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onsemi ツェナーダイオード 7.5V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 7.5V 表面実装 200 mWonsemi
1,398税込1,538
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5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 7.5V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 14Ω最大逆漏れ電流 = 900nA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 3.6V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 3.6V 表面実装 200 mWonsemi
1,398税込1,538
1セット(200個)
5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 3.6V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 84Ω最大逆漏れ電流 = 4.5μA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 3.6V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 3.6V 表面実装 200 mWonsemi
1,298税込1,428
1セット(200個)
5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 3.6V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 84Ω最大逆漏れ電流 = 4.5μA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 5.1V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 5.1V 表面実装 200 mWonsemi
1,198税込1,318
1セット(200個)
5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 56Ω最大逆漏れ電流 = 1.8μA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 3.3V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 3.3V 表面実装 200 mWonsemi
11,980税込13,178
1セット(3000個)
5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 3.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 89Ω最大逆漏れ電流 = 4.5μA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 5.6V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 5.6V 表面実装 200 mWonsemi
1,498税込1,648
1袋(200個)
5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 5.6V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 37Ω最大逆漏れ電流 = 900nA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 2.4V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 2.4V 表面実装 200 mWonsemi
1,398税込1,538
1セット(200個)
5日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 2.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 94Ω最大逆漏れ電流 = 45μA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 4.7V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 4.7V 表面実装 200 mWonsemi
1,098税込1,208
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仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F寸法1.3 x 1.7 x 1mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)5最大逆漏れ電流(μA)2.7最大パワー消費(mW)200ツェナー電圧許容性(%)2最大ツェナーインピーダンス(Ω)75
onsemi ツェナーダイオード 5.6V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 5.6V 表面実装 200 mWonsemi
1,498税込1,648
1箱(200個)
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仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F寸法1.3 x 1.7 x 1mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)5最大パワー消費(mW)200最大逆漏れ電流(nA)900ツェナー電圧許容性(%)2最大ツェナーインピーダンス(Ω)37
onsemi ツェナーダイオード 3.6V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 3.6V 表面実装 200 mWonsemi
1,398税込1,538
1セット(200個)
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仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F寸法1.3 x 1.7 x 1mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)5最大逆漏れ電流(μA)4.5最大パワー消費(mW)200ツェナー電圧許容性(%)2最大ツェナーインピーダンス(Ω)84
onsemi ツェナーダイオード 5.1V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 5.1V 表面実装 200 mWonsemi
1,198税込1,318
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仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F寸法1.3 x 1.7 x 1mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装テスト電流(mA)5最大逆漏れ電流(μA)1.8最大パワー消費(mW)200ツェナー電圧許容性(%)2最大ツェナーインピーダンス(Ω)56
onsemi ツェナーダイオード 3.3V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 3.3V 表面実装 200 mWonsemi
1,398税込1,538
1箱(200個)
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仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F寸法1.3 x 1.7 x 1mmピン数(ピン)2動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)5最大逆漏れ電流(μA)4.5最大パワー消費(mW)200ツェナー電圧許容性(%)2最大ツェナーインピーダンス(Ω)89ツェナー電圧(V)標準3.3
onsemi ツェナーダイオード 15V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 15V 表面実装 200 mWonsemi
1,298税込1,428
1箱(200個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F寸法1.3 x 1.7 x 1mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)5最大パワー消費(mW)200最大逆漏れ電流(nA)45ツェナー電圧許容性(%)2最大ツェナーインピーダンス(Ω)28
onsemi ツェナーダイオード 4.7V 表面実装 200 mW onsemionsemi ツェナーダイオード 4.7V 表面実装 200 mWonsemi
1,098税込1,208
1セット(200個)
7日以内出荷
標準ツェナー電圧 = 4.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 75Ω最大逆漏れ電流 = 2.7μA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F
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