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エコロジープロダクト
RoHS10物質対応(9)
「a23 12v」の検索結果
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 2.4 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥2,398税込￥2,638
1袋(100個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 2.4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●パッケージタイプ ： SOT-23●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 110 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 1.4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 0.6V●最大パワー消費 ： 480 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： ±12 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ ： 1.01mm●NチャンネルパワーMOSFET●30 V●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥99,980税込￥109,978
1セット(3000個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 2.4 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥399税込￥439
1袋(5個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 55 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 9 nC @ 4.5 Vmm高さ = 0.94mmPowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 2.4 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥399税込￥439
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.6V●最大連続ドレイン電流：2.4 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：9 nC @ 4.5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)55最大ゲート-ソース間電圧(V)-12 ， +12トランジスタ構成シングル
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 2.4 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥549税込￥604
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：2.4 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：12 nC @ 4.5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)52最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8トランジスタ構成シングル
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 5.8 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピンonsemi￥559税込￥615
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷シリーズPowerTrenchピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)5.8最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)43最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.6 W
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 4 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピンonsemi￥1,398税込￥1,538
1箱(20個)
5日以内出荷
仕様自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。シリーズPowerTrenchピン数(ピン)6動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)1.6チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)4最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、+12トランジスタ構成シングル
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥99,980税込￥109,978
1リール(3000個)
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷高さ(mm)0.94ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)500チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)2最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)80最小ゲートしきい値電圧(V)0.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12トランジスタ構成シングル
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 1.3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥879税込￥967
1袋(25個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 350 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.25V最低ゲートしきい値電圧 = 0.7V最大パワー消費 = 400 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = +12 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃V
RoHS指令(10物質対応)対応
