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図解入門現場で役立つ第二種電気工事の基本と実際秀和システム(1件のレビュー)￥1,600税込￥1,760
1冊
7日以内出荷
現場の技術者を対象に、電気工事の基礎と施工の実際を伝授するものです。電気工事に携わりながらも現場と知識の乖離に戸惑いを感じている人、また第2種電気工事士資格の受験者や資格取得者で、机上の知識と実作業との関係がいまひとつ理解できない人に向けた、作業内容と基礎知識習得のための実践的な解説書です。
ジャンル電気分類専門判型A5ページ数257著者名大木健司初版年月2016/05
IXYS 整流用 ブリッジダイオード 175A， 1200V， 94 x 54 x 30mm， VUO160-12NO7IXYS￥9,998税込￥10,998
1個
4日以内出荷
UL適合E72873.ねじ端子付き三相ブリッジ整流器、VUO160シリーズ、IXYS.ねじ止め端子付きパッケージ絶縁耐圧:3000Vrms低順方向電圧降下
幅(mm)54寸法(mm)94×54×30ピン数(ピン)5動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプパネルマウントピーク平均順方向電流(A)175ピーク逆繰返し電圧(V)1200ピーク逆電流(μA)300テクノロジーダイオード：シリコンジャンクションピーク順方向電圧(V)1.65ピーク非繰返し順方向サージ電流(kA)1.95
IXYS デュアルサイリスタモジュール， SCRモジュール， 116A， 1200V， MCC95-12io1BIXYS￥6,198税込￥6,818
1個
5日以内出荷
UL認証部品MCCシリーズデュアルシリーズサイリスタ
寸法(mm)92×20.8×30タイプサイリスタ：SCRモジュールピン数(ピン)7動作温度(℃)(Max)+125RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウント最大ゲートトリガー電流(mA)150繰返しピーク逆方向電圧(V)1200最大ゲートトリガー電圧(V)2.5定格平均オン電流(A)116最大保持電流(mA)200サージ電流レーティング(kA)2.4
IXYS 整流用 ブリッジダイオード 88A， 1200V， 72 x 42 x 30mm， VUO82-12NO7IXYS￥5,998税込￥6,598
1個
5日以内出荷
UL適合E72873.ねじ端子付き三相ブリッジ整流器、VUO82シリーズ、IXYS.ダイレクト銅接着(DCB)セラミック製パッケージ強化された温度及びパワーサイクリング非常に低い順方向電圧降下非常に低い漏洩電流
幅(mm)42寸法(mm)72×42×30ピン数(ピン)5動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプパネルマウントピーク平均順方向電流(A)88ピーク逆繰返し電圧(V)1200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)820ピーク逆電流(μA)300テクノロジーダイオード：シリコンジャンクションピーク順方向電圧(V)1.6
IXYS 整流用 ブリッジダイオード 63A， 1200V， 72 x 42 x 30mm， VUO62-12NO7IXYS￥5,498税込￥6,048
1個
7日以内出荷
UL適合E72873.ねじ端子付き三相ブリッジ整流器、VUO62シリーズ、IXYS.ダイレクト銅接着(DCB)セラミックのパッケージ強化された温度及びパワーサイクリング非常に低い順方向電圧降下非常に低い漏洩電流
長さ(mm)72高さ(mm)30ピン数(ピン)5動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプパネルマウントピーク平均順方向電流(A)63ピーク逆繰返し電圧(V)1200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)600ピーク逆電流(μA)300テクノロジーダイオード：シリコンジャンクションピーク順方向電圧(V)1.8
図解入門現場で役立つ電気の知識と心得 第2版秀和システム￥2,000税込￥2,200
1冊
10日以内出荷
工場や作業所などの現場で必要な知識がこの一冊に。教科書で習った内容を現場で活かす。電気の基本から、計器類、よくあるトラブルとその対策を紹介。電気取扱者と関連法の解説を追加。
ジャンル電気分類専門判型A5ページ数260著者名近藤晴雄 戸谷次延初版年月2017/09
図解入門よくわかる最新電気設備の基本と仕組み秀和システム￥1,800税込￥1,980
1冊
5日以内出荷
電気設備の役割と設置方法から、強電系と弱電系、情報通信施設と防犯施設、機種の選定条件、電気設備の設計フローなどを図解で解説。建物を快適化・情報化するための「電気設備」のイメージがわかる1冊。
ジャンル建築分類専門判型A5ページ数207著者名内野栄吉初版年月2013/12
わかる!電子工作の基本100秀和システム￥2,200税込￥2,420
1冊
7日以内出荷
アナログ、デジタル、ラジオなどに興味がある人を対象に、電子工作に必要な道具やパーツ、技術、回路の組み立て方などを図解でやさしく解説。初心者がつまずきやすい疑問がぜんぶ解決する、電子工作マメ百科。
ジャンル電子通信分類専門判型B5ページ数335著者名遠藤敏夫初版年月2010/12
IXYS ソリッドステートリレー 最大負荷電流:150 mA 表面実装， CPC1008NIXYS￥1,198税込￥1,318
1袋(5個)
6日以内出荷
UL認定コンポーネント: 認定番号E76270 CSA認定コンポーネント: 認定書1172007 EN / IEC60950-1認定コンポーネント: 認定書B 13 12 82667 003. 1フォームA 1500 Vrms SOP OptoMOSリレー、CPC. この単極ミニチュアソリッドステートリレーは、常時開(1フォームA)コンタクトを備え、4ピンSOPパッケージに収容されています。 このリレーは、光結合MOSFET技術を利用して入出力間で1500 Vrmsの絶縁を実現します。 有名なOptoMosアーキテクチャが採用されている出力は、効率的なMOSFETスイッチ及び光起電性ダイによって制御されます。 効率のよい赤外線LED入力で光結合制御を可能にします。 このリレーは、ダブルモールド垂直構造パッケージを採用することで、最も小型のリレーの1つとなっています。 このため、他の大型4ピンSOPリレーよりも基板のスペースを20 %以上節約することができます。 考えられる用途: セキュリティ: 受動型赤外線検出器(PIR)、データ信号伝達、センサ回路 計測機器: マルチプレクサ、データ収集、電子スイッチング、I/Oサブシステム メータ(ワット時、水量、ガス) 医療機器: 患者 / 機器の絶縁 航空宇宙 産業用制御 センサ回路 計装 マルチプレクサ データ収集. 特長 1500 Vrms入力 / 出力絶縁 動作に必要なLED電流はわずか0.5 mA 小型4ピンSOPパッケージ 高い信頼性 アークフリー(スナバ回路なし) EMI / RFI発生なし 放射電磁界に対する耐性 ウエーブはんだ付け可能
仕様最大負荷電流 = 150 mA取り付けタイプ = 表面実装スイッチングタイプ = DC極数 = 1接点構成 = SPST出力装置 = リレーリレータイプ = OptoMOS最大ターンオン時間 = 2ms寸法 = 4.089 x 3.81 x 2.1203mm高さ = 2.1mmRoHS指令(10物質対応)対応
IXYS 整流用 ブリッジダイオード 単相 40A， 800V， 38.3 x 25.07 x 9.6mm， VBO40-08NO6IXYS￥4,498税込￥4,948
1個
7日以内出荷
ULE72873.ねじ端子付きブリッジ整流器モジュール、VBO40シリーズ、IXYS.ダイレクト銅接着(DCB)絶縁のパッケージ非常に低い漏洩電流非常に低い順方向電圧降下温度特定の強化
寸法(mm)38.3×25.07×9.6高さ(mm)9.6ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプパネルマウントピーク逆繰返し電圧(V)800ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)320ピーク逆電流(μA)300テクノロジーダイオード：シリコンジャンクションピーク順方向電圧(V)1.15ブリッジタイプ単相
IXYS 整流用 ブリッジダイオード 35A， 1200V， 28.5 x 28.5 x 10mm， VUO36-12NO8IXYS￥2,298税込￥2,528
1個
7日以内出荷
UL適合E72873.プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VUO36シリーズ、IXYS.非常に低い漏洩電流非常に低い順方向電圧降下温度特定の強化ねじ1本で簡単に取り付け
幅(mm)28.5寸法(mm)28.5×28.5×10ピン数(ピン)5動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプスクリューマウントピーク平均順方向電流(A)35ピーク逆繰返し電圧(V)1200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)600ピーク逆電流(μA)300テクノロジーダイオード：シリコンジャンクションピーク順方向電圧(V)1.7
IXYS 整流用 ブリッジダイオード 35A， 1600V， 28.5 x 28.5 x 10mm， VUO36-16NO8IXYS￥2,598税込￥2,858
1個
7日以内出荷
UL適合E72873.プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VUO36シリーズ、IXYS.非常に低い漏洩電流非常に低い順方向電圧降下温度特定の強化ねじ1本で簡単に取り付け
寸法(mm)28.5×28.5×10高さ(mm)10ピン数(ピン)5動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプスクリューマウントピーク逆繰返し電圧(V)1600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)600ピーク逆電流(μA)300テクノロジーダイオード：シリコンジャンクションピーク順方向電圧(V)1.7ブリッジタイプ3相
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 210 A スルーホール パッケージPLUS264 3 ピンIXYS￥4,598税込￥5,058
1個
12日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)210最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14.5最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.89kW
IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 132 A スルーホール パッケージPLUS264 3 ピンIXYS￥3,998税込￥4,398
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)132最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)39最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.89kW
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 94 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンIXYS￥1,898税込￥2,088
1個
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
幅(mm)5.3シリーズHiperFET，Polar3ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)94最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)36最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.04kW
IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 98 A スルーホール パッケージTO-264 3 ピンIXYS￥2,998税込￥3,298
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)26.16ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)98最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)50最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.3kW
IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 60 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンIXYS￥1,598税込￥1,758
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polar3ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)60最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.04kW
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 150 A スルーホール パッケージTO-264 3 ピンIXYS￥3,298税込￥3,628
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)26.16ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)150最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)19最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.3kW
IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 61 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピンIXYS￥4,298税込￥4,728
1個
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)9.6シリーズHiperFET，Polarピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスクリューマウントチャンネルタイプN材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)61最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)85最大ゲートしきい値電圧(V)5.5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル最大パワー消費700000mW
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 115 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピンIXYS￥4,798税込￥5,278
1個
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)9.6ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスクリューマウントチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)115最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)24最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ185nC@10V最大パワー消費700000mW
IXYS Nチャンネル MOSFET800 V 24 A スルーホール パッケージTO-247AD 3 ピンIXYS￥1,498税込￥1,648
1個
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
幅(mm)5.3ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)24最大ドレイン-ソース間電圧(V)800最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)400最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル最大パワー消費650W
IXYS Nチャンネル MOSFET100 V 200 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピンIXYS￥4,498税込￥4,948
1個
6日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Max)+175、(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスクリューマウントチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)200最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7.5最大ゲートしきい値電圧(V)5最小ゲートしきい値電圧(V)3最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20最大パワー消費680W
IXYS Nチャンネル MOSFET800 V 53 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピンIXYS￥6,698税込￥7,368
1個
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスクリューマウントチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)53最大ドレイン-ソース間電圧(V)800最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)140最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ250nC@10V最大パワー消費1.04kW
IXYS Nチャンネル MOSFET100 V 75 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンIXYS￥789税込￥868
1個
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polarピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)75最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)25最大ゲートしきい値電圧(V)5.5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ74nC@10V最大パワー消費360000mW
IXYS Nチャンネル MOSFET100 V 110 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンIXYS￥1,298税込￥1,428
1個
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polarピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)110最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)15最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費480000mW
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 70 A スルーホール パッケージISOPLUS247 3 ピンIXYS￥3,298税込￥3,628
1個
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズPolarHiPerFETピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)70最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)26最大ゲートしきい値電圧(V)5最小ゲートしきい値電圧(V)3最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20最大パワー消費300W
IXYS サイリスタモジュール， SCR， 54A， 1600V， MCO50-16IO1IXYS￥4,598税込￥5,058
1個
7日以内出荷
UL適合E72873MCOシリーズサイリスタモジュール、IXYSハイパワーサイリスタモジュール
寸法(mm)38.2×25.07×9.6タイプサイリスタ：SCR電圧(V)ピークオンステージ：1.3ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウント最大ゲートトリガー電流(mA)80繰返しピーク逆方向電圧(V)1600最大ゲートトリガー電圧(V)1.4定格平均オン電流(A)54最大保持電流(mA)100サージ電流レーティング(kA)0.8
IXYS Nチャンネル MOSFET600 V 50 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンIXYS￥1,698税込￥1,868
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Q3シリーズ.IXYSのQ3クラスのHiperFET(TM)パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100V及び70Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。.高速真性整流器低RDS(オン)及びQG(ゲート電荷量)低真性ゲート抵抗産業用の標準パッケージ低パッケージインダクタンス高電力密度
ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)50最大ドレイン-ソース間電圧(V)600最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)145最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.04kW
IXYS デュアルサイリスタモジュール， SCRモジュール， 130A， 1600V， MCC132-16IO1IXYS￥9,998税込￥10,998
1個
7日以内出荷
UL認証部品MCCシリーズデュアルシリーズサイリスタ
寸法(mm)94×34×30タイプサイリスタ：SCRモジュールピン数(ピン)7RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウント最大ゲートトリガー電流(mA)150繰返しピーク逆方向電圧(V)1600最大ゲートトリガー電圧(V)2.5定格平均オン電流(A)130繰返しピークオフステート電流(mA)10最大保持電流(mA)200サージ電流レーティング(kA)5.08
IXYS デュアルサイリスタモジュール， SCRモジュール， 116A， 1600V， MCC95-16IO1BIXYS￥6,698税込￥7,368
1個
7日以内出荷
UL認証部品MCCシリーズデュアルシリーズサイリスタ
寸法(mm)92×20.8×30タイプサイリスタ：SCRモジュールピン数(ピン)7RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウント最大ゲートトリガー電流(mA)150繰返しピーク逆方向電圧(V)1600最大ゲートトリガー電圧(V)2.5定格平均オン電流(A)116繰返しピークオフステート電流(mA)5最大保持電流(mA)200サージ電流レーティング(kA)2.4
IXYS デュアルサイリスタモジュール， SCRモジュール， 190A， 1600V， MCC162-16IO1IXYS￥11,980税込￥13,178
1個
5日以内出荷
UL認証部品MCCシリーズデュアルシリーズサイリスタ
寸法(mm)94×34×30タイプサイリスタ：SCRモジュールピン数(ピン)7動作温度(℃)(Max)+125RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウント最大ゲートトリガー電流(mA)150繰返しピーク逆方向電圧(V)1600最大ゲートトリガー電圧(V)2.5定格平均オン電流(A)190最大保持電流(mA)200サージ電流レーティング(kA)6.4
IXYS デュアルサイリスタモジュール， SCRモジュール， 320A， 1600V， MCC310-16IO1IXYS￥23,980税込￥26,378
1個
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UL認証部品MCCシリーズデュアルシリーズサイリスタ
寸法(mm)116×60×30タイプサイリスタ：SCRモジュールピン数(ピン)7RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウント最大ゲートトリガー電流(mA)150繰返しピーク逆方向電圧(V)1600最大ゲートトリガー電圧(V)2定格平均オン電流(A)320繰返しピーク順方向抑止電圧(V)1600最大保持電流(mA)150サージ電流レーティング(kA)9.8