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onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BC847BDW1T1G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BC847BDW1T1Gonsemi
14,980税込16,478
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-363実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 380 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.9 x 2 x 1.25mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN/PNP, 表面実装, 100 mA, MUN5335DW1T1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN/PNP, 表面実装, 100 mA, MUN5335DW1T1Gonsemi
1,598税込1,758
1袋(100個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN/PNP最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-363実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 385 mW最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 Vピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN/PNP, 表面実装, 100 mA, BC847BPDW1T1G onsemionsemi トランジスタ, NPN/PNP, 表面実装, 100 mA, BC847BPDW1T1Gonsemi
19,980税込21,978
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN/PNP最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-363実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 380 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 0.9 x 2 x 1.25mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、ON Semiconductor. デュアルトランジスタパッケージで、それぞれ1つのNPNデバイスとPNPデバイスを含みます。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5233DW1T1G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5233DW1T1Gonsemi
1,798税込1,978
1袋(100個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-363実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 Vピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mmこのシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BC846BDW1T1G onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BC846BDW1T1Gonsemi
14,980税込16,478
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 380 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5235DW1T1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, MUN5235DW1T1Gonsemi
1セット(3000個)
取扱停止中
トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 256 mWトランジスタ構成 = 絶縁型ピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2標準抵抗比 = 0.047mmデュアル抵抗デュアルデジタルトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, BC857BDW1T1G onsemionsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, BC857BDW1T1Gonsemi
459税込505
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7日以内出荷
トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 380 mW最小DC電流ゲイン = 220トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN/PNP, 表面実装, 100 mA, MUN5312DW1T1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN/PNP, 表面実装, 100 mA, MUN5312DW1T1Gonsemi
21,980税込24,178
1セット(3000個)
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN/PNP最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型ピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2標準抵抗比 = 1mmデュアル抵抗デュアルデジタルトランジスタ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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