「sso」の検索結果

標準ツェナー電圧 = 12V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 30Ω最大逆漏れ電流 = 1μA寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 2.5V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 30Ω最大逆漏れ電流 = 100μA寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 1.8V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータピン数 = 2最大逆漏れ電流 = 7.5μA寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.25mm動作温度 Min = -55 ℃V

標準ツェナー電圧 = 15V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 8.5mA最大ツェナーインピーダンス = 16Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm動作温度 Min = -55 ℃ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 160トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 10.5V最小ブレークダウン電圧 = 5V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-923最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 0.3W最大ピークパルス電流 = 10.5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 0.65mm低静電容量ESD保護アレイ

最大順方向電流 = 300mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション最大順方向降下電圧 = 1V最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1mm寸法 = 1.8 x 1.35 x 1mmON Semiconductor 小型信号スイッチングダイオード

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-523最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 小信号ダイオードタイプ = 高速ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.2V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500mAメーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 5.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 14 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 48000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

検出スペクトル = 赤外線標準降下時間 = 8μs標準上昇時間 = 8μsチャンネル数 = 1最大暗電流 = 100nA半値幅感度角度 = 25°ピン数 = 2実装タイプ = スルーホール実装パッケージタイプ = 側方監視寸法 = 4.44 x 2.54 x 5.08mmコレクター電流 = 1.50mA感度スペクトルレンジ = 880 nmnm幅 = 2.54mmQSE113 / QSE114シリーズ赤外線フォトトランジスタ. Fairchild SemiconductorのQSE113 / QSE114シリーズには、シリコン赤外線フォトトランジスタが各種揃っています。 各製品は、サイドルッキング(SL)スルーホールパッケージに収められています。 各製品の黒色のプラスチックパッケージは、広角で赤外線を透過します。. QSE113 / QSE114赤外線フォトトランジスタの特長: NPNシリコン赤外線フォトトランジスタ パッケージタイプ: 側方監視 中幅レセプション角度: 50° パッケージの材質と色: 黒エポキシ 昼光フィルタ 高感度 動作温度: -40 → +100 ℃

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 250 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm高さ = 0.94mmPowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-523F最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 450mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4AFairchild Semiconductorショットキーバリア整流器ダイオード、シングル

ダイオード構成 = シングルA実装タイプ = 表面実装最大逆電圧 = 200Vパッケージタイプ = DO-214BA (GF1)最大順方向降下電圧 = 1.1V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 4.7mm幅 = 2.9mm高さ = 2.7mm寸法 = 4.7 x 2.9 x 2.7mmFairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A

論理回路 = CMOSロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 8シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = LS-TTL出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20高レベル出力電流 Max = 7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 6 Vmm幅 = 4.4mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = バッファ実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 6パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14論理回路 = LCX動作供給電圧 Max = 5.5 V最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 3.7 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 32mA幅 = 4.5mm

論理回路 = LCX実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20ロジックタイプ = バッファmm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = -24mA伝送 = CMOS伝播遅延テスト条件 = 50pF最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7.5 ns @ 50 pF動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2 V動作温度 Min = -40 ℃

ドライバ数 = 28入力タイプ = LVTTL出力タイプ = LVDSトランスミッションデータレート = 2.38Gbps1チップ当たりのエレメント数 = 4実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 56差動入力高閾値電圧 = 100mV差動入力低閾値電圧 = -100mV寸法 = 14 x 6.1 x 1mm高さ = 1mm長さ = 14mm動作供給電圧 Max = 3.6 V幅 = 6.1mmLVDSトランシーバ、Fairchild Semiconductor

パッケージタイプ = TSSOPロジックタイプ = シフトレジスターステージ数 = 8論理回路 = 74HC実装タイプ = 表面実装動作/操作モード = シリアル to パラレルエレメント数 = 1ピン数 = 16動作供給電圧 Min = 2 V動作供給電圧 Max = 6 V寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mmトリガータイプ = 正エッジ74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = LCXロジックタイプ = D タイプ出力タイプ = 3ステートトリガータイプ = 正エッジ極性 = 反転， 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14セット/リセット = Yes1チップ当たりのエレメント数 = 2最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8ns動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm幅 = 4.4mm74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = LCXロジックタイプ = バストランシーバ1チップ当たりのエレメント数 = 1回路数 = 8極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20入力レベル = LVTTL， TTL出力レベル = LVCMOS高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8 ns @ 2.7 V寸法 = 6.5 x 4.4 x 0.9mm74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

標準ツェナー電圧 = 3.9V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 3 Wパッケージタイプ = SMBツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 96.1mA最大ツェナーインピーダンス = 7.5Ω最大逆漏れ電流 = 25μA寸法 = 4.32 x 3.56 x 2.13mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード3 W、1SMB59xxBシリーズ、ON Semiconductor

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14論理回路 = VHCT入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 4.5 V低レベル出力電流 Max = 8mA幅 = 4.4mm74VHCTファミリ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 7.5V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 14Ω最大逆漏れ電流 = 900nA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 3.6V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 84Ω最大逆漏れ電流 = 4.5μA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 3.6V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 84Ω最大逆漏れ電流 = 4.5μA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 27V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 2mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 50nA寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm動作温度 Min = -55 ℃ツェナーダイオード500 mW、MMSZxxxT1G / SZMMSZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

パッケージタイプ = DIP実装タイプ = 表面実装オプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild Semiconductor

ピーク感度波長 = 880nmパッケージタイプ = T-1 3/4実装タイプ = スルーホール実装ピン数 = 2ダイオード材質 = Si最小検出波長 = 700nm最大検出波長 = 1100nm標準降下時間 = 5ns長さ = 4.95mm高さ = 8.77mm直径 = 6.1mm標準上昇時間 = 5nsQSD2030F PINフォトダイオード. Fairchild SemiconductorのQSD2030Fは、プラスチックシリコンPINフォトダイオードです。 標準の5 mm(T-1 3/4)スルーホールパッケージに収められています。 QSD2030Fは、周囲の可視光を遮断する昼光フィルタを備えた黒色のエポキシ製パッケージに収納されています。. QSD2030Fフォトダイオードの特長: PINフォトダイオード 5 mm(T-1 3/4)パッケージ 広いレセプション角度: 40° 昼光フィルタ 高感度 波長: 880 nm 検出面積: 1.245 x 1.245 mm