カテゴリ

  • 制御機器(5)
絞り込み
ブランド
  • onsemi
  • Panasonic(パナソニック)(66)
  • EBM PAPST(22)
  • ニチコン(21)
  • RS PRO(21)
  • 象印チェンブロック(8)
  • VISHAY(8)
  • 日本ケミコン(7)
  • EPCOS(7)
  • TE Connectivity Japan(旧:TYCOELECTRONICS(タイコエレクトロニクス))(6)
  • EPSON(3)
  • ホンダ(3)
  • MURATA(村田製作所)(3)
  • エスコ(2)
  • オーム電機(2)
  • omron(オムロン)(2)
  • 明工社(2)
  • DAIKO(大光電機)(2)
  • MAZDA(マツダ)(2)
エコロジープロダクト
  • エコロジープロダクトRoHS10物質対応(5)
価格
価格で絞り込む
出荷目安
当日・翌日以内・翌々日以内・3日以内・4日以内

「25v 680」の検索結果

関連キーワード
5件中 15
商品の詳細情報を参照する場合は
詳細表示が便利です
並び替え
おすすめ順
単価の安い順
単価の高い順
レビュー評価の高い順
レビューの多い順
  • onsemi Nチャンネル MOSFET25 V 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン onsemi

    onsemi Nチャンネル MOSFET25 V 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン

    onsemi
    2,198税込2,418
    1袋(100個)
    7日以内出荷
    チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 680 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V。幅 = 1.3mm。高さ = 0.93mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi Nチャンネル MOSFET25 V 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン onsemi

    onsemi Nチャンネル MOSFET25 V 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン

    onsemi
    109税込120
    1個
    7日以内出荷
    チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 680 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V。最大パワー消費 = 900 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V。長さ = 3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デジタルFET、Fairchild Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi Nチャンネル MOSFET25 V 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン onsemi

    onsemi Nチャンネル MOSFET25 V 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン

    onsemi
    2,198税込2,418
    1箱(100個)
    7日以内出荷
    仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。長さ(mm)2.92ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)350チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)680最大ドレイン-ソース間電圧(V)25最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)450最小ゲートしきい値電圧(V)0.65最大ゲート-ソース間電圧(V)8トランジスタ構成シングル
  • onsemi Nチャンネル MOSFET25 V 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン onsemi

    onsemi Nチャンネル MOSFET25 V 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン

    onsemi
    109税込120
    1個
    7日以内出荷
    仕様●最低ゲートしきい値電圧:0.65V●最大連続ドレイン電流:680 mA●標準ゲートチャージ @ Vgs:1.64 nC @ 4.5 Vピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性デジタルFET、Fairchild SemiconductorパッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)900チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)25最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)450最大ゲート-ソース間電圧(V)8トランジスタ構成絶縁型最小動作温度(℃)-55
  • onsemi N, Pチャンネル MOSFET25 V 460 mA, 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン onsemi

    onsemi N, Pチャンネル MOSFET25 V 460 mA, 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン

    onsemi
    169税込186
    1個
    7日以内出荷
    チャンネルタイプ = N, P。最大連続ドレイン電流 = 460 mA, 680 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.1 Ω, 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V。最大パワー消費 = 900 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V。幅 = 1.7mm。高さ = 1mm。デジタルFET、Fairchild Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
関連キーワード
すべてのカテゴリ
安全保護具・作業服・安全靴
物流/保管/梱包用品/テープ
安全用品/防災・防犯用品/安全標識
オフィスサプライ
オフィス家具/清掃用品
切削工具・研磨材
測定・測量用品
作業工具/電動・空圧工具
スプレー・オイル・グリス/塗料/接着・補修/溶接
配管・水廻り部材/ポンプ/空圧・油圧機器・ホース
メカニカル部品/機構部品
制御機器/はんだ・静電気対策用品
建築金物・建材・塗装内装用品
空調・照明・電設資材/電気材料
ねじ・ボルト・釘/素材
自動車用品
トラック用品
バイク用品
自転車用品
科学研究・開発用品/クリーンルーム用品
厨房機器・キッチン/店舗用品
農業資材・園芸用品
医療・介護用品
 使用用途などの自然な言葉で検索できるようになりました(例:工場の床に白い線を引く)詳細はこちら