onsemi N， Pチャンネル MOSFET25 V 460 mA， 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン

チャンネルタイプ = N， P
最大連続ドレイン電流 = 460 mA， 680 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.1 Ω， 450 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V
最大パワー消費 = 900 mW
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V
幅 = 1.7mm
高さ = 1mm
デジタルFET、Fairchild Semiconductor