「bc100」の検索結果

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-563実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = デュアルピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2ベースエミッタ抵抗器 = 10kΩこのシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 品番の先頭が「 S 」 / 「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

トランジスタタイプ = NPN/PNP最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-363実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 380 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 0.9 x 2 x 1.25mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、ON Semiconductor. デュアルトランジスタパッケージで、それぞれ1つのNPNデバイスとPNPデバイスを含みます。

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -30 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -30 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -65 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -65 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 200， 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 200， 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 200， 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 200， 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 200， 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 380 mW最小DC電流ゲイン = 220トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 380 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2.2 x 1.35 x 1.1mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 380 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 200， 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mmonsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 220トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 225 mW最小DC電流ゲイン = 125トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2.2 x 1.35 x 0.9mmPNP バイポーラ・トランジスタは、汎用アンプ・アプリケーション用に設計されています。低電力表面実装用途向けに設計された SOT-323/SC-70 パッケージに収められています。独自のサイトおよび制御変更要件を必要とする自動車およびその他のアプリケーション用の S および NSV プレフィックス、 PPAP 対応 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 220トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 Vパッケージタイプ = SOT-416 (SC-75)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 220トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1.65 x 0.9 x 0.9mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 225 mW最小DC電流ゲイン = 125トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 225 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3.04 x 2.64 x 1.11mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 225 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-416 (SC-75)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor