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  • onsemi 整流ダイオード, 絶縁型, 200mA, 30V 表面実装, 6-Pin SOT-363 (SC-88) ショットキーバリア 1V onsemi

    onsemi 整流ダイオード, 絶縁型, 200mA, 30V 表面実装, 6-Pin SOT-363 (SC-88) ショットキーバリア 1V

    onsemi
    779税込857
    1袋(50個)
    7日以内出荷
    実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。最大連続 順方向電流 = 200mA。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = 絶縁型。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 6。最大順方向降下電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 5ns。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN/PNP, 表面実装, 100 mA, MUN5312DW1T1G onsemi

    onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN/PNP, 表面実装, 100 mA, MUN5312DW1T1G

    onsemi
    21,980税込24,178
    1セット(3000個)
    7日以内出荷
    トランジスタタイプ = NPN/PNP。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。トランジスタ構成 = 絶縁型。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。標準抵抗比 = 1mm。デュアル抵抗デュアルデジタルトランジスタ、ON Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi NUF2221W1T2G CANバスターミネータ onsemi

    onsemi NUF2221W1T2G CANバスターミネータ

    onsemi
    81,980税込90,178
    1セット(3000個)
    7日以内出荷
    終端タイプ = USB回線終端。ビット数 = 2bit。標準抵抗 = 1.5 kΩ, 22 Ω。最大供給電流 = 10 nA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SC-88。ピン数 = 6。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。長さ = 2.2mm。幅 = 1.35mm。高さ = 1mm。動作供給電圧 Max = 5.25 V。動作温度 Max = +125 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。TVS / EMIフィルタデバイス. 単一のSMTデバイスでEMIフィルタリング、ESD保護、及びライン終端を採用した複合型統合ソリューション
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -200 mA, MBT3906DW1T1G onsemi

    onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -200 mA, MBT3906DW1T1G

    onsemi
    17,980税込19,778
    1セット(3000個)
    7日以内出荷
    トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 150 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 1 kHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, BC857BDW1T1G onsemi

    onsemi トランジスタ, PNP, 表面実装, -100 mA, BC857BDW1T1G

    onsemi
    459税込505
    1袋(25個)
    7日以内出荷
    トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 380 mW。最小DC電流ゲイン = 220。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BC846BDW1T1G onsemi

    onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BC846BDW1T1G

    onsemi
    14,980税込16,478
    1セット(3000個)
    7日以内出荷
    トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 380 mW。最小DC電流ゲイン = 200。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 200 mA, MBT3904DW1T3G onsemi

    onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 200 mA, MBT3904DW1T3G

    onsemi
    1,998税込2,198
    1セット(200個)
    7日以内出荷
    トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 150 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
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