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エコロジープロダクト
「mosfet p」の検索結果
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 6.7 A， 3 ピン パッケージTO-220ABVISHAY￥279税込￥307
1個
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W動作温度 Max = +175 ℃PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
MOSFET P-ChannelVISHAY￥15,980税込￥17,578
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 400 V， 1.8 A， 3 ピン パッケージIPAK (TO-251)VISHAY￥349税込￥384
1個
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7Ω最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = IPAK (TO-251)実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 50 W標準ターンオフ遅延時間 = 25 nsPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル パワーMOSFET東芝￥1,398税込￥1,538
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様MOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)1.9チャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧(V)2カテゴリーパワーMOSFET
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 40 V， 15 A， 3 ピン パッケージDPAK東芝￥1,298税込￥1,428
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 48 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 Vパッケージタイプ = DPAK実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 29 W1チップ当たりのエレメント数 = 1
MOSFET P-ChannelON SEMICONDUCTOR￥73,980税込￥81,378
1リール(3000個)
7日以内出荷
仕様強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 27 A， 3 ピン パッケージTO-220AB QFET シリーズON SEMICONDUCTOR(2件のレビュー)￥2,498税込￥2,748
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 27 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 120000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 30 nsQFET(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ Toshiba (東芝) TLP350(TP5，F)， IGBT，MOSFET ゲート駆動用， 8-Pin東芝￥489税込￥538
1個
当日出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = IGBTゲートドライブ、MOSFET最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 2ピン数 = 8パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 15ns最大入力電流 = 20 mA絶縁電圧 = 3750 V ac標準降下時間 = 8nsフォトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET100 V 4 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンVISHAY￥109税込￥120
1個
3日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 43 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
ROHM Pチャンネル パワーMOSFET， 20 V， 250 mA， 3 ピン パッケージTSMTROHM￥899税込￥989
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 250 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 Vパッケージタイプ = TSMT実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 200 mW長さ = 2.9mmPチャンネルMOSFETトランジスタ、ROHMRoHS指令(10物質対応)対応
MOSFET P-ChINFINEON￥42,980税込￥47,278
1リール(1000個)
7日以内出荷
仕様Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFETINFINEON￥1,998税込￥2,198
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：2.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：130 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2.1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数：3+Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大パワー消費：10.8 W●1チップ当たりのエレメント数：1●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応
PチャンネルパワーMOSFET(40V/50A)インフィニオン￥289税込￥318
1個
3日以内出荷
OptiMOS-P2シリーズ PチャンネルパワーMOSFET
その他【資格】AEC-Q101消費電力(W)58抵抗(Ω)【ドレイン-ソース間オン】0.0082ピン数(ピン)3ピン動作温度(℃)175RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-252 (DPAK)実装タイプ表面実装チャンネルタイプPチャンネル耐テスト電圧(V)【Rds(on)】10最大連続ドレイン電流(A)50最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ゲート-ソース間電圧(V)1.7
Taiwan Semiconductor Pチャンネル MOSFETTAIWAN SEMICONDUCTOR￥3,998～税込￥4,398～
1袋(25個)ほか
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay デュアル Pチャンネル パワーMOSFETVISHAY￥1,498税込￥1,648
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor実装タイプ表面実装チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET
Vishay Siliconix Pチャンネル パワーMOSFETVISHAY SILICONIX￥2,198～税込￥2,418～
1袋(25個)ほか
7日以内出荷
チャンネルタイプP実装タイプ表面実装チャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET
Vishay N+Pチャンネル パワーMOSFETVISHAY￥1,998～税込￥2,198～
1袋(5個)ほか
7日以内出荷
仕様デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor実装タイプ表面実装チャンネルタイプN， Pチャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 30 V， 2 A， 6 ピン パッケージUF東芝￥719税込￥791
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 225 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = UF実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 35 nsデュアルMOSFET Pチャンネル、SSM6Pxx、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
