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RoHS10物質対応(4)
RoHS10物質対応
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onsemi Nチャンネル MOSFET650 V 15 A スルーホール パッケージTO-220F 3 ピンonsemi￥469税込￥516
1個
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：15 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：48.5 nC @ 10 VシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージTO-220F実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)38.5チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)650最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)440最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET500 V 18 A スルーホール パッケージTO-220F 3 ピンonsemi￥459税込￥505
1個
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：18 AシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージTO-220F実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)38.5材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)265最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 20 A スルーホール パッケージTO-220F 3 ピンonsemi￥1,998税込￥2,198
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)20最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)38最小ゲートしきい値電圧(V)2.5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費33.8 W
onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 39 A スルーホール パッケージTO-220F 3 ピンonsemi￥1,698税込￥1,868
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：39 A幅(mm)4.9シリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージTO-220F実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)37チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)66最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
