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  • onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 10 A, MJE200G onsemi

    onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 10 A, MJE200G

    onsemi
    3,398税込3,738
    1袋(25個)
    翌々日出荷
    仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 40 V●パッケージタイプ : TO-225●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 15 W●最小DC電流ゲイン : 45●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 25 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 8 V dc●最大動作周波数 : 10 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 7.8×3×11.1mm●バイポーラ・パワー・トランジスタは、低電圧、低消費電力、高利得オーディオ・アンプ・アプリケーション向けに設計されています。MJE200 ( NPN )と MJE210 ( PNP )は、補完的なデバイスです。高 DC 電流ゲイン 低コレクタ-エミッタ飽和電圧 高電流利得帯域幅製品 低漏洩のための環形構造 これらのデバイスは鉛フリーですRoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 12 A, FJP13009H2TU onsemi

    onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 12 A, FJP13009H2TU

    onsemi
    9,198税込10,118
    1セット(50個)
    5日以内出荷
    トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 12 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 100 W。最小DC電流ゲイン = 8, 15。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 8 A, 2SC5707-TL-E onsemi

    onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 8 A, 2SC5707-TL-E

    onsemi
    1,498税込1,648
    1袋(5個)
    5日以内出荷
    仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 50 V●パッケージタイプ : TP-FA●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 15 W●最小DC電流ゲイン : 200●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 6 V●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 4●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、1 A超、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 8 A, NJVMJD44H11T4G onsemi

    onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 8 A, NJVMJD44H11T4G

    onsemi
    899税込989
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V●パッケージタイプ : DPAK (TO-252)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 20 W●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 10 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 20 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 8 A, MJE18008G onsemi

    onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 8 A, MJE18008G

    onsemi
    2,298税込2,528
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 450 V●パッケージタイプ : TO-220AB●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 125 W●最小DC電流ゲイン : 14●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 10 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 9 V●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi LEDドライバ IC, 500mA, 1.13W, PWM 調光 8-Pin SOIC onsemi

    onsemi LEDドライバ IC, 500mA, 1.13W, PWM 調光 8-Pin SOIC

    onsemi
    1,598税込1,758
    1袋(10個)
    7日以内出荷
    仕様●出力電流 : 500mA●入力電圧 : 3.6 → 30 V●AC/DC入力電圧 : dc●減光操作 : PWM●最大出力パワー : 1.13W●用途 : バッテリバックアップ用途●パッケージタイプ : SOIC●ピン数 : 8●定格電流 : 500mA●自動車規格 : AEC-Q101●先頭にNSVの付いたメーカー品番は●AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor リニア LED ドライバRoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 8 A, 2N6043G onsemi

    onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 8 A, 2N6043G

    onsemi
    4,998税込5,498
    1セット(50個)
    7日以内出荷
    仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 60 V dc●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 75 W●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 60 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V dc●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 10.53×4.83×15.75mm●8 A 、 100 V NPN ダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプと低速度スイッチング用途向けに設計されています。2N60402N6042 ( PNP )、及び 2N60432N6045 ( NPN )はコンプリメンタリデバイスです。高 DC 電流ゲイン - hFE : 2500 (標準) @ IC : 4.0 ADC コレクタ - エミッタ維持電圧 - @100 mAdc-VCEO ( sus ) : 60 V dc (最小) - 2N60402N6043VCEO ( sus ) : 80 V dc (最小) - 2N60412N6044VCEO ( sus ) : 100 V dc (最小) - 2N60422N6045 低コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE (飽和) : 2.0 V dc (最大) @ IC : 4.0 ADC - 2N6040412N604344 VCE (飽和) : 2.0 V dc (最大) @ IC : 3.0 ADC - 2N60422N6045 ベースエミッタシャント抵抗器を内蔵したモノリシック構造 鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -5 A, MJD210G onsemi

    onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -5 A, MJD210G

    onsemi
    4,398税込4,838
    1セット(75個)
    7日以内出荷
    仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -25 V●パッケージタイプ : DPAK (TO-252)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 12.5 W●最小DC電流ゲイン : 45●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 40 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 8 V dc●最大動作周波数 : 10 MHz●ピン数 : 3 + Tab●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 6.73×2.38×6.22mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -5 A, MJD210T4G onsemi

    onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -5 A, MJD210T4G

    onsemi
    789税込868
    1袋(10個)
    7日以内出荷
    仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -25 V●パッケージタイプ : DPAK (TO-252)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 12.5 W●最小DC電流ゲイン : 45●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 40 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 8 V●最大動作周波数 : 10 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 8 A, MJE15028G onsemi

    onsemi トランジスタ, NPN, スルーホール, 8 A, MJE15028G

    onsemi
    7,998税込8,798
    1セット(50個)
    7日以内出荷
    仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 120 V●パッケージタイプ : TO-220AB●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 50 W●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 120 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 30 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 9.28×10.28×4.82mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -8 A, MJE15031G onsemi

    onsemi トランジスタ, PNP, スルーホール, -8 A, MJE15031G

    onsemi
    8,098税込8,908
    1セット(50個)
    7日以内出荷
    仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -150 V●パッケージタイプ : TO-220AB●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 50 W●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 150 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 30 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
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