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ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 15 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。幅 = 4mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(55個)
3,500 税込3,850
7日以内出荷

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 20 ns @ 15 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。幅 = 4mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
1,698 税込1,868
5日以内出荷

ロジックタイプ = インバータ。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HCT。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = 4.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 15 pF。動作供給電圧 Min = 4.5 V。低レベル出力電流 Max = 4.8mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
1,798 税込1,978
5日以内出荷

ロジックタイプ = インバータ。入力タイプ = シュミットトリガ。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = あり。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 10 V, 250 ns @ 5 V, 80 ns @ 15 V。高レベル出力電流 Max = -4.2mA。低レベル出力電流 Max = 4.2mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 4000。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。幅 = 4mm。4000シリーズインバータ及びバッファ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
76,980 税込84,678
7日以内出荷

論理回路 = LCX。ロジックタイプ = バッファ。チャンネル数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = CMOS、シングルエンド。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSOP。ピン数 = 6。高レベル出力電流 Max = -32mA。低レベル出力電流 Max = 32mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10.2 ns @ 15 pF。動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm。幅 = 1.7mm。NL27Wシリーズ、ON Semiconductor. LVTTL互換の入力及び出力を備えているCMOSロジックゲートであり、74LCXデバイスよりも高速で大きな駆動能力を提供します。. 幅広い動作供給電圧: 1.65 → 5.5 V LVCMOS互換 3.0 Vで24 mAのソース / シンク容量
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
43,980 税込48,378
7日以内出荷

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 50V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ファストリカバリー。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 920mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 15ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
2,998 税込3,298
5日以内出荷

ロジックタイプ = インバータ シュミット トリガー。入力タイプ = シュミットトリガ。出力タイプ = CMOS。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = あり。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 50 pF。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 74AC。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。幅 = 4mm。MC74ACファミリ、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(55個)
2,998 税込3,298
7日以内出荷

ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 6 V, 18 ns @ 4.5 V, 90 ns @ 2 V。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。幅 = 4mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
579 税込637
5日以内出荷

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 50ns。最大入力電流 = 15 mA。絶縁電圧 = 3750 V ac。論理出力 = あり。標準降下時間 = 12ns。シリーズ = HCPL。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,598 税込2,858
5日以内出荷

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 50ns。最大入力電流 = 15 mA。絶縁電圧 = 3.75 kVrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 12ns。シリーズ = HCPL。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
529 税込582
5日以内出荷

実装タイプ = 表面実装。シュミットトリガ入力 = あり。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HCT。入力タイプ = シュミットトリガ。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = 4.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 15 pF。動作供給電圧 Min = 4.5 V。低レベル出力電流 Max = 4.8mA。幅 = 4mm。MM74HCT14 は、 Advanced シリコンゲート CMOS 技術を使用して、標準 CMOS の低電力損失と高いノイズ耐性を実現し、 10 個の LS-TTL 負荷を駆動できます。74HCT ロジックファミリは、機能的かつピン配列で、標準 74LS ロジックファミリと互換性があります。VCC とアースへの内部ダイオードクランプにより、静電放電によって入力が損傷から保護されます。標準伝搬遅延: 13 ns 広い電源電圧範囲: 4.5V ~ 5.5V 低静止電流:最大 10 μ A 低入力電流:最大 1 μ A LS-TTL 負荷 10 個のファンアウト 標準ヒステリシス電圧: 0.6 V @ VCC = 4.5 V TTL 、 LS ピン配列、及び入力しきい値に対応 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(55個)
3,298 税込3,628
7日以内出荷

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = IGBT, MOSFET。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。標準上昇時間 = 60ns。最大入力電流 = 16 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 60ns。シリーズ = FOD。35kv/ μ s の最小コモンモード除去を特徴とする高ノイズ耐性 2.5 A Peak 出力電流駆動機能により、ほとんどの 800 V / 20 A IGBT に対応しています 出力段で P チャンネル MOSFET を使用することで、電源レールの近くで出力電圧スイングが可能になります 幅広い供給電圧範囲: 15 → 30 V 高速スイッチング速度 最大伝搬遅延: 400 ns 最大パルス幅歪み: 100 ns 低電圧ロックアウト( UVLO )(ヒステリシスあり 産業用拡張温度範囲: -40 → 100 ° C RDS ( ON ): 3 Ω (標準)の低消費電力を実現します >8.0 mm クリアランスおよび沿面距離 ( オプション「 T 」 ) 無停電電源 産業用インバータ 絶縁 IGBT / パワー MOSFET ゲートドライブ 誘導加熱 用途 AC-DC 加盟店用電源 エネルギーの生成と分配 産業用モータ 無停電電源
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,998 税込2,198
7日以内出荷

仕様●ロジックタイプ : AND●実装タイプ : 表面実装●エレメント数 : 4●ゲートあたりの入力数 : 2●シュミットトリガ入力 : なし●パッケージタイプ : SOIC●ピン数 : 14●論理回路 : 4000●動作供給電圧 Max : 18 V●高レベル出力電流 Max : -4.2mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL : 100 ns @ 15 V, 130 ns @ 10 V, 300 ns @ 5 V●動作供給電圧 Min : 3 V●低レベル出力電流 Max : 4.2mA●動作温度 Max : +125 ℃pF●4000シリーズロジックゲート●ON Semiconductors RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(55個)
2,998 税込3,298
7日以内出荷

仕様論理回路:HCT 高さ(mm)1.5 タイプロジック:インバータ 入力種類CMOS ピン数(ピン)14 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)(Min)4.5 、(Max)5.5 低レベル出力電流(mA)(Max)4.8 高レベル出力電流(mA)(Max)4.8 最大伝播遅延時間@最大CL18 ns @ 15 pF
1箱(25個)
1,798 税込1,978
7日以内出荷

仕様論理回路:HCT 高さ(mm)1.5 入力種類シュミットトリガ ピン数(ピン)14 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)(Min)4.5 、(Max)5.5 低レベル出力電流(mA)(Max)4.8 高レベル出力電流(mA)(Max)4.8 最大伝播遅延時間@最大CL18 ns @ 15 pF シュミットトリガー入力あり
1箱(25個)
1,498 税込1,648
7日以内出荷

仕様論理回路:HC タイプロジック:AND 入力種類CMOS ピン数(ピン)14 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6 低レベル出力電流(mA)(Max)5.2 高レベル出力電流(mA)(Max)5.2 最大伝播遅延時間@最大CL20 ns @ 15 pF ゲートあたりの入力数2 出力タイプLSTTL
1箱(25個)
1,698 税込1,868
7日以内出荷

仕様MM74HC00 NAND Gates は、 Advanced Silicon Gate CMOS テクノロジーを使用し、標準 CMOS 集積回路の低電力消費で LS-TTL Gates と同様の動作速度を実現します。Gates はすべて、バッファ出力を備えています。すべてのデバイスはノイズ耐性に優れ、 10 個の LS-TTL 負荷を駆動できます Ability74HC ロジックファミリは、標準 74LS ロジックファミリと機能的で、ピン配列互換です。VCC とアースに内蔵ダイオードクランプを印加するこ 高さ(mm)1.5 タイプロジック:NAND 入力種類CMOS ピン数(ピン)14 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6 低レベル出力電流(mA)(Max)5.2 高レベル出力電流(mA)(Max)5.2 最大伝播遅延時間@最大CL15 ns @ 15 pF ゲートあたりの入力数2
1箱(25個)
1,598 税込1,758
7日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A ピン数(ピン)2 ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル 整流方式スイッチング RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大順方向降下電圧(mV)920 ピーク逆繰返し電圧(V)200 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30 最大連続順方向電流(A)1 ピーク逆回復時間(ns)15
1箱(10個)
379 税込417
5日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A ピン数(ピン)2 ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル 整流方式ファストリカバリー RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大順方向降下電圧(mV)920 ピーク逆繰返し電圧(V)100 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30 最大連続順方向電流(A)1 ピーク逆回復時間(ns)15
1箱(100個)
2,198 税込2,418
5日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A ピン数(ピン)2 ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル 整流方式ファストリカバリー RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大順方向降下電圧(mV)920 ピーク逆繰返し電圧(V)50 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30 最大連続順方向電流(A)1 ピーク逆回復時間(ns)15
1箱(100個)
2,998 税込3,298
5日以内出荷

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -160 V。パッケージタイプ = TP-FA。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 15 W。最小DC電流ゲイン = 140。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -180 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V。最大動作周波数 = 120 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、1 A超、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(10個)
1,598 税込1,758
7日以内出荷

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