「ns-30」の検索結果

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = ロジックゲート最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 30ns最大入力電流 = 30 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms論理出力 = あり標準降下時間 = 10nsシリーズ = 6N137オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

ロジックタイプ = インバータ1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = なし最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.2 ns @ 30 pF高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = S70ピン数 = 5論理回路 = LVCMOS寸法 = 2 x 1.25 x 1mm動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm幅 = 1.25mmTinyLogic ULP-A、Fairchild Semiconductor

ロジックタイプ = インバータ入力タイプ = シュミットトリガ1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 46.3 ns @ 30 pF高レベル出力電流 Max = -2.6mA低レベル出力電流 Max = 2.6mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = S70ピン数 = 5論理回路 = LVCMOS寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mm高さ = 0.9mm長さ = 2mmTinyLogic ULP、Fairchild Semiconductor

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SC-70ピン数 = 5論理回路 = TinyLogic ULP-A入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 3.6 V高レベル出力電流 Max = -24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.3 ns @ 30 pF動作供給電圧 Min = 0.9 V低レベル出力電流 Max = 24mA寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mmTinyLogic ULP-A、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = 光電センサ最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 30ns最大入力電流 = 200 mA絶縁電圧 = 5000 V ac論理出力 = あり標準降下時間 = 10nsシリーズ = 6N137特殊機能 = コンピュータ周辺機器インターフェイス、データ多重化、パルストランス代替品オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

論理回路 = LCXロジックタイプ = バストランシーバ1チップ当たりのエレメント数 = 2回路数 = 16極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20入力レベル = TTL出力レベル = LVCMOS高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8.4 ns @ 30 pF幅 = 4.5mm74LCXファミリ、ON Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 900mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク逆回復時間 = 30nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 80AFairchild Semiconductorショットキーバリア整流器ダイオード、シングル

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 400Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 150nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30AFairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 50Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ファストリカバリーダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 920mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 15nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30AFairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A

実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-41最大連続 順方向電流 1Aピーク逆繰返し電圧 1000Vダイオード構成 シングル整流タイプ スイッチングダイオードタイプ 整流器ピン数 2最大順方向降下電圧 1.7V1チップ当たりのエレメント数 1ダイオードテクノロジー シリコンジャンクションピーク逆回復時間 75ns直径 2.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 30AON Semi UF4001-UF4007 高速整流器. ON Semiconductor UF4001 UF4007 シリーズは、DO-41(DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1Aガラス不動態化接合整流器は、信頼性の高い汎用部品で、さまざまな用途に使用できます。. 特長： 低い順方向電圧降下 高サージ電流能力 大電流対応 ガラス不動態化接合整流器とは? これらのデバイスは、ダイオードの周囲に非活性化ガラスの層を備えています。ガラス不動態化接合整流器は、多くの場合、高い逆電圧抵抗を実現し、時に漏洩を軽減することができます。 動作ジャンクション温度はどのくらいですか? -65 +150 最大繰り返しの逆電圧は何ですか? UF4001 50 UF4002 100 UF4003 200 UF4004 400 UF4005 600 UF4006 800 UF4007 1000 V

論理回路 = 4000ロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 6入力タイプ = CMOS極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16高レベル出力電流 Max = -4.7mA低レベル出力電流 Max = 30mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 140 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = +18 Vmm幅 = 4mm4000シリーズインバータ及びバッファ、ON Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = IGBT， MOSFET最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = PDIP標準上昇時間 = 60ns最大入力電流 = 16 mA絶縁電圧 = 5 kVrms論理出力 = あり標準降下時間 = 60nsシリーズ = FOD35kv/ μ s の最小コモンモード除去を特徴とする高ノイズ耐性 2.5 A Peak 出力電流駆動機能により、ほとんどの 800 V / 20 A IGBT に対応しています 出力段で P チャンネル MOSFET を使用することで、電源レールの近くで出力電圧スイングが可能になります 幅広い供給電圧範囲： 15 → 30 V 高速スイッチング速度 最大伝搬遅延： 400 ns 最大パルス幅歪み： 100 ns 低電圧ロックアウト( UVLO )(ヒステリシスあり 産業用拡張温度範囲： -40 → 100 ° C RDS ( ON )： 3 Ω (標準)の低消費電力を実現します >8.0 mm クリアランスおよび沿面距離 ( オプション「 T 」 ) 無停電電源 産業用インバータ 絶縁 IGBT / パワー MOSFET ゲートドライブ 誘導加熱 用途 AC-DC 加盟店用電源 エネルギーの生成と分配 産業用モータ 無停電電源