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RoHS10物質対応(16)
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onsemi ダイオード 表面実装, シングル,エレメント数 1 DO-214AB (SMC), 2-Pin 1.28V
onsemi¥92,980税込¥102,2781セット(2500個)7日以内出荷ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 6.86mm。幅 = 5.84mm。高さ = 2.13mm。寸法 = 2.13 x 6.86 x 5.84mm。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、4 A → 9 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi スイッチングダイオード 表面実装, シングル,エレメント数 1 DO-214AB (SMC), 2-Pin 1.7V
onsemi¥529税込¥5821箱(10個)7日以内出荷仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor長さ(mm)7.11幅(mm)6.22寸法(mm)7.11×6.22×2.62高さ(mm)2.62ピン数(ピン)2ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル動作温度(℃)-50~+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装
onsemi 整流ダイオード, 3A, 200V 表面実装, 2-Pin DO-214AB (SMC) シリコンジャンクション 950mV
onsemi¥689税込¥7581袋(10個)7日以内出荷実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 950mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 20ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 整流ダイオード, 3A, 200V 表面実装, 2-Pin DO-214AB (SMC) シリコンジャンクション 950mV
onsemi¥689税込¥7581箱(10個)7日以内出荷仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式スイッチングRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(mV)950ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100最大連続順方向電流(A)3ピーク逆回復時間(ns)20
onsemi 整流ダイオード, 4A, 40V 表面実装, 2-Pin DO-214AB (SMC) ショットキーバリア 500mV
onsemi¥4,598税込¥5,0581袋(50個)7日以内出荷実装タイプ 表面実装。パッケージタイプ DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 4A。ピーク逆繰返し電圧 40V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ ショットキー整流器。ダイオードタイプ ショットキー。ピン数 2。最大順方向降下電圧 500mV。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 80A。ON Semiショットキーバリア整流器、3 A、20 30 40 V. このシリーズのON Semiconductor ショットキーパワー整流器 は、パワーダイオード内でショットキーバリア技術を採用しています。これらの3 A整流器は、さまざまな電圧オプションが用意されているコンパクトなデバイスです。 これらのショットキーパワー整流器は、J字形リード付きのSMC表面実装パッケージで提供されます。ケースは成形エポキシ製で、寸法は7.94 5.84 2.13 mmです。パッケージの外面には、腐食性に対する耐性が備わっています。 特長: 安定した酸化物不動態化ジャンクション 低順方向電圧降下 逆アバランシェエネルギー過渡に対する優れた耐性 ガードリングによりストレス保護 何に使用しますか? これらのショットキーパワー整流器は、低電圧、高周波の整流に最適です。また、還流ダイオード及び極性保護ダイオードとして使用することもできます。これらの製品は、サイズと重量が重要とされる用途に最適です。角型パッケージは、自動処理に適しています。 ジャンクション動作温度 -65 +150 整流順方向電流 A (110 ℃)又は4 (105 ℃) 種類: MBRS320T3G 20 SBRS8320T3G 20 MBRS330T3G 30 NRVBS330T3G 30 MBRS340T3G 40 SBRS8340T3G 40 VRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 整流ダイオード, 3A, 60V 表面実装, 2-Pin DO-214AB (SMC) ショットキーバリア 750mV
onsemi¥1,698税込¥1,8681箱(25個)7日以内出荷仕様ショットキーバリア整流ダイオード、シングル、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)ショットキー、(テクノロジー)ショットキーバリア、(構成)シングル整流方式ショットキー整流器RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(mV)750ピーク逆繰返し電圧(V)60ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100最大連続順方向電流(A)3
onsemi 整流ダイオード, 5A, 40V 表面実装, 2-Pin DO-214AB (SMC) ショットキーバリア 500mV
onsemi¥369税込¥4061袋(5個)7日以内出荷仕様●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : DO-214AB (SMC)●最大連続 順方向電流 : 5A●ピーク逆繰返し電圧 : 40V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●最大順方向降下電圧 : 500mV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキーバリア●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 190A●メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 整流ダイオード, 4A, 60V 表面実装, 2-Pin DO-214AB (SMC) ショットキーバリア 740mV
onsemi¥49税込¥541個7日以内出荷仕様●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : DO-214AB (SMC)●最大連続 順方向電流 : 4A●ピーク逆繰返し電圧 : 60V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●最大順方向降下電圧 : 740mV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキーバリア●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 125A●メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 汎用 整流ダイオード, 3A, 400V 表面実装, 2-Pin DO-214AB (SMC) シリコンジャンクション 1.2V
onsemi¥3,598税込¥3,9581セット(50個)7日以内出荷仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.2ピーク逆繰返し電圧(V)400ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100最大連続順方向電流(A)3ピーク逆回復時間(μs)2.5
onsemi 高電圧 整流ダイオード, 3A, 1200V 表面実装, 2-Pin DO-214AB (SMC) シリコンジャンクション 1.2V
onsemi¥1,798税込¥1,9781セット(50個)7日以内出荷実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 1200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 高電圧。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2.5μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 高電圧 整流ダイオード, 3A, 1200V 表面実装, 2-Pin DO-214AB (SMC) シリコンジャンクション 1.2V
onsemi¥1,798税込¥1,9781セット(50個)7日以内出荷仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式高電圧RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.2ピーク逆繰返し電圧(V)1200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100最大連続順方向電流(A)3ピーク逆回復時間(μs)2.5
onsemi ファストリカバリー 整流ダイオード, 3A, 50V 表面実装, 2-Pin DO-214AB (SMC) シリコンジャンクション 950mV
onsemi¥959税込¥1,0551セット(25個)7日以内出荷仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(mV)950ピーク逆繰返し電圧(V)50ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100最大連続順方向電流(A)3ピーク逆回復時間(ns)30
onsemi 汎用 整流ダイオード, 3A, 400V 表面実装, 2-Pin DO-214AB (SMC) シリコンジャンクション 1.2V
onsemi¥3,598税込¥3,9581セット(50個)7日以内出荷実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 2.5μs。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 58.1V, SMCJ36A
onsemi¥1,498税込¥1,6481袋(20個)7日以内出荷方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 25.8A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 58.1V, SMCJ36A
onsemi¥1,498税込¥1,6481袋(20個)7日以内出荷過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 58.1V最小ブレークダウン電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 36Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 25.8A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm最大逆漏れ電流 = 5μARoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 53.3V, SMCJ33CA
onsemi¥389税込¥4281箱(5個)7日以内出荷仕様ダイオード構成:シングル寸法(mm)7.15×6.25×2.45高さ(mm)2.45ピン数(ピン)2RoHS指令(10物質対応)対応特性過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0パッケージDO-214AB (SMC)実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大逆スタンドオフ電圧(V)33最大クランピング電圧(V)53.3最小ブレークダウン電圧(V)36.7ピークパルスパワー消費(W)1500最大ピークパルス電流(A)28.1最小動作温度(℃)-55














