「ns2」の検索結果

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 121 ns @ 2 V， 20 ns @ 6 V， 24 ns @ 4.5 V。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = インバータ。入力タイプ = シュミットトリガ。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = あり。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 125 ns @ 2 V， 21 ns @ 6 V， 25 ns @ 4.5 V。高レベル出力電流 Max = -5.2mA。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-523。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 高速。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500mA。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 6 V， 18 ns @ 4.5 V， 90 ns @ 2 V。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。幅 = 4mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = HC。ロジックタイプ = バストランシーバ。1チップ当たりのエレメント数 = 1。回路数 = 8。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC W。ピン数 = 20。入力レベル = CMOS。出力レベル = CMOS。高レベル出力電流 Max = -7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 96 ns @ 2 V。寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シリーズ。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シリーズ。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 120V。ダイオード構成 = シリーズ。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオード。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-80。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = AC。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10ns。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 24mA。幅 = 4mm。74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = NOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 113ns。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。幅 = 4mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = OR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = ACT。入力タイプ = TTL。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10ns。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 24mA。幅 = 4mm。74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 120V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオード。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

ロジックタイプ = バッファ。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 6。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。論理回路 = LCX。動作供給電圧 Max = 5.5 V。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 3.7 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 32mA。幅 = 4.5mm

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 158ns。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = HC。ロジックタイプ = バッファ， ラインドライバ。インターフェース = バッファ&ラインドライバIC。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC W。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = -7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 165 ns @ 2 V。寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm。動作供給電圧 Min = 2 V。伝播遅延テスト条件 = 150pF。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ファストリカバリー。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 900mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 900mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor

ロジックタイプ = インバータ シュミット トリガー。入力タイプ = CMOS。出力タイプ = CMOS。1チップ当たりのエレメント数 = 6。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 188 ns @ 50 pF。高レベル出力電流 Max = -5.2mA。低レベル出力電流 Max = 4mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 74HC。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。高さ = 1.5mm。幅 = 4mm。MM74HC14 は、 Advanced Silicon Gate CMOS テクノロジーを使用することで、標準 CMOS の低電力損失と高ノイズ耐性を実現するだけでなく、 10 LS-TTL 負荷を駆動できます。74HC ロジックファミリは、標準 74LS ロジックファミリと機能的かつピン配列が互換性があります。VCC とアースに内蔵ダイオードクランプを印加することにより、すべての入力が静電気放電によって損傷から保護されます。標準伝搬遅延： 13 ns 広い電源範囲： 2 → 6 V 低静止電流：最大 20 μ A (74HC シリーズ ) 低入力電流：最大 1 μ A LS-TTL 負荷 10 個のファンアウト 標準ヒステリシス電圧： 0.9 V @ VCC = 4.5 V 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 20 ns @ 15 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。幅 = 4mm

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 950mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor

ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = あり。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。入力タイプ = シュミットトリガ。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 186 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = VHC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 8mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = LCX。ロジックタイプ = D タイプ。出力タイプ = 3ステート。トリガータイプ = 正エッジ。極性 = 反転， 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。セット/リセット = Yes。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8ns。動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm。幅 = 4.4mm。74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = HC。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。ロジックタイプ = バッファmm。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。伝播遅延テスト条件 = 45pF。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 45 pF。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 2 V。動作温度 Min = -40 ℃

論理回路 = LCX。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。ロジックタイプ = バッファmm。低レベル出力電流 Max = 24mA。高レベル出力電流 Max = -24mA。伝送 = CMOS。伝播遅延テスト条件 = 50pF。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7.5 ns @ 50 pF。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 2 V。動作温度 Min = -40 ℃

論理回路 = 74HC。ロジックタイプ = バストランシーバ。1チップ当たりのエレメント数 = 18。回路数 = 8。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。入力レベル = CMOS。出力レベル = CMOS。高レベル出力電流 Max = -35mA。低レベル出力電流 Max = 35mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 135ns。幅 = 7.595mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HC。ロジックタイプ = バッファ。回路数 = 4。入力タイプ = ショットキー。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。高レベル出力電流 Max = 7.8mA。低レベル出力電流 Max = 7.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 163ns。寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm。動作供給電圧 Min = 2 V。伝播遅延テスト条件 = 150pF。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = ロジックゲート。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 17ns。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3750 V ac。論理出力 = あり。標準降下時間 = 5ns。シリーズ = HCPL。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = オープンコレクタ。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 16ns。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 2500 Vrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 4ns。シリーズ = HCPL。オプトカプラ、ロジック出力、Fairchild Semiconductor

論理回路 = LCX。ロジックタイプ = バッファ， ラインドライバ。インターフェース = バッファ&ラインドライバIC。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 6.5 ns @ 2.7 V。寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm。動作供給電圧 Min = 2 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-323F。最大連続 順方向電流 = 150mA。ピーク逆繰返し電圧 = 75V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SC-70。ピン数 = 5。論理回路 = TinyLogic ULP-A。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 3.6 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.3 ns @ 30 pF。動作供給電圧 Min = 0.9 V。低レベル出力電流 Max = 24mA。寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mm。TinyLogic ULP-A、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-523F。最大連続 順方向電流 = 300mA。ピーク逆繰返し電圧 = 75V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオード。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-35。最大連続 順方向電流 = 300mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 小信号。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。直径 = 1.53mm。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

論理回路 = 74HC。ロジックタイプ = D タイプ。入力タイプ = CMOS。出力タイプ = LSTTL。トリガータイプ = 正エッジ。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 20。セット/リセット = リセット。1チップ当たりのエレメント数 = 8。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 170ns。寸法 = 13.005 x 7.595 x 2.642mm。幅 = 7.595mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 150ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-80。最大連続 順方向電流 = 300mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 4ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A。ON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード