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デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 表面実装 7ピン
DiodesZetex￥3,698税込￥4,0681袋(50個)7日以内出荷仕様●最大ゲート-ソース間電圧：-12 V， +12 Vピン数(ピン)7RoHS指令(10物質対応)対応パッケージU-DFN2030実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2チャンネルタイプN最大パワー消費(W)1.7チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)9.3最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)28最大ゲートしきい値電圧(V)1.1カテゴリーパワーMOSFET
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET100 V 170 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
DiodesZetex￥21,980～税込￥24,178～1セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 170 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET30 V 5.8 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
DiodesZetex￥32,980税込￥36,2781セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 720 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、30 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET60 V 1.2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
DiodesZetex￥72,980税込￥80,2781セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 806 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.05mm。高さ = 1mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET200 V 60 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
DiodesZetex￥769税込￥8461袋(10個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 60 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 25 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 330 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。高さ = 1mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET50 V 200 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
DiodesZetex￥17,980税込￥19,7781セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET60 V 115 mA 表面実装 パッケージSOT-323 3 ピン
DiodesZetex￥87,980税込￥96,7781セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 115 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-323。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 200 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.35mm。高さ = 1mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET60 V 600 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピン
DiodesZetex￥279,800税込￥307,7801袋(4000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 600 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 700 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 2.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET100 V 200 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピン
DiodesZetex￥2,898税込￥3,1881袋(20個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V。最大パワー消費 = 625 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 2.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET30 V 4.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
DiodesZetex￥88,980税込￥97,8781セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 4.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 1.4 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。高さ = 1.12mm。NチャンネルMOSFET、30 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET60 V 270 mA スルーホール パッケージE-Line 3 ピン
DiodesZetex￥219,800税込￥241,7801袋(4000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 270 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = E-Line。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V。最大パワー消費 = 625 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 2.41mm。高さ = 4.01mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET50 V 200 mA 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピン
DiodesZetex￥45,980税込￥50,5781セット(3000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大パワー消費 = 200 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.35mm。高さ = 1mm。デュアルNチャンネルMOSFET、Diodes Inc.RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET40 V 7 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
DiodesZetex￥129,800税込￥142,7801セット(1000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 3.9 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応DiodesZetex Nチャンネル MOSFET60 V 7.5 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
DiodesZetex￥139,800税込￥153,7801セット(1000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 7.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 3.9 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.7mm。高さ = 1.8mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex Nチャンネル MOSFET100 V 900 mA スルーホール パッケージE-Line 3 ピン
DiodesZetex￥499,800税込￥549,7801袋(4000個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 900 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = E-Line。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 850 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 2.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
