「3d-2v」の検索結果

出力電流 Max = 3A。出力電圧 Max = 5.25 V。レギュレータ機能 = バック コントローラ。出力電圧 Min = 4.75 V。入力電圧 Min = 8 V。入力電圧 Max = 40 V。出力タイプ = 可変。実装タイプ = 表面実装。出力数 = 1。ピン数 = 5。パッケージタイプ = D2PAK。スイッチングレギュレータ = あり。寸法 = 10.236 x 9.347 x 4.572mm。スイッチングレギュレータ、ステップダウンDC-DCコンバータ、ON Semiconductor. バック(ステップダウン)、ブースト(ステップアップ)、フライバックの各用途向けの電流モード / 電圧モードDC-DCコンバータです。

出力電流 Max = 3A。出力電圧 Max = 37 V。レギュレータ機能 = バック コントローラ。出力電圧 Min = 1.23 V。入力電圧 Max = 40 V。出力タイプ = 可変。実装タイプ = 表面実装。出力数 = 1。ピン数 = 5。パッケージタイプ = D2PAK。スイッチングレギュレータ = あり。幅 = 4.572mm。スイッチングレギュレータ、ステップダウンDC-DCコンバータ、ON Semiconductor. バック(ステップダウン)、ブースト(ステップアップ)、フライバックの各用途向けの電流モード / 電圧モードDC-DCコンバータです。

出力電流 Max = 3A。出力電圧 Max = 3.3 V。レギュレータ機能 = バック コントローラ。入力電圧 Max = 40 V。出力タイプ = 固定。実装タイプ = 表面実装。出力数 = 1。ピン数 = 5。パッケージタイプ = D2PAK。スイッチングレギュレータ = あり。寸法 = 10.236 x 4.572 x 9.347mm。スイッチングレギュレータ、ステップダウンDC-DCコンバータ、ON Semiconductor. バック(ステップダウン)、ブースト(ステップアップ)、フライバックの各用途向けの電流モード / 電圧モードDC-DCコンバータです。

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。最大連続 順方向電流 = 30A。ピーク逆繰返し電圧 = 45V。ダイオード構成 = コモンカソード。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 720mV。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 44 A。最大ドレイン-ソース間電圧 250 V。パッケージタイプ D2PAK (TO-263)。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 69 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 307 W。トランジスタ構成 シングル。長さ 10.67mm。動作温度 Min -55 ℃mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 62 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 260 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 10.67mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 80 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 11 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 245 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 9.65mm。高さ = 4.83mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 55 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 26 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 3750 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。長さ = 10.67mm。高さ = 4.83mm。QFETR NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 120 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 333 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 9.65mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor