9件中 1~9件
並び替え
おすすめ順
単価の安い順
単価の高い順
レビュー評価の高い順
レビューの多い順
仕様●最低ゲートしきい値電圧:1.2V●最大連続ドレイン電流:58 A シリーズPowerTrench ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)対応 特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A パッケージDPAK (TO-252) 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)55 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)30 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)15 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル 最大動作温度(℃)175
1箱(5個)
929 税込1,022
5日以内出荷

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 11 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 52 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V, +25 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,498 税込1,648
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:1.2V●最大連続ドレイン電流:94 A シリーズPowerTrench ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)対応 特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。 パッケージDPAK (TO-252) 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)80 材質(トランジスタ)Si チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)30 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
1,298 税込1,428
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 58 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 15 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 55 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 6.22mm。高さ = 2.39mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
149,800 税込164,780
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:1.2V●最大連続ドレイン電流:160 A シリーズPowerTrench ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)対応 特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。 パッケージDPAK (TO-252) 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)160 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)30 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)6.3 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
1,798 税込1,978
5日以内出荷

仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷 高さ(mm)2.39 ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプP 材質(トランジスタ)Si チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(A)11 最大ドレイン-ソース間電圧(V)30 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)30 最小ゲートしきい値電圧(V)1 最大ゲート-ソース間電圧(V)-25、+25 トランジスタ構成シングル 最大パワー消費52 W
1箱(10個)
1,498 税込1,648
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 94 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 80 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
159,800 税込175,780
5日以内出荷

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 25 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 90 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 75W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -15 V, +15 V。幅 = 6.22mm。高さ = 2.38mm。ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET、30 → 500 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
999 税込1,099
7日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 20 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 31 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 74 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -24 V, +24 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルパワーMOSFET、30 V、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
189,800 税込208,780
7日以内出荷

関連カテゴリ