「pf-085」の検索結果

チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 40mA最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 25Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 85pFソースゲート オンキャパシタンス = 85pF寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm幅 = 3.86mmNチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

論理回路 = HC実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14ロジックタイプ = バッファmm低レベル出力電流 Max = 7.8mA高レベル出力電流 Max = 7.8mA伝播遅延テスト条件 = 45pF最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 45 pF動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2 V動作温度 Min = -40 ℃

論理回路 = LCX実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20ロジックタイプ = バッファmm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = -24mA伝送 = CMOS伝播遅延テスト条件 = 50pF最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7.5 ns @ 50 pF動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2 V動作温度 Min = -40 ℃

論理回路 = FXL実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MicroPakピン数 = 10寸法 = 2.1 x 1.6 x 0.5mm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = -24mA伝播遅延テスト条件 = 15pF動作供給電圧 Max = 3.6 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 1.1 V動作温度 Min = -40 ℃電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor

論理回路 = ACT実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC出力タイプ = 3ステート寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = 24mA伝播遅延テスト条件 = 50pF動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 4.5 V動作温度 Min = -40 ℃

論理回路 = FXMA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMLPピン数 = 8寸法 = 1.4 x 1.2 x 0.525mm低レベル出力電流 Max = 50mA高レベル出力電流 Max = -50mA伝播遅延テスト条件 = 50pF動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 1.65 V動作温度 Min = -40 ℃電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor

論理回路 = FXLP実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-70ピン数 = 5寸法 = 2 x 1.25 x 1mm低レベル出力電流 Max = 2.6mA高レベル出力電流 Max = -2.6mA伝播遅延テスト条件 = 30pF動作供給電圧 Max = 3.6 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 1 V動作温度 Min = -40 ℃電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor

論理回路 = AC実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20寸法 = 6.6 x 4.5 x 1.05mm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = -24mA伝播遅延テスト条件 = 50pF動作供給電圧 Max = 2 → 6 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2 V動作温度 Min = -40 ℃AC/ACT244 は、メモリアドレスドライバ、クロックドライバ、バス指向トランスミッタ / レシーバとして使用されるように設計されたオクタルバッファ / ラインドライバで、基板密度を改善します。ICC と IOZ は 50% 削減されました 3-STATE はドライブバスラインまたはバッファメモリアドレスレジスタを出力する 出力ソース / シンク： 24 mA ACT244 は TTL 互換入力を備えています 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

論理回路 = ACT実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = -24mA伝播遅延テスト条件 = 50pF動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 4.5 V動作温度 Min = -40 ℃

論理回路 = ECL実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC-NB の略ピン数 = 8寸法 = 5 x 4 x 1.5mm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = -3mA伝送 = ECL-LVTTL伝播遅延テスト条件 = 20pF動作供給電圧 Max = 3.6 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 3 V動作温度 Min = -40 ℃

論理回路 = VHC実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20ロジックタイプ = バッファmm低レベル出力電流 Max = 8mA高レベル出力電流 Max = -8mA伝播遅延テスト条件 = 50pF動作供給電圧 Max = 2 → 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2 V動作温度 Min = -40 ℃

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 8ロジックタイプ = トランスレータmm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = -3mA伝播遅延テスト条件 = 20pF最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4.1 ns @ 20 pF動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 3.6 V動作温度 Min = -40 ℃MC100EPT26 は、 1 ： 2 ファンアウト差動 LVPECL-LVTTL トランスレータです。LVPECL (正の ECL )レベルは +3.3V のみが使用されており、アースが必要です。EPT26 は、小型 8 リード SOIC パッケージと 1 ： 2 ファンアウト設計で、密にパックされた基板で信号の低スキュー複製を必要とする用途に最適です。VBB 出力により、 EPT26 をシングルエンド入力モードで使用することができます。このモードでは、 VBB 出力は非反転バッファの場合は D0bar 入力に、反転バッファの場合は D0 入力に結び付けられます。使用する場合は、 0.01 uF のコンデンサを使用して VBB ピンをアースにバイパスする必要があります。標準伝搬遅延： 1.4 ns 最大周波数>： 275 MHz (標準 100 シリーズは温度補償付きです 動作範囲： VCC = 3.0 → 3.6 V ( GND = 0 V 入力のデフォルト状態を開きます 入力の安全クランプ 24 mA TTL 出力 Q 出力は、入力がオープンまたは VEE VBB 出力の場合、デフォルトで LOW になります