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onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547CTA onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547CTAonsemi
1,498税込1,648
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トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 200, 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
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onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC556ABU onsemionsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC556ABUonsemi
2,898税込3,188
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トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -65 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor
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onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC550CBU onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC550CBUonsemi
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トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
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onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC548CTA onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC548CTAonsemi
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トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor
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onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547CBU onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547CBUonsemi
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onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547BBU onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547BBUonsemi
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onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC559CTA onsemionsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC559CTAonsemi
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onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC550CTA onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC550CTAonsemi
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onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547CTFR onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547CTFRonsemi
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onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC548BTA onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC548BTAonsemi
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onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC556ABU onsemionsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC556ABUonsemi
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仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-65最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-80トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-100トランジスタタイプPNP最大動作周波数(MHz)10
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547BBU onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547BBUonsemi
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仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン200, 420最大動作周波数(MHz)1
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC559BTA onsemionsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC559BTAonsemi
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トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -30 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor
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onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC557BTA onsemionsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC557BTAonsemi
1,598税込1,758
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トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
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onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC556BTA onsemionsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC556BTAonsemi
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トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -65 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor
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onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547CTFR onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547CTFRonsemi
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トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 200, 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
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onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC550CTA onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC550CTAonsemi
2,998税込3,298
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トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
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onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC557BTF onsemionsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC557BTFonsemi
2,998税込3,298
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仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor寸法5.2 x 4.19 x 5.33mmピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-45最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-100トランジスタタイプPNP最大動作周波数(MHz)10
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547B onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547Bonsemi
1,898税込2,088
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仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V寸法(mm)4.58×3.86×4.58ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン200, 420最大動作周波数(MHz)300
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC549BTA onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC549BTAonsemi
3,298税込3,628
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仕様小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)30最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)30トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン200, 420最大動作周波数(MHz)1
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547BTA onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547BTAonsemi
559税込615
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仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン200, 420最大動作周波数(MHz)300
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC559CTA onsemionsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC559CTAonsemi
2,998税込3,298
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トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -30 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC557BTF onsemionsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC557BTFonsemi
2,998税込3,298
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トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
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onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547BTF onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547BTFonsemi
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トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 200, 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
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onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC546BTF onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC546BTFonsemi
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トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor
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onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547B onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547Bonsemi
1,898税込2,088
1袋(50個)
5日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 200, 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547CBU onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547CBUonsemi
3,198税込3,518
1箱(200個)
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V寸法4.58 x 3.86 x 4.58mmピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン200, 420最大動作周波数(MHz)1
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC556BTA onsemionsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC556BTAonsemi
1,498税込1,648
1箱(100個)
5日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-65最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-80トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-100トランジスタタイプPNP最大動作周波数(MHz)150
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547BTF onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547BTFonsemi
2,698税込2,968
1箱(200個)
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V寸法4.58 x 3.86 x 4.58mmピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン200, 420最大動作周波数(MHz)1
onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547CTA onsemionsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 100 mA, BC547CTAonsemi
1,498税込1,648
1箱(100個)
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン200, 420最大動作周波数(MHz)300
onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC557BTA onsemionsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -100 mA, BC557BTAonsemi
1,598税込1,758
1箱(100個)
5日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-45最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-50トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-100トランジスタタイプPNP最大動作周波数(MHz)150
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, BC858ALT1G onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, BC858ALT1Gonsemi
7,798税込8,578
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 225 mW最小DC電流ゲイン = 125トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, BC857CLT1G onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, BC857CLT1Gonsemi
239税込263
1袋(25個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BC848CLT1G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BC848CLT1Gonsemi
1,398税込1,538
1袋(250個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BC847CWT1G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BC847CWT1Gonsemi
11,980税込13,178
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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