「02pf」の検索結果

最大順方向電流 = 200mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 100Vパッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3最大ダイオードキャパシタンス = 2pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 3.04mm幅 = 1.4mm高さ = 1.01mm寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mmパワー消費 = 300mW

最大順方向電流 = 200mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 100Vパッケージタイプ = SOD-323ピン数 = 2最大ダイオードキャパシタンス = 2pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1mm寸法 = 1.8 x 1.35 x 1mm自動車規格 = AEC-Q101mWこのスイッチングダイオードは、高速スイッチング用途向けに設計されています。鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

最大順方向電流 = 200mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 100Vパッケージタイプ = SOD-923ピン数 = 2最大ダイオードキャパシタンス = 2pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 0.85mm幅 = 0.65mm高さ = 0.43mm寸法 = 0.85 x 0.65 x 0.43mmパワー消費 = 710mWBAS16P2T5G スイッチング・ダイオードは、メーカーの代表的な 3 リード SOT-23 デバイスのスピン・オフです。アプリケーションの切り替え用に設計されており、 SOD-923 表面実装パッケージに収納されています。このデバイスは、基板スペースが限られている低消費電力の表面実装用途に最適です。超小型 SOD-923 パッケージ スペースに制約のあるボードに取り付けられます 用途 高速スイッチングアプリケーション 最終製品 ワイヤレスハンドセット

論理回路 = HCロジックタイプ = バッファ， ラインドライバインターフェース = バッファ&ラインドライバIC入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC Wピン数 = 20高レベル出力電流 Max = -7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 165 ns @ 2 V寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm動作供給電圧 Min = 2 V伝播遅延テスト条件 = 150pF74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HCロジックタイプ = バッファ回路数 = 4入力タイプ = ショットキー出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 163ns寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm動作供給電圧 Min = 2 V伝播遅延テスト条件 = 150pF74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = バッファ実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 6パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14論理回路 = LCX動作供給電圧 Max = 5.5 V最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 3.7 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 32mA幅 = 4.5mm

最大順方向電流 = 300mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-523Fピン数 = 2mV最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.3mm幅 = 0.9mm高さ = 0.7mm寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mmパワー消費 = 200mWON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

最大順方向電流 = 300mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-523ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.3mm幅 = 0.9mm高さ = 0.7mm寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mmON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = 5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 20 ns @ 15 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA幅 = 4mm

論理回路 = LCXロジックタイプ = バッファ， ラインドライバインターフェース = バッファ&ラインドライバIC入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 6.5 ns @ 2.7 V寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm動作供給電圧 Min = 2 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

ロジックタイプ = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = ありパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC入力タイプ = シュミットトリガ動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = 5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 186 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = VHC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 8mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = AC実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20寸法 = 6.6 x 4.5 x 1.05mm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = -24mA伝播遅延テスト条件 = 50pF動作供給電圧 Max = 2 → 6 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2 V動作温度 Min = -40 ℃AC/ACT244 は、メモリアドレスドライバ、クロックドライバ、バス指向トランスミッタ / レシーバとして使用されるように設計されたオクタルバッファ / ラインドライバで、基板密度を改善します。ICC と IOZ は 50% 削減されました 3-STATE はドライブバスラインまたはバッファメモリアドレスレジスタを出力する 出力ソース / シンク： 24 mA ACT244 は TTL 互換入力を備えています 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

論理回路 = HC実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14ロジックタイプ = バッファmm低レベル出力電流 Max = 7.8mA高レベル出力電流 Max = 7.8mA伝播遅延テスト条件 = 45pF最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 45 pF動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2 V動作温度 Min = -40 ℃

論理回路 = LCX実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20ロジックタイプ = バッファmm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = -24mA伝送 = CMOS伝播遅延テスト条件 = 50pF最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7.5 ns @ 50 pF動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2 V動作温度 Min = -40 ℃

論理回路 = ACロジックタイプ = バッファ， ラインドライバ回路数 = 8入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC Wピン数 = 20高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8 ns @ 3.3 V寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm動作供給電圧 Max = 6 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = LCXロジックタイプ = バッファ回路数 = 10出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7.5 ns @ 50 pF寸法 = 13 x 7.6 x 2.34mm動作供給電圧 Max = 3.6 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SC-70ピン数 = 5論理回路 = TinyLogic ULP-A入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 3.6 V高レベル出力電流 Max = -24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.3 ns @ 30 pF動作供給電圧 Min = 0.9 V低レベル出力電流 Max = 24mA寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mmTinyLogic ULP-A、Fairchild Semiconductor

論理回路 = FXLP実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-70ピン数 = 5寸法 = 2 x 1.25 x 1mm低レベル出力電流 Max = 2.6mA高レベル出力電流 Max = -2.6mA伝播遅延テスト条件 = 30pF動作供給電圧 Max = 3.6 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 1 V動作温度 Min = -40 ℃電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor

論理回路 = CMOSロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 8シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = LS-TTL出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 4.4mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = CMOSロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 8シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = LS-TTL出力タイプ = 3ステート極性 = 反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 7.5mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = CMOSロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 8シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = LS-TTL出力タイプ = 3ステート極性 = 反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 6 Vmm高さ = 2.34mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = ACロジックタイプ = バッファ， ラインドライバ回路数 = 8入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns@ 50 pF寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm動作供給電圧 Min = 2 V伝播遅延テスト条件 = 50pFMC74ACファミリ、ON Semiconductor

論理回路 = HCロジックタイプ = バッファ， ドライバ， 非反転バッファ回路数 = 1出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 120ns寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm動作供給電圧 Min = 2 V伝播遅延テスト条件 = 10pF

論理回路 = VHC実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20ロジックタイプ = バッファmm低レベル出力電流 Max = 8mA高レベル出力電流 Max = -8mA伝播遅延テスト条件 = 50pF動作供給電圧 Max = 2 → 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2 V動作温度 Min = -40 ℃

ロジックタイプ = NAND実装タイプ = 表面実装ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = 5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 15 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA幅 = 4mm

論理回路 = LCX実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOP出力タイプ = 3ステート寸法 = 6.6 x 4.5 x 1.05mm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = -24mA伝播遅延テスト条件 = 50pF動作供給電圧 Max = 2 → 3.6 V動作温度 Max = +125 ℃動作供給電圧 Min = 2 V動作温度 Min = -55 ℃

ロジックタイプ = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = ありパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = 74AC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 24mA幅 = 4mmMC74ACファミリ、ON Semiconductor

ロジックタイプ = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = 74HC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = 5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 110 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA幅 = 4mm74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14論理回路 = VHC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 8mA幅 = 4.5mm74VHCファミリ、ON Semiconductor. ON Semiconductor社のアドバンスド74VHC高速シリコンゲートCMOSロジックファミリ製品は、CMOS低電力損失の利点を維持しながら、同等のバイポーラ ショットキーTTLと同様の高速動作を提供します。. アドバンスド高速及び低電力CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 5.5 V 7 V許容入力

論理回路 = HCTロジックタイプ = D タイプ入力タイプ = CMOS出力タイプ = TTL実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 141チップ当たりのエレメント数 = 2最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 36 ns @ 50 pF寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm幅 = 4mm74HCTファミリ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

ロジックタイプ = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14論理回路 = VHC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14.5 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 24mA幅 = 4.5mmMC74VHC00 は、シリコンゲート CMOS 技術で製造された Advanced High Speed CMOS 2 入力 NAND ゲートです。CMOS の低消費電力を維持しながら、同等のバイポーラショットキー TTL に匹敵する高速動作を実現しています。内部回路は、ノイズ耐性に優れ、出力が安定したバッファ出力をはじめとする 3 段階から構成されています。入力は最大 7 V の電圧に耐え、 5 V システムのインターフェイスを 3 V システムに対応できます。高速： tpd = 3.7 ns (標準) @ VCC = 5 V 低消費電力： ICC = 2 μ A (最大) @ TA = 25 C 高ノイズ耐性： VNIH = VNIL = 28 % VCC 入力にパワーダウン保護機能を実現 平衡伝搬遅延 2 → 5.5 V の動作範囲に対応する設計です 低ノイズ： VolP = 0.8 V (最大) 他の標準ロジックファミリと互換性があるピン配置及び機能 ラッチアップ性能は 300 mA を超えます ESD 性能： HBM> 2000V 、機械モデル> 200V チップの複雑さ： 32 FET または 8 つの同等の Gates

最大順方向電流 = 225mA1チップ当たりのエレメント数 = 2最大逆電圧 = 250Vパッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3最大ダイオードキャパシタンス = 5pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 3.04mm幅 = 1.4mm高さ = 1.01mm寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm自動車規格 = AEC-Q101mW

論理回路 = LCXロジックタイプ = バストランシーバ1チップ当たりのエレメント数 = 2回路数 = 16極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20入力レベル = TTL出力レベル = LVCMOS高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8.4 ns @ 30 pF幅 = 4.5mm74LCXファミリ、ON Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

最大順方向電流 = 200mA1チップ当たりのエレメント数 = 2最大逆電圧 = 70Vパッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3最大ダイオードキャパシタンス = 2.5pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 3.04mm幅 = 1.4mm高さ = 1.01mm寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mmパワー消費 = 300mWコモンカソードスイッチングダイオードは、超高速スイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-23 パッケージで提供されます。