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onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 58 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET30 V 58 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi
929税込1,022
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧:1.2V●最大連続ドレイン電流:58 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 AパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)55チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)15最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成シングル最大動作温度(℃)175
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 11 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET30 V 11 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi
1,498税込1,648
1袋(10個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 52 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V, +25 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmPowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 94 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET30 V 94 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi
1,298税込1,428
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧:1.2V●最大連続ドレイン電流:94 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)80材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 58 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET30 V 58 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi
149,800税込164,780
1セット(2500個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 15 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 55 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 6.22mm高さ = 2.39mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 160 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET30 V 160 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi
1,798税込1,978
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧:1.2V●最大連続ドレイン電流:160 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)160チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)6.3最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20トランジスタ構成シングル
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 11 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET30 V 11 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi
1,498税込1,648
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)11最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)30最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-25、+25トランジスタ構成シングル最大パワー消費52 W
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 94 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET30 V 94 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi
159,800税込175,780
1セット(2500個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 94 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 80 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mm自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 25 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET30 V 25 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi
999税込1,099
1袋(5個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 90 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 75Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -15 V, +15 V幅 = 6.22mm高さ = 2.38mmON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET、30 → 500 V
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 20 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET30 V 20 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi
189,800税込208,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 31 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 74 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -24 V, +24 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルパワーMOSFET、30 V、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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