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onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 10 A， MJE200G
onsemi
￥2,998税込￥3,298
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 40 V●パッケージタイプ： TO-225●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 15 W●最小DC電流ゲイン： 45●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 25 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧： 8 V dc●最大動作周波数： 10 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●寸法： 7.8×3×11.1mm●バイポーラ・パワー・トランジスタは、低電圧、低消費電力、高利得オーディオ・アンプ・アプリケーション向けに設計されています。MJE200 ( NPN )と MJE210 ( PNP )は、補完的なデバイスです。高 DC 電流ゲイン低コレクタ-エミッタ飽和電圧高電流利得帯域幅製品低漏洩のための環形構造これらのデバイスは鉛フリーですRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 12 A， FJP13009H2TU
onsemi
￥8,498税込￥9,348
1セット(50個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 12 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 100 W。最小DC電流ゲイン = 8， 15。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN，表面実装， 8 A， NJVMJD44H11T4G
onsemi
￥1,098税込￥1,208
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 80 V●パッケージタイプ： DPAK (TO-252)●実装タイプ：表面実装●最大パワー消費： 20 W●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 10 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●最大動作周波数： 20 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 8 A， MJE18008G
onsemi
￥2,498税込￥2,748
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 450 V●パッケージタイプ： TO-220AB●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 125 W●最小DC電流ゲイン： 14●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 10 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧： 9 V●最大動作周波数： 1 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN，表面実装， 8 A， 2SC5707-TL-E
onsemi
￥1,498税込￥1,648
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 50 V●パッケージタイプ： TP-FA●実装タイプ：表面実装●最大パワー消費： 15 W●最小DC電流ゲイン： 200●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 6 V●最大動作周波数： 1 MHz●ピン数： 4●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、1 A超、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi LEDドライバ IC， 500mA， 1.13W， PWM 調光 8-Pin SOIC
onsemi
￥999税込￥1,099
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●出力電流： 500mA●入力電圧： 3.6 → 30 V●AC/DC入力電圧： dc●減光操作： PWM●最大出力パワー： 1.13W●用途：バッテリバックアップ用途●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●定格電流： 500mA●自動車規格： AEC-Q101●先頭にNSVの付いたメーカー品番は●AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor リニア LED ドライバRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 8 A， 2N6043G
onsemi
￥5,398税込￥5,938
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 60 V dc●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 75 W●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 60 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V dc●最大動作周波数： 1 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●寸法： 10.53×4.83×15.75mm●8 A 、 100 V NPN ダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプと低速度スイッチング用途向けに設計されています。2N60402N6042 ( PNP )、及び 2N60432N6045 ( NPN )はコンプリメンタリデバイスです。高 DC 電流ゲイン - hFE ： 2500 (標準) @ IC ： 4.0 ADC コレクタ - エミッタ維持電圧 - @100 mAdc-VCEO ( sus ) ： 60 V dc (最小) - 2N60402N6043VCEO ( sus ) ： 80 V dc (最小) - 2N60412N6044VCEO ( sus ) ： 100 V dc (最小) - 2N60422N6045 低コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE (飽和) ： 2.0 V dc (最大) @ IC ： 4.0 ADC - 2N6040412N604344 VCE (飽和) ： 2.0 V dc (最大) @ IC ： 3.0 ADC - 2N60422N6045 ベースエミッタシャント抵抗器を内蔵したモノリシック構造鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， PNP，表面実装， -5 A， MJD210G
onsemi
￥4,198税込￥4,618
1セット(75個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -25 V●パッケージタイプ： DPAK (TO-252)●実装タイプ：表面実装●最大パワー消費： 12.5 W●最小DC電流ゲイン： 45●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 40 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧： 8 V dc●最大動作周波数： 10 MHz●ピン数： 3 + Tab●1チップ当たりのエレメント数： 1●寸法： 6.73×2.38×6.22mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， PNP，表面実装， -5 A， MJD210T4G
onsemi
￥899税込￥989
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -25 V●パッケージタイプ： DPAK (TO-252)●実装タイプ：表面実装●最大パワー消費： 12.5 W●最小DC電流ゲイン： 45●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 40 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧： 8 V●最大動作周波数： 10 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 8 A， MJE15028G
onsemi
￥7,298税込￥8,028
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 120 V●パッケージタイプ： TO-220AB●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費： 50 W●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧： 120 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●最大動作周波数： 30 MHz●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●寸法： 9.28×10.28×4.82mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタRoHS指令(10物質対応)対応