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仕様小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductor ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)120 最大パワー消費(mW)300 最大エミッタ-ベース間電圧(V)5 最大コレクタ-ベース間電圧(V)120 トランジスタ構成シングル 最大DCコレクタ電流(mA)50 トランジスタタイプNPN 最小DC電流ゲイン300 最大動作周波数(MHz)110
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トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 50 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 300。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 110 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 2.9 x 1.3 x 1.04mm。小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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