， シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C， FM24CL16B-GINFINEON￥1,298税込￥1,428
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 16kbit●構成： 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ： シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 3000ns●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 4.97×3.98×1.48mm●長さ： 4.97mm●幅： 3.98mm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●ワード数： 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 4Mbit， 256K x 16 CY62147EV30LL-45ZSXIINFINEON￥609税込￥670
1個
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 4Mbit●構成： 256K x 16●ワード数： 256k●1ワード当たりのビット数： 16bitRoHS指令(10物質対応)対応
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