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NTA7002NT1G onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 150 mA 表面実装パッケージSC-75 3 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET30 V 150 mA 表面実装パッケージSC-75 3 ピン

RoHS

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 150 mA●最大ドレイン-ソース間電圧： 30 V●パッケージタイプ： SC-75●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 7.5 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 1.5V●最大パワー消費： 300 mW●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -10 V， +10 V●幅： 0.9mm●高さ： 0.8mm●NチャンネルMOSFET(ショットキーダイオード付)●ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

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￥17,980 税込￥19,778

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NTA4153NT1G onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 915 mA 表面実装パッケージSC-75 3 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET20 V 915 mA 表面実装パッケージSC-75 3 ピン

RoHS

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 915 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SC-75。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -6 V， +6 V。幅 = 1.6mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルパワーMOSFET、20 V、ON Semiconductor

RoHS指令(10物質対応)対応

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NTE4153NT1G onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 915 mA 表面実装パッケージSOT-523 (SC-89) 3 ピン onsemi

onsemionsemi Nチャンネル MOSFET20 V 915 mA 表面実装パッケージSOT-523 (SC-89) 3 ピン

RoHS

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 915 mA●最大ドレイン-ソース間電圧： 20 V●パッケージタイプ： SOT-523 (SC-89)●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 950 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 1.1V●最低ゲートしきい値電圧： 0.45V●最大パワー消費： 300 mW●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： ±6 V●幅： 0.95mm●高さ： 0.8mm●20 V 915mA 小信号 MOSFET 230 m Ω ●シングル N チャンネル SC-89 ● ESD 保護機能付き低 RDS ( on )により●システム効率が向上します低しきい値電圧● 1.5 V 定格 ESD保護ゲート用途: 負荷 / 電源スイッチ電源変換回路バッテリマネージメント携帯電話● PDA ●デジタルカメラ●ポケットベルなどの携帯機器 RoHS指令(10物質対応)対応

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