「6v」の検索結果

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 8.7V最小ブレークダウン電圧 = 5.89V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 3Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 24W最大ピークパルス電流 = 2.7AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 1.4mmTVSデュアルコモンアノードツェナー、ON Semiconductor. コモンアノード構成のデュアル表面実装TVS 自動挿入に最適 低漏洩

標準ツェナー電圧 = 6V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

コンパレータタイプ = ローパワー実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UDFN電源タイプ = 単一電源出力タイプ = オープンドレイン回路数 = 1ピン数 = 6標準シングル供給電圧 = 0.85 → 6 V寸法 = 1.2 x 1 x 0.5mm長さ = 1.2mm幅 = 1mm高さ = 0.5mm標準CMRR = 80dB標準PSRR = 80dBコンパレータ、ST Microelectronics. 高速コンパレータ(応答時間が速い) 低消費電力コンパレータ(低動作電流: 210 nA) 耐熱性認定デバイス 車載用グレードのコンパレータは、AEC-Q100及びAEC-Q101の認定を取得

論理回路 = 74HCロジックタイプ = D タイプ入力タイプ = CMOS出力タイプ = LSTTLトリガータイプ = 正エッジ極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20セット/リセット = リセット1チップ当たりのエレメント数 = 8最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 170ns寸法 = 13.005 x 7.595 x 2.642mm幅 = 7.595mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = ACロジックタイプ = D タイプ入力タイプ = TTL出力信号タイプ = シングルエンドトリガータイプ = 正エッジ極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20セット/リセット = マスターリセット1チップ当たりのエレメント数 = 8最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 12 ns@ 50 pF動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 4.5mmMC74ACファミリ、ON Semiconductor

論理回路 = ACロジックタイプ = OR入力タイプ = TTL出力タイプ = TTL極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 141チップ当たりのエレメント数 = 4最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10 ns@ 50 pF動作供給電圧 Max = 6 Vmm高さ = 1.5mmMC74ACファミリ、ON Semiconductor

論理回路 = 74HCロジックタイプ = バストランシーバ1チップ当たりのエレメント数 = 18回路数 = 8極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20入力レベル = CMOS出力レベル = CMOS高レベル出力電流 Max = -35mA低レベル出力電流 Max = 35mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 135ns幅 = 7.595mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

標準ツェナー電圧 = 6.2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm標準電圧温度係数 = 0.4 → 3.7mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79Cシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 6.2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード500 mW、MMSZxxxT1G / SZMMSZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 8V最小ブレークダウン電圧 = 5.32V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-74最大逆スタンドオフ電圧 = 3Vピン数 = 6ピークパルスパワー消費 = 150W最大ピークパルス電流 = 3AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 4動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 1mm24 Wクワッドコモンアノード過渡電圧サプレッサ(ESD保護用)

標準ツェナー電圧 = 16V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-523ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 40Ω最大逆漏れ電流 = 50nA寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.5mm標準電圧温度係数 = 14mV/Kツェナーダイオード500 mW、MM5ZxxxT1G / SZMM5ZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-523

標準ツェナー電圧 = 6.8V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±5%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm標準電圧温度係数 = 4.5mV/K

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 29 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2000 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm高さ = 1.5mm自動車用デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1.6 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm高さ = 1.5mmPowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 37.5V最小ブレークダウン電圧 = 25.7V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 23.1Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 16A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃mm幅 = 3.56mmTVSダイオード双方向軸600 W、P6KEシリーズ、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = 絶縁型整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 6最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 2ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

ダイオード構成 = コンプレックスアレイ最大クランピング電圧 = 20V最小ブレークダウン電圧 = 6.8V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 8ピークパルスパワー消費 = 2000W最大ピークパルス電流 = 100AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 5動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 4mm高電流落雷保護、ON Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 11V最小ブレークダウン電圧 = 6V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 300W最大ピークパルス電流 = 17AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 1.4mm高速ライン保護のための300 W低静電容量TVS. 補償ダイオードにTVSダイオードを直列接続することで、静電容量を5 pF未満に抑制 ピーク定格出力: 300 W、8 x 20 μs

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10 x 6.198 x 1.499mm動作供給電圧 Max = 6 V動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10 x 4 x 1.5mm動作供給電圧 Max = 6 V動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 6 V， 18 ns @ 4.5 V， 90 ns @ 2 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA幅 = 4mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 121 ns @ 2 V， 20 ns @ 6 V， 24 ns @ 4.5 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS