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仕様拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 幅(mm)1.4 ピン数(ピン)3 動作温度(℃)-55 (Min) RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプP チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(mA)900 最大ドレイン-ソース間電圧(V)30 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)300 最小ゲートしきい値電圧(V)0.8 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20 トランジスタ構成シングル 最大パワー消費500 mW
1箱(10個)
629 税込692
5日以内出荷

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 900 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
629 税込692
5日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A シリーズPowerTrench ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 材質(トランジスタ)Si チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(mA)900 最大ドレイン-ソース間電圧(V)20 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)220 最小ゲートしきい値電圧(V)0.6 最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12 トランジスタ構成シングル 最大パワー消費350 mW
1箱(10個)
479 税込527
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.4 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 205000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。QFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
3,798 税込4,178
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:3V●最大連続ドレイン電流:0.3333333333 長さ(mm)10.1 シリーズQFET ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲー パッケージTO-220AB 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)205000 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)900 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.4 最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 , +30 トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
3,798 税込4,178
5日以内出荷

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 900mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク逆回復時間 = 30ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 80A。Fairchild Semiconductorショットキーバリア整流器ダイオード、シングル
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
319 税込351
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 680 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V。最大パワー消費 = 900 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V。長さ = 3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デジタルFET、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
98 税込108
5日以内出荷

標準ツェナー電圧 = 5.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 376Ω。最大逆漏れ電流 = 900nA。寸法 = 1.7 x 1.3 x 1mm。順方向電流 = 10mA。MM3Z5V6C : 5.6 V 200 mW 5 % ツェナー、 SOD323F広いツェナー電圧範囲選択範囲: 2.4 → 75 V ± 5 % の VZ 許容差選択( C シリーズ) 超小型で薄型の SMD パッケージ つや消しスズ( Sn )仕上げ、鉛フリー 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
13,980 税込15,378
5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 2.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●パッケージタイプ : SOT-23●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 155 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 2.5V●最大パワー消費 : 900 mW●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 1.01mm●ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
849 税込934
5日以内出荷