「3v900」の検索結果

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 900 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 5000。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.65 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.96 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.00001mA。幅 = 1.4mm。Diodes Inc ダーリントントランジスタ

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 900 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = E-Line。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 850 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 2.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 630 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 3mm。高さ = 1.1mm。NチャンネルMOSFET、12 V → 28 V、Diodes Inc