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onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 915 mA 表面実装 パッケージSC-75 3 ピン
onsemi￥319税込￥3511袋(10個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 915 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SC-75。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -6 V， +6 V。幅 = 1.6mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルパワーMOSFET、20 V、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 915 mA 表面実装 パッケージSOT-523 (SC-89) 3 ピン
onsemi￥38,980税込￥42,8781セット(3000個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 915 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 20 V●パッケージタイプ ： SOT-523 (SC-89)●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 950 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 1.1V●最低ゲートしきい値電圧 ： 0.45V●最大パワー消費 ： 300 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： ±6 V●幅 ： 0.95mm●高さ ： 0.8mm●20 V 915mA 小信号 MOSFET 230 m Ω ●シングル N チャンネル SC-89 ● ESD 保護機能付き低 RDS ( on )により●システム効率が向上します 低しきい値電圧● 1.5 V 定格 ESD保護ゲート 用途: 負荷 / 電源スイッチ 電源変換回路 バッテリマネージメント 携帯電話● PDA ●デジタルカメラ●ポケットベルなどの携帯機器RoHS指令(10物質対応)対応
