「3x5」の検索結果

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 160トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

ピーク波長 = 890nmパッケージタイプ = T-1 3/4放射強度 = 70mW/sr実装タイプ = スルーホール実装指向半値角 = 16°LED数 = 1ピン数 = 2寸法 = 6.1 Dia. x 8.77mmLED材質 = AlGaAs最大供給電圧 = 1.7V

トランジスタタイプ = PNP最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -65 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm

パッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 312 Wピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 16.2 x 5 x 18.9mmUniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( ON ) = 70 m Ω (標準) @ VGS = 10 V 、 ID = 19 A 低ゲート電荷量(標準) 60 nC ) 低 CRSs (標準) 60PF ) ESD改善機能 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1.2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 Vパッケージタイプ = TO-126実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 160トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 160 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 8 x 3.25 x 11mmパワーNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-126実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 12.5 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 8 x 3.25 x 11mm小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 4.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm標準電圧温度係数 = -3.5 → 0.2mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79Cシリーズ、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mWトランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 5.33 x 5.2 x 4.19mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mWトランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 5.33 x 5.2 x 4.19mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -65 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 10 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -30 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 300トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 110 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2.9 x 1.3 x 1.04mm小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -120 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 300トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2.9 x 1.3 x 1.04mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor

ピーク感度波長 = 880nmパッケージタイプ = T-1 3/4実装タイプ = スルーホール実装ピン数 = 2ダイオード材質 = Si最小検出波長 = 700nm最大検出波長 = 1100nm標準降下時間 = 5ns長さ = 4.95mm高さ = 8.77mm直径 = 6.1mm標準上昇時間 = 5nsQSD2030F PINフォトダイオード. Fairchild SemiconductorのQSD2030Fは、プラスチックシリコンPINフォトダイオードです。 標準の5 mm(T-1 3/4)スルーホールパッケージに収められています。 QSD2030Fは、周囲の可視光を遮断する昼光フィルタを備えた黒色のエポキシ製パッケージに収納されています。. QSD2030Fフォトダイオードの特長: PINフォトダイオード 5 mm(T-1 3/4)パッケージ 広いレセプション角度: 40° 昼光フィルタ 高感度 波長: 880 nm 検出面積: 1.245 x 1.245 mm

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 15.8 x 5 x 20.1mm先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

コンパレータタイプ = 汎用実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC電源タイプ = ±2電源， 単一電源出力タイプ = オープンコレクタ回路数 = 2標準応答時間 = 1.3μsピン数 = 8標準シングル供給電圧 = 3 → 28 V寸法 = 5 x 4 x 1.5mm長さ = 5mm幅 = 4mm高さ = 1.5mm標準電圧ゲイン = 106.02 dBコンパレータ、ON Semiconductor

最大連続コレクタ電流 = 120 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 600 Wパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 15.8 x 5 x 20.1mm動作温度 Min = -55 ℃ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 4.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-523ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm動作温度 Max = +150 ℃mV/Kツェナーダイオード500 mW、MM5ZxxxT1G / SZMM5ZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-523

ダイオード構成 = シングルV実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 90Ω最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm標準電圧温度係数 = 0mV/Kツェナーダイオード225 mW、BZX84BxxxLT、BZX84CxxxLTシリーズ、ON Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (BZX84B)、約5 % (BZX84C) 表面実装ケース: SOT-23

ロジックタイプ = インバータ入力タイプ = シュミットトリガ出力タイプ = 反転1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 155 ns @ 50 pF高レベル出力電流 Max = -2.6mA低レベル出力電流 Max = 2.6mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 5論理回路 = HC寸法 = 3 x 1.5 x 1mm動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 1mm74HC1Gファミリ、ON Semiconductor. ON Semiconductor 74HC CMOSロジックファミリの、省スペース型シングルゲートデバイス. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

トランジスタタイプ = NPN最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dcピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 16.26 x 5.3 x 21.08mm

動作供給電圧 Max = 5.5 V出力数 = 2A入力数 = 2実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 5動作温度 Max = +125 ℃動作温度 Min = -40 ℃寸法 = 3 x 1.5 x 1mm配電スイッチ、ON Semiconductor. 固定 / 調整可能、電流制限付き配電スイッチ

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -4 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -350 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 50 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 350 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 9.28 x 10.28 x 4.82mm先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 225 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3.04 x 2.64 x 1.11mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 60Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm自動車規格 = AEC-Q101mA

標準ツェナー電圧 = 6.8V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±5%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm標準電圧温度係数 = 4.5mV/K

ダイオード構成 = シングルV実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 1.8 x 1.35 x 1mm標準電圧温度係数 = 0.2mV/Kツェナーダイオード200 mW、MM3Zシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)