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PチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

供給電圧 = 25Vトポロジー = ローサイドドライバ数 = 1極性 = 非反転ゲートドライバトランジスタ、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 70 Vシリーズ = IntelliFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大パワー消費 = 1.5 Wトランジスタ構成 = シングル幅 = 1.7mm動作温度 Min = -40 ℃mmIntelliFET自己保護式MOSFET、Diodes Inc. IntelliFETは自己保護式MOSFETで、完全な保護回路アレイを内蔵しているため、ESD(静電気に敏感なデバイス)、過電流、過電圧、過熱状態から保護されます。. 短絡保護、自動リスタート機能付き 過電圧保護(アクティブクランプ) 過電流保護 入力保護(ESD) 高連続定格電流 ロードダンプ保護 ロジックレベル入力

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 3.1mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 1.4 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm高さ = 1.12mmNチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.8mm高さ = 1.3mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-363実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大パワー消費 = 200 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.35mm高さ = 1mmデュアルNチャンネルMOSFET、Diodes Inc.

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 7.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 3.9 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 3.7mm高さ = 1.8mmNチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 3.9 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 3.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2.1 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm高さ = 1.5mmデュアルPチャンネルMOSFET、Diodes Inc.

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 130 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 300 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm高さ = 1.1mmPチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 170 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 300 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大パワー消費 = 3.9 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 6.7mm高さ = 1.7mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 720 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 3.9 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 3.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 806 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 3.05mm高さ = 1mmNチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 600 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 700 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 2.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 130 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-323実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.35mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 806 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 3.05mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 270 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = E-Line実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V最大パワー消費 = 625 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 2.41mm高さ = 4.01mmNチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 113 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 0.9V最大パワー消費 = 1.4 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V長さ = 3mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、12 V → 25 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 280 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = E-Line実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大パワー消費 = 700 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 2.41mm高さ = 4.01mmPチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大パワー消費 = 300 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 115 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-363実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.35mm高さ = 1mmデュアルNチャンネルMOSFET、Diodes Inc.

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 300 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 140 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 3.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 270 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = E-Line実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大パワー消費 = 625 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 2.41mm高さ = 4.01mmNチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 700 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大パワー消費 = 806 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 1.8 nC @ 5 V、3.5 nC @ 10 Vmm高さ = 1mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 120 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 1.08 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 35 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大パワー消費 = 330 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 450 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 36 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 0.9V最大パワー消費 = 1.3 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V長さ = 3mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、12 V → 28 V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 900 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = E-Line実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 850 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 2.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 4.1 A、4.98 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩ， 80 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 1.35 Wトランジスタ構成 = フルブリッジ最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm高さ = 1.5mm補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 1.8 A、1.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ， 425 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = フルブリッジ最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 3.7mm高さ = 1.6mm補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.