「HCM」の検索結果

論理回路 = HCロジックタイプ = バッファ， ラインドライバインターフェース = バッファ&ラインドライバIC入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC Wピン数 = 20高レベル出力電流 Max = -7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 165 ns @ 2 V寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm動作供給電圧 Min = 2 V伝播遅延テスト条件 = 150pF74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = 5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 113ns動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA幅 = 4mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = OR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = 5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 125ns動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = 5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 20 ns @ 15 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA幅 = 4mm

ロジックタイプ = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = 5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 158ns動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HCT入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = 4.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 15 pF動作供給電圧 Min = 4.5 V低レベル出力電流 Max = 4.8mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC最大入力電流 = 16 mA絶縁電圧 = 5 kVrms論理出力 = あり最大電流変換率 = 50%最小電流伝送率 = 7%シリーズ = 6N1356N135M 、 6N136M 、 HCPL4503M 、 HCPL2530M 、 HCPL2531M オプトカプラは、高速光検出器トランジスタに光学的に結合された AlGaAs LED から構成されています。フォトダイオードのバイアス用に別々に接続することで、入力トランジスタのベース - コレクタ静電容量を低減することで、従来のフォトトランジスタオプトカプラよりも速度を桁違いに向上させています。HCPL4503M は、フォトトランジスタベースへの内部接続がないため、ノイズ耐性が向上しています。内部ノイズシールドにより、最高 50 、 000 V/ μ s の優れたコモンモード除去性能を発揮します。高速 - 1 MBit/s デュアルチャンネル： HCPL2530M 、 HCPL2531M CTR 保証温度： 0 → 70 ° C ベース接続なしでノイズ耐性を向上( HCPL4503M ) 最小 15，000 V/ μ s の優れた CMR (HCPL4503M) 最終製品 エネルギーの生成と分配 産業用モータ 無停電電源 用途 ラインレシーバ パルストランス交換 CMOS-TTL-TTL への出力インターフェイス 広帯域アナログカップリング

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14論理回路 = VHCT入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 4.5 V低レベル出力電流 Max = 8mA幅 = 4.4mm74VHCTファミリ、Fairchild Semiconductor

論理回路 = 74HCロジックタイプ = D タイプ入力タイプ = CMOS出力タイプ = LSTTLトリガータイプ = 正エッジ極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20セット/リセット = リセット1チップ当たりのエレメント数 = 8最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 170ns寸法 = 13.005 x 7.595 x 2.642mm幅 = 7.595mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HCロジックタイプ = D タイプ入力タイプ = CMOS出力タイプ = LSTTL出力信号タイプ = シングルエンドトリガータイプ = 正エッジ極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 201チップ当たりのエレメント数 = 8最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 28 ns @ 45 pF動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 7.5mm74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10 x 6.198 x 1.499mm動作供給電圧 Max = 6 V動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10 x 4 x 1.5mm動作供給電圧 Max = 6 V動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HCラッチモード = 透明ラッチエレメント = Dタイプビット数 = 8bit出力タイプ = 3ステート実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20寸法 = 13.005 x 7.595 x 2.642mm高さ = 2.642mm長さ = 13.01mm幅 = 7.595mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HC実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 7.2mA低レベル出力電流 Max = 7.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 45 ns@ 150 pF動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 7.59mm74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

パッケージタイプ = TSSOPロジックタイプ = シフトレジスターステージ数 = 8論理回路 = 74HC実装タイプ = 表面実装動作/操作モード = シリアル to パラレルエレメント数 = 1ピン数 = 16動作供給電圧 Min = 2 V動作供給電圧 Max = 6 V寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mmトリガータイプ = 正エッジ74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HCロジックタイプ = バストランシーバ1チップ当たりのエレメント数 = 18回路数 = 8極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20入力レベル = CMOS出力レベル = CMOS高レベル出力電流 Max = -35mA低レベル出力電流 Max = 35mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 135ns幅 = 7.595mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = CMOSロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 8シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = LS-TTL出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 4.4mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = CMOSロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 8シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = LS-TTL出力タイプ = 3ステート極性 = 反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 7.5mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = CMOSロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 8シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = LS-TTL出力タイプ = 3ステート極性 = 反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 6 Vmm高さ = 2.34mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ入力タイプ = シュミットトリガ1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 20 ns @ 5 V高レベル出力電流 Max = -4.8mA低レベル出力電流 Max = 4.8mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HCT寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 4mm74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

論理回路 = 74HCロジックタイプ = バッファ回路数 = 4入力タイプ = ショットキー出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 163ns寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm動作供給電圧 Min = 2 V伝播遅延テスト条件 = 150pF74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 6 V， 18 ns @ 4.5 V， 90 ns @ 2 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA幅 = 4mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = HCロジックタイプ = バストランシーバ1チップ当たりのエレメント数 = 1回路数 = 8極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC Wピン数 = 20入力レベル = CMOS出力レベル = CMOS高レベル出力電流 Max = -7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 96 ns @ 2 V寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HCT動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -4.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 5 V動作供給電圧 Min = 4.5 V低レベル出力電流 Max = 4.8mA幅 = 4mm74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

パッケージタイプ = SOPロジックタイプ = シフトレジスターステージ数 = 8論理回路 = VHC実装タイプ = 表面実装動作/操作モード = シリアル to パラレルエレメント数 = 1ピン数 = 14動作供給電圧 Min = 2 V動作供給電圧 Max = 5.5 V寸法 = 10.2 x 5.3 x 1.8mmリセットタイプ = 非シンクロナス74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 121 ns @ 2 V， 20 ns @ 6 V， 24 ns @ 4.5 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ入力タイプ = シュミットトリガ1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 125 ns @ 2 V， 21 ns @ 6 V， 25 ns @ 4.5 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA低レベル出力電流 Max = 5.2mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 4mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = VHC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 8mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ シュミット トリガー入力タイプ = CMOS出力タイプ = CMOS1チップ当たりのエレメント数 = 6最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 188 ns @ 50 pF高レベル出力電流 Max = -5.2mA低レベル出力電流 Max = 4mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = 74HC寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm高さ = 1.5mm幅 = 4mmMM74HC14 は、 Advanced Silicon Gate CMOS テクノロジーを使用することで、標準 CMOS の低電力損失と高ノイズ耐性を実現するだけでなく、 10 LS-TTL 負荷を駆動できます。74HC ロジックファミリは、標準 74LS ロジックファミリと機能的かつピン配列が互換性があります。VCC とアースに内蔵ダイオードクランプを印加することにより、すべての入力が静電気放電によって損傷から保護されます。標準伝搬遅延： 13 ns 広い電源範囲： 2 → 6 V 低静止電流：最大 20 μ A (74HC シリーズ ) 低入力電流：最大 1 μ A LS-TTL 負荷 10 個のファンアウト 標準ヒステリシス電圧： 0.9 V @ VCC = 4.5 V 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

ロジックタイプ = インバータ入力タイプ = シュミットトリガ出力タイプ = 反転1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 155 ns @ 50 pF高レベル出力電流 Max = -2.6mA低レベル出力電流 Max = 2.6mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 5論理回路 = HC寸法 = 3 x 1.5 x 1mm動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 1mm74HC1Gファミリ、ON Semiconductor. ON Semiconductor 74HC CMOSロジックファミリの、省スペース型シングルゲートデバイス. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14論理回路 = VHC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 8mA幅 = 4.5mm74VHCファミリ、ON Semiconductor. ON Semiconductor社のアドバンスド74VHC高速シリコンゲートCMOSロジックファミリ製品は、CMOS低電力損失の利点を維持しながら、同等のバイポーラ ショットキーTTLと同様の高速動作を提供します。. アドバンスド高速及び低電力CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 5.5 V 7 V許容入力

ロジックタイプ = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = 74HC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = 5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 110 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA幅 = 4mm74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = NAND実装タイプ = 表面実装ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = HC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = 5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 15 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA幅 = 4mm

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 16寸法 = 5.1 x 4.5 x 1.05mm動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +125 ℃動作温度 Min = -55 ℃74VHCファミリ、ON Semiconductor. ON Semiconductor社のアドバンスド74VHC高速シリコンゲートCMOSロジックファミリ製品は、CMOS低電力損失の利点を維持しながら、同等のバイポーラ ショットキーTTLと同様の高速動作を提供します。. アドバンスド高速及び低電力CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 5.5 V 7 V許容入力

ロジックタイプ = トランシーバインターフェース = バッファ&ラインドライバIC実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 35mA低レベル出力電流 Max = -35mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 165ns寸法 = 12.95 x 7.6 x 2.4mm動作供給電圧 Min = -0.5 V伝播遅延テスト条件 = 50pF高性能シリコンゲート CMOS 。MC74HC245A のピン配置は LS245 と同一です。デバイス入力は、標準 CMOS 出力と互換性があり、プルアップ抵抗器を備え、 LSTTL 出力と互換性があります。HC245A は、データバス間の双方向非同期通信に使用される 3 ステート非反転トランシーバです。このデバイスにはアクティブロー出力イネーブルピンがあり、 I/O ポートをハイインピーダンス状態にするために使用します。Direction コントロールは、データが A から B 、または B から A のどちらに流れるかを決定します出力駆動能力： 15 LSTTL 負荷 CMOS 、 NMOS 、 TTL との直接インターフェイスで出力 動作電圧範囲： 2 ～ 6 V 低入力電流： 1 mA 高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性 チップの複雑さ： 308 FET または 77 等価 Gates

論理回路 = HCTロジックタイプ = D タイプ入力タイプ = CMOS出力タイプ = TTL実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 141チップ当たりのエレメント数 = 2最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 36 ns @ 50 pF寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm幅 = 4mm74HCTファミリ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ入力タイプ = シュミットトリガ出力タイプ = バイポーラ ショットキー TTL1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18.5 ns @ 50 pF高レベル出力電流 Max = -8mA低レベル出力電流 Max = 8mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14論理回路 = VHC寸法 = 5.1 x 4.5 x 1.05mm高さ = 1.05mm長さ = 5.1mm74VHCファミリ、ON Semiconductor. ON Semiconductor社のアドバンスド74VHC高速シリコンゲートCMOSロジックファミリ製品は、CMOS低電力損失の利点を維持しながら、同等のバイポーラ ショットキーTTLと同様の高速動作を提供します。. アドバンスド高速及び低電力CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 5.5 V 7 V許容入力

ピン数 = 14実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm動作温度 Min = -55 ℃MC14016B クワッド双方向スイッチは、単一のモノリシック構造の MOS P チャンネル及び N チャンネル拡張モードデバイスで構成されています。各 MC14016B は、デジタルまたはアナログ信号を制御できる 4 つの独立したスイッチで構成されています。このクワッド双方向スイッチは、信号ゲート、チョッパ、変調器、復調器、 CMOS ロジックの実装に使用されます。すべての入力でダイオードを保護します 供給電圧範囲： 3.0 → 18 V dc 線形化された転送特性 低ノイズ - 12 nV/qルート(サイクル)、 f> = 1.0 kHz (標準) CD4016B 、 CD4066B のピン交換(注意：転送特性設計の改善により CD4016 よりも寄生カップリング静電容量が増大) 低 RON の場合は、 HC4016 高速 CMOS デバイスまたは MC14066B を使用します このデバイスには、 ESD 保護機能のない入力と出力があります。静電気防止対策を講じる必要があります。

ロジックタイプ = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14論理回路 = VHC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14.5 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 24mA幅 = 4.5mmMC74VHC00 は、シリコンゲート CMOS 技術で製造された Advanced High Speed CMOS 2 入力 NAND ゲートです。CMOS の低消費電力を維持しながら、同等のバイポーラショットキー TTL に匹敵する高速動作を実現しています。内部回路は、ノイズ耐性に優れ、出力が安定したバッファ出力をはじめとする 3 段階から構成されています。入力は最大 7 V の電圧に耐え、 5 V システムのインターフェイスを 3 V システムに対応できます。高速： tpd = 3.7 ns (標準) @ VCC = 5 V 低消費電力： ICC = 2 μ A (最大) @ TA = 25 C 高ノイズ耐性： VNIH = VNIL = 28 % VCC 入力にパワーダウン保護機能を実現 平衡伝搬遅延 2 → 5.5 V の動作範囲に対応する設計です 低ノイズ： VolP = 0.8 V (最大) 他の標準ロジックファミリと互換性があるピン配置及び機能 ラッチアップ性能は 300 mA を超えます ESD 性能： HBM> 2000V 、機械モデル> 200V チップの複雑さ： 32 FET または 8 つの同等の Gates

ピン数 = 16実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC寸法 = 10 x 4 x 1.75mm動作温度 Min = -55 ℃MC14051B 、 MC14052B 、および MC14053B アナログマルチプレクサは、デジタル制御のアナログスイッチです。MC14051B は、 SP8T ソリッドステートスイッチ、 MC14052B DP4T 、および MC14053B トリプル SPDT を効果的に実装しています。3 つのデバイスはすべて、低オンインピーダンスと非常に低いオフ漏洩電流を特長としています。完全な供給電圧範囲までのアナログ信号を制御できます。制御入力のトリプルダイオード保護 スイッチ機能はブレークビフォアメイクです 供給電圧範囲： 3.0 → 18 V dc アナログ電圧範囲( VDD - VEE ) = 3.0 → 18 V (注意)： VEE< は VSS にする必要があります 線形化された転送特性 低ノイズ - 12 nV/sqrt.Cycle， f< = 1.0 kHz 標準 CD4051 、 CD4052 、および CD4053 のピン間交換 4PDT スイッチについては、 MC14551B を参照してください 低 RON の場合は、 HC4051 、 HC4052 、または HC4053 高速 CMOS デバイスを使用します 鉛フリーパッケージを用意