「set50」の検索結果

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 14 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 48000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 220 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 360 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.3mm高さ = 0.93mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 130 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 360 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 0.9 nC @ 5 Vmm高さ = 0.93mm拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 44 A最大ドレイン-ソース間電圧 500 Vシリーズ UniFET実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 120 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 750 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V長さ 15.87mm順方向ダイオード電圧 1.2VUniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 210 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-323実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 340 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.25mm順方向ダイオード電圧 = 1.4VFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 14 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 48 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 14 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 48 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V幅 = 6.22mm高さ = 2.39mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vシリーズ = MegaFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 47 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 60 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V長さ = 6.73mm高さ = 2.39mmMegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vシリーズ = QFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.9 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 50 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 6.73mm高さ = 2.39mmFairchild Semiconductor QFETR PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFETRプレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFETRプロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を提供することができます。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.85V最大パワー消費 = 225 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 V長さ = 3.04mm自動車規格 = AEC-Q101mm低消費電力用途に最適な車載用パワー MOSFET 。50V 、 200mA 、 3.5 Ω 、シングル N チャネル、 SOT-23 、ロジックレベル、鉛フリーPPAP対応のため、車載用途に適しています。低スレッショルド電圧( VGS ( TH )： 0.5 ～ 1.5 V ) ミニチュア表面実装パッケージ 低電圧で簡単に駆動できます 基板スペースを節約します 用途 低電力スイッチ デジタルスイッチ あらゆる低電流自動車用アプリケーション 最終製品 インフォテイメント ( エンターテイメント、マルチメディア、ナビゲーションシステムなど ) ボディコントロールモジュール (BCM 、 FOB キー、ゲートウェイ、 LF システム、 HVAC など ) セキュリティシステム

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 130 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 225 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.3mm動作温度 Min = -55 ℃mmON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET、30 → 500 V

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vシリーズ = BSS138L実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.5V最大パワー消費 = 225 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 2.9mm高さ = 0.94mmNチャンネルパワーMOSFET、50 V、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.85V最大パワー消費 = 225 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mm

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大パワー消費 = 225 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.3mm高さ = 0.94mmNチャンネルパワーMOSFET、50 V、ON Semiconductor

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 500 Vシリーズ UniFET実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 265 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 38.5 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V長さ 10.16mm高さ 9.19mmUniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 500 Vシリーズ UniFET実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 55 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 2.5 kWトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V長さ 20mm高さ 20mmUniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 220 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大パワー消費 = 350 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V長さ = 2.92mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。