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実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-123。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 650mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク逆回復時間 = 5ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A。ショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-123。最大連続 順方向電流 = 150mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 750mA。ショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-323。最大連続 順方向電流 = 15mA。ピーク逆繰返し電圧 = 60V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク逆回復時間 = 1ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50mA。ショットキーバリアダイオード、最大250 mA、Diodes Inc. スーパーバリア整流(SBR)ダイオードは次世代の整流器です。 これら2台の端子機器は、PNエピタキシャルダイオードの高い信頼性及び熱処理の安定性を備えながら、ショットキーダイオードと比べて低い順方向電圧(VF)を実現しています。

論理回路 = LVC。ロジックタイプ = バッファ， ドライバ。インターフェース = バッファ&ラインドライバIC。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。高レベル出力電流 Max = -32mA。低レベル出力電流 Max = 32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。寸法 = 3.1 x 1.7 x 1.3mm。動作供給電圧 Min = 1.65 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

論理回路 = LVC。ロジックタイプ = バッファ， ドライバ。回路数 = 1。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。高レベル出力電流 Max = -32mA。低レベル出力電流 Max = 32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。動作供給電圧 Min = 1.65 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ピーク平均順方向電流 = 800mA。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = MiniDIP SMD。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 500μA。寸法 = 4.9 x 4 x 2.7mm。幅 = 4mm。UL、E94661. 基板表面実装用ブリッジ整流器、HDシリーズ、Diodes Inc. 低順方向電圧降下 自動アセンブリに最適

ピーク平均順方向電流 = 800mA。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = MiniDIP SMD。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 500μA。寸法 = 4.9 x 4 x 2.7mm。幅 = 4mm。UL、E94661. 基板表面実装用ブリッジ整流器、HDシリーズ、Diodes Inc. 低順方向電圧降下 自動アセンブリに最適

ピーク平均順方向電流 = 800mA。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = MiniDIP SMD。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 4.9mm。幅 = 4mm。UL、E94661. 基板表面実装用ブリッジ整流器、HDシリーズ、Diodes Inc. 低順方向電圧降下 自動アセンブリに最適

ピーク平均順方向電流 = 800mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = MiniDIP SMD。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 500μA。寸法 = 4.9 x 4 x 2.7mm。幅 = 4mm。UL、E94661. 基板表面実装用ブリッジ整流器、HDシリーズ、Diodes Inc. 低順方向電圧降下 自動アセンブリに最適

論理回路 = LVC。ロジックタイプ = バッファ， ドライバ。回路数 = 1。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = オープンドレイン。極性 = 反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。低レベル出力電流 Max = 32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4ns。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。動作供給電圧 Min = 1.65 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ピーク平均順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DF-M。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -65 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 500μA。寸法 = 8.51 x 6.5 x 3.4mm。高さ = 3.4mm。UL、E94661. 基板実装用ブリッジ整流器、DFxxMシリーズ、Diodes Inc. ガラス皮膜ダイ構造 低順方向電圧降下 高電流に対応

ブリッジタイプ = 単相。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DF-M。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -65 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 500μA。寸法 = 8.51 x 6.5 x 3.4mm。幅 = 6.5mm。UL、E94661. 基板実装用ブリッジ整流器、DFxxMシリーズ、Diodes Inc. ガラス皮膜ダイ構造 低順方向電圧降下 高電流に対応

公称電圧 = 1.24 - 18V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 可変。立上がり精度 = ±0.5 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 20mA。入力電圧 Max = 20 V。出力電圧 Min = 1.24 V。出力電圧 Max = 18 V。ピン数 = 3。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。幅 = 1.4mm。可変電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 1.24 - 18V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 可変。立上がり精度 = ±1.0 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 20mA。入力電圧 Max = 20 V。出力電圧 Min = 1.24 V。出力電圧 Max = 18 V。ピン数 = 3。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。高さ = 1.02mm。可変電圧リファレンス、Diodes Inc

センサータイプ = ホール効果センサ。実装タイプ = 表面実装。マグネットタイプ = オムニポーラ。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作供給電圧 Min = 2.5 V。パッケージタイプ = SC-59。ピン数 = 3。動作温度 Max = +85 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。ホール効果スイッチ及びラッチ、Diodes Inc

公称電圧 = 2.5 - 36V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 可変。立上がり精度 = ±0.5 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 100mA。入力電圧 Max = 40 V。出力電圧 Min = 2.5 V。出力電圧 Max = 36 V。ピン数 = 3。寸法 = 3 x 1.4 x 1mm。幅 = 1.4mm。可変電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 4.096V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 固定。立上がり精度 = ±1.0 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 20mA。出力電圧 Min = 4.05 V。出力電圧 Max = 4.14 V。ピン数 = 3。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。幅 = 1.4mm。4.096 V電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 1.225V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 固定。立上がり精度 = ±1.0 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 12mA。出力電圧 Min = 1.213 V。出力電圧 Max = 1.237 V。ピン数 = 3。ロードレギュレーション = 10 mV。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。幅 = 1.4mm。1.2 V電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 1.22V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 固定。立上がり精度 = ±0.5 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 20mA。出力電圧 Min = 1.196 V。出力電圧 Max = 1.244 V。ピン数 = 3。ロードレギュレーション = 10 mV。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。高さ = 1.02mm。1.2 V電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 1.22V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 固定。立上がり精度 = ±1.0 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 20mA。出力電圧 Min = 1.21 V。出力電圧 Max = 1.23 V。ピン数 = 3。ロードレギュレーション = 20 mV。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。幅 = 1.4mm。1.2 V電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 1.22V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 固定。立上がり精度 = ±0.5 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 20mA。出力電圧 Min = 1.214 V。出力電圧 Max = 1.226 V。ピン数 = 3。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。幅 = 1.4mm。1.2 V電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 1.225V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 固定。立上がり精度 = ±1.0 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 12mA。ピン数 = 3。ロードレギュレーション = 8 mV。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。幅 = 1.4mm。1.2 V電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 2.5V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 固定。立上がり精度 = ±2.0 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 5mA。出力電圧 Min = 2.45 V。出力電圧 Max = 2.55 V。ピン数 = 3。寸法 = 3.05 x 1.4 x 1mm。幅 = 1.4mm。2.5 V電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 2.5V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 可変。立上がり精度 = ±1.0 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 100mA。入力電圧 Max = 20 V。出力電圧 Min = 2.475 V。出力電圧 Max = 20 V。ピン数 = 3。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。幅 = 1.4mm。可変電圧リファレンス、Diodes Inc

出力電流 Max = 50mA。出力電圧 = 5 V。ラインレギュレーション = 15 mV。ロードレギュレーション = 40 mV。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23mA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定W。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm。高さ = 1.02mm。幅 = 1.4mm。ZMRシリーズリニア電圧レギュレータ、Diodes Inc. Diodes Inc の ZMR シリーズ正電圧レギュレータは、固定電圧調整向けに設計されています。 この堅牢な電圧レギュレータは、内部電流制限とサーマルシャットダウン機能を特長としています。 Diodes Inc のリニアレギュレータは、低電力マイクロコントローラでの使用や、DVD、CD-ROM、セットトップボックス、テレビ、モニタ、セキュリティシステムなどのエレクトロニクス分野に最適です。. 3端子正レギュレータ SOT23小型パッケージ 出力電圧: 2.5 V、3.3 V又は5 V 出力電流: 50 mA 超低静止電流(2.5 V @ 30 μA) 内部短絡保護

ロジックタイプ = XOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。動作供給電圧 Min = 1.65 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 1.35mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = NOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。論理回路 = AHC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9.5 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 8mA。幅 = 1.7mm。74AHC1Gファミリ、Diodes Inc

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。論理回路 = AHC。入力タイプ = シュミットトリガ。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10.5ns。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 4mA。幅 = 1.7mm。74AHC1Gファミリ、Diodes Inc

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = あり。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。論理回路 = AHC。入力タイプ = シュミットトリガ。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -8mA。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 8mA。幅 = 1.35mm。74AHC1Gファミリ、Diodes Inc

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。動作供給電圧 Min = 1.65 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。動作供給電圧 Min = 1.65 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 1.7mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = OR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOT-25。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。動作供給電圧 Min = 1.65 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 1.7mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = OR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOT-353。ピン数 = 5。論理回路 = LVC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns。動作供給電圧 Min = 1.65 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 1.35mm。74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

標準シングル供給電圧 = 2.5 → 20 V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。寸法 = 3.05 x 1.4 x 1mm。高さ = 1mm。長さ = 3.05mm。幅 = 1.4mm。電流検出アンプ、DiodesZetex

電流検出アンプ、DiodesZetex

出力電流 = 18mA。入力電圧 = 5 → 65 V dc。AC/DC入力電圧 = dc。減光操作 = PWM。用途 = 自動車用照明。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 16。出力電圧 Max = 65V。出力電圧 Min = -0.3V。定格電流 = 300mA。中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

出力電流 = 1.3A。入力電圧 = 6 → 36 V dc。AC/DC入力電圧 = dc。減光操作 = PWM。用途 = LED照明。パッケージタイプ = MSOP。ピン数 = 8。出力電圧 Max = 36V。出力電圧 Min = -0.3V。定格電流 = 1A。中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

出力電流 = 1A。入力電圧 = 8 → 30 V dc。AC/DC入力電圧 = dc。減光操作 = DC 電圧， PWM。最大出力パワー = 3W。用途 = LED照明。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 5。定格電流 = 0 → 1000mA。中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

出力電流 = 1.25A。AC/DC入力電圧 = dc。減光操作 = PWM。最大出力パワー = 1W。パッケージタイプ = TSOT-25。ピン数 = 5。出力電圧 Max = 65V。出力電圧 Min = -0.3V。定格電流 = 1.25A。電力消失 = 1W。自動車規格 = AEC-Q100。中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc

出力電流 = 1mA。入力電圧 = 7 → 30 V。AC/DC入力電圧 = dc。減光操作 = PWM。最大出力パワー = 1W。パッケージタイプ = TSOT-23-5。ピン数 = 5。出力電圧 Max = 30V。出力電圧 Min = -0.3V。定格電流 = 1.25A。電力消失 = 1W。自動車規格 = AEC-Q100。中電圧DC-DC LEDドライバ、Diodes Inc