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RoHS10物質対応(10)
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onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi￥159税込￥175
1個
4日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 14 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 48000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 16 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi￥919税込￥1,011
1袋(5個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vシリーズ = MegaFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 47 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 60 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V長さ = 6.73mm高さ = 2.39mmMegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 16 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi￥899税込￥989
1箱(5個)
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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：16 AシリーズMegaFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)60チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)47最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 ， +10トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi￥139税込￥153
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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：14 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：25 nC @ 5 V、40 nC @ 10 V高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)48000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 ， +10トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi￥1,198税込￥1,318
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仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)14最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル最大パワー消費48 W
onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi￥159,800税込￥175,780
1セット(2500個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 14 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 48 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi￥999税込￥1,099
1袋(10個)
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チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 14 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 48 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V幅 = 6.22mm高さ = 2.39mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi￥999税込￥1,099
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仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)3動作温度(℃)-55 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)14最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-10、 +10トランジスタ構成シングル最大パワー消費48 W
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 50 A、136 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi￥1,198税込￥1,318
1袋(5個)
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チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A、136 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 127 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm高さ = 2.39mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 2 A， KSC5502DTMonsemi￥1,198税込￥1,318
1袋(10個)
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トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 50 W最小DC電流ゲイン = 12トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 1200 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.39mmFairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
