「esd-2」の検索結果

ダイオード構成 = コンプレックスアレイ最大クランピング電圧 = 20V最小ブレークダウン電圧 = 6.8V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 8ピークパルスパワー消費 = 2000W最大ピークパルス電流 = 100AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 5動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 4mm高電流落雷保護、ON Semiconductor

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 10.5V最小ブレークダウン電圧 = 5V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-923最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 0.3W最大ピークパルス電流 = 10.5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 0.65mm低静電容量ESD保護アレイ

ロジックタイプ = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 5論理回路 = TinyLogic HS動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -2.6mA動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 2.6mA幅 = 1.7mmTinyLogic HS、Fairchild Semiconductor. アドバンスド高速及び低電力CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 6.0 ESD保護ダイオード

レギュレータタイプ = バックブーストスイッチングmA出力電圧 = 50 mV実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8出力タイプ = 固定最大スイッチング周波数 = 100 kHzスイッチングレギュレータ = あり寸法 = 5 x 4 x 1.5mm動作温度 Min = -55 ℃mm幅 = 4mm低入力オフセット電圧： 0.5 mV (標準 入力コモンモード範囲にはアースが含まれています 低静止電流： VCC = 5V でオペアンプあたり 75 μ A 大出力電圧スイング 広い電源電圧範囲： 3 → 36 V 高 ESD 保護： 2 kV 最終製品 バッテリ充電器 用途 スイッチモード電源

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 8.7V最小ブレークダウン電圧 = 5.89V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 3Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 24W最大ピークパルス電流 = 2.7AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 1.4mmTVSデュアルコモンアノードツェナー、ON Semiconductor. コモンアノード構成のデュアル表面実装TVS 自動挿入に最適 低漏洩

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 14.1V最小ブレークダウン電圧 = 5V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-523最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 200W最大ピークパルス電流 = 11.2AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 0.6mmESD保護用過渡電圧サプレッサ、ESD5Zシリーズ. ON Semiconductor ESD5Z シリーズは、電圧の影響を受けやすいコンポーネントを ESD や過渡電圧イベントから保護できるようになっているマイクロ過渡電圧サプレッサです。このデバイスは、優れたクランプ機能を備え、高速な応答時間と低漏洩電流が特長で、 ESD 保護に最適です。コンパクトなサイズで、基板スペースが限られている場所の省スペースに最適です。. 用途. - ポータブルデバイス - 携帯電話 - デジタルカメラ - 電源. 規格. - IEC61000-4-2 レベル 4 ESD 保護 -IEC61000-4-4 レベル 4 EFT 保護 - クラス 3 の ESD 定格

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 10.9V最小ブレークダウン電圧 = 4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-523最大逆スタンドオフ電圧 = 2.5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 120W最大ピークパルス電流 = 11AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm幅 = 0.9mm240 W過渡電圧サプレッサダイオード、ESD保護用. ON Semiconductor ESD5Z シリーズは、電圧の影響を受けやすいコンポーネントを ESD や過渡電圧イベントから保護できるようになっているマイクロ過渡電圧サプレッサです。このデバイスは、優れたクランプ機能を備え、高速な応答時間と低漏洩電流が特長で、 ESD 保護に最適です。コンパクトなサイズで、基板スペースが限られている場所の省スペースに最適です。. 用途. 携帯機器 - 携帯電話 - デジタルカメラ - 電源. 規格. - IEC61000-4-2 レベル 4 ESD 保護 -IEC61000-4-4 レベル 4 EFT 保護 - クラス 3 の ESD 定格

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 38V最小ブレークダウン電圧 = 25.65V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 40W最大ピークパルス電流 = 1AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 1.4mm

ダイオード構成 = コモンアノード最大クランピング電圧 = 46V最小ブレークダウン電圧 = 31.35V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 26Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 40W最大ピークパルス電流 = 0.87AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 1.4mmTVSデュアルコモンアノードツェナー、ON Semiconductor. コモンアノード構成のデュアル表面実装TVS 自動挿入に最適 低漏洩

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 40V最小ブレークダウン電圧 = 25.65V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 22Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 40W最大ピークパルス電流 = 1AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 1.3mm40 Wデュアルツェナートランジェント電圧サプレッサ、ON Semiconductor. ESD保護のためのSOT-23デュアルコモンアノードツェナー。 コンピュータ、プリンタ、ビジネスマシン、通信システム、医療機器など、電圧や静電気放電に敏感な機器で使用。

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 12.5V最小ブレークダウン電圧 = 5.8V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-923最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 0.3W最大ピークパルス電流 = 12.5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm自動車規格 = AEC-Q101pF低静電容量ESD保護アレイ

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 10.4V最小ブレークダウン電圧 = 5V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-923最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 102W最大ピークパルス電流 = 9.8AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 0.85 x 0.65 x 0.43mm自動車規格 = AEC-Q101pF低静電容量ESD保護アレイ

ロジックタイプ = インバータ出力タイプ = LSTTL1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = なし最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 105 ns @ 50 pF高レベル出力電流 Max = -5.2mA低レベル出力電流 Max = 5.2mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14論理回路 = LS寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 4mm74HCUファミリ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック(バッファなし) 供給電圧Vcc範囲: 2.0 → 6.0 V シンク又はソース: 4 mA @ Vcc = 4.5 V ESD保護は、JESD22の200 Vマシンモデル(A115-A)、2000 V人体モデル(A114-A)、1000 V帯電デバイスモデルに対応

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = WLCSPピン数 = 6寸法 = 1.5 x 1 x 0.33mm長さ = 1.5mm幅 = 1mm高さ = 0.33mm動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 1.5 V動作温度 Min = -40 ℃DISO ロードスイッチ 入力電源動作電圧範囲： 1.5 → 5.5 V RON 50 m Ω @ VIN = 3.3 V / チャンネル(標準) 真の逆流防止( TRCB ) 1< μ F の出力で 130 μ s に制御される固定スルーレート ISW ：チャネルあたり 1.5 A (最大) FPF1321 の急速放電機能 ESD 保護： 人体モデル>： 6 kV 充電済みデバイスモデル>： 1.5 kV IEC 61000-4-2 空中放電：> 15 kV IEC 61000-4-2 接触放電：> 8 kV 用途 スマートフォン / タブレット PC 携帯機器 近距離無線通信( NFC )に対応しています SIM カード電源

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 5 x 4 x 1.5mm長さ = 5mm幅 = 4mm高さ = 1.5mm動作供給電圧 Max = 51 V動作温度 Max = +150 ℃動作供給電圧 Min = 42 V動作温度 Min = -55 ℃自動車規格 = AEC-Q100NCV8402 は、 3 Terminal Protection を備えた 2 チャンネルのローサイドスマートディスクリートデバイスです。保護機能には、過電流、過熱、 ESD 、過電圧保護用のドレイン - ゲート間クランプの機能が内蔵されています。このデバイスは保護機能を備え、過酷な車載環境に適しています。短絡保護 自動再起動によるサーマルシャットダウン 誘導型スイッチング用の一体型クランプ ESD保護 dV/dt 耐久性 アナログドライブ機能(ロジックレベル入力) 工場及び変更管理を必要とする車載などの用途には先頭に「 NCV 」の文字を使用します 最終製品 自動車 用途 さまざまな抵抗負荷、誘導負荷、静電容量負荷を切り替えます 電気機械式リレーとディスクリート回路を交換可能 ランプドライバ リレードライバ