「AB3」の検索結果

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 310000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.83mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 75 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V。シリーズ = UltraFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 325 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 75 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V。シリーズ = UltraFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 270 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.67mm。高さ = 16.3mm。UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 61 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 41 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 417000 mW。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。幅 4.83mm。高さ 9.4mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 70 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.83mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

最大連続コレクタ電流 = 120 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 600 W。パッケージタイプ = TO-247AB。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 15.6 x 4.7 x 20.6mm。動作温度 Min = -55 ℃。ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 950mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor