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onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 3 A, FZT649 onsemionsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 3 A, FZT649onsemi
2,198税込2,418
1袋(20個)
5日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 35 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, SBCP56-10T1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, SBCP56-10T1Gonsemi
1,498税込1,648
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V dc●パッケージタイプ : SOT-223 (SC-73)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 1.5 W●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V dc●ピン数 : 3 + Tab●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 6.7×3.7×1.65mmRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ESD保護ダイオード, 単方向, 表面実装, 10.1V, NZL5V6AXV3T1G onsemionsemi ESD保護ダイオード, 単方向, 表面実装, 10.1V, NZL5V6AXV3T1Gonsemi
1,598税込1,758
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ : 単方向●最大クランピング電圧 : 10.1V●最小ブレークダウン電圧 : 5.32V●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOT-523 (SC-89)●最大逆スタンドオフ電圧 : 3V●ピン数 : 3●ピークパルスパワー消費 : 50W●最大ピークパルス電流 : 4.8A●ESD保護 : あり●1チップ当たりのエレメント数 : 2●動作温度 Min : -55 ℃●動作温度 Max : +150 ℃mm●長さ : 1.7mm●低静電容量ESD保護アレイRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, NSV1C201MZ4T1G onsemionsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, NSV1C201MZ4T1Gonsemi
39,980税込43,978
1セット(1000個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 100 V●パッケージタイプ : SOT-223 (SC-73)●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 2 W●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 7 V dc●ピン数 : 3 + Tab●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 6.7×3.7×1.65mm●鉛フリーデバイス 品番の先頭が「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 利点 リードなし 最終製品 ポータブル及びバッテリ駆動製品 用途 電力管理RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 8V, MMQA5V6T1G onsemionsemi TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 8V, MMQA5V6T1Gonsemi
1,398税込1,538
1セット(50個)
7日以内出荷
方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 8V最小ブレークダウン電圧 = 5.32V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-74最大逆スタンドオフ電圧 = 3Vピン数 = 6ピークパルスパワー消費 = 150W最大ピークパルス電流 = 3AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 4動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 1mm24 Wクワッドコモンアノード過渡電圧サプレッサ(ESD保護用)
RoHS指令(10物質対応)対応
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