「214a」の検索結果

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 214 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 333 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.83mm。高さ = 9.4mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor

ダイオード構成 = シングルA。実装タイプ = 表面実装。最大逆電圧 = 200V。パッケージタイプ = DO-214BA (GF1)。最大順方向降下電圧 = 1.1V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 4.7mm。幅 = 2.9mm。高さ = 2.7mm。寸法 = 4.7 x 2.9 x 2.7mm。Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 900mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 950mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2.5μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 150ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 1.8μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 80V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 850mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40A。Fairchild Semiconductorショットキーバリア整流器ダイオード、シングル

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ファストリカバリー。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 900mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ファストリカバリー。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 920mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 15ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 1200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 高電圧。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2.5μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor

最大順方向電流 = 1A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 600V。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 1.1V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 4.75mm。幅 = 2.95mm。高さ = 2.2mm。寸法 = 4.75 x 2.95 x 2.2mm。パワー消費 = 1.4W。Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ファストリカバリー。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ピーク逆回復時間 = 20ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。ES2A ： 2.0A 超高速リカバリ整流器表面実装用途向け ガラス不動態化ジャンクション。 低プロファイルパッケージ ストレインリリーフ内蔵。 超高速リカバリ時間で高効率 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor