「v-max」の検索結果

出力電圧 Min = 1.25 V。出力電圧 Max = 40 V。入力電圧 Min = 3 V。入力電圧 Max = 40 V。出力電流 Max = 1.5A。コンバータタイプ = 反転， ステップダウン， ステップアップ。出力数 = 1。実装タイプ = 表面実装。効率 = 73%。スイッチングレギュレータ、ステップアップ / ステップダウンDC-DCコンバータ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

ダイオード構成 シングル。1チップ当たりのエレメント数 1。パッケージタイプ DO-41。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。ピン数 2V。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃。高さ 5.2mm。寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm。直径 2.7mm。ON Semi 1N4001-1N4007アキシャルリード標準回復整流器. このON Semiconductor製品シリーズは、一般的な低電力用途向けに特別に設計された標準整流器です。この製品は、外部表面に腐食耐性があり、端子リードが容易にはんだ付けできる仕上げが施されています。これにより、顧客に効果的で信頼性の高い製品を提供します。. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 25 仕上げ: 外面は耐食性、端子リードははんだ付け可能 はんだ付け用の鉛温度: 最大260 (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 主な用途. 高周波インバータ フリーホイールダイオード 極性保護ダイオード

出力電流 = 20mA。入力電圧 = 45 V。AC/DC入力電圧 = dc。減光操作 = PWM。最大出力パワー = 460mW。用途 = AC照明パネル、車載照明、チャンネル文字、装飾照明、標識照明、スイッチコンタクトウェッティング。パッケージタイプ = SOD-123。ピン数 = 2。出力電圧 Max = 7.5V。先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor リニア LED ドライバ

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 18 V。動作温度 Max = +125 ℃。動作供給電圧 Min = 3 V。4000シリーズエンコーダ / デコーダ、マルチプレクサ / デマルチプレクサ、ON Semiconductor

公称電圧 = 1.24V。パッケージタイプ = SOT-23。基準タイプ = 高精度、プログラマブル。立上がり精度 = ±1 %， ±2 %。実装タイプ = 表面実装。トポロジー = シリーズ / シャント。出力電流 Max = 20mA。入力電圧 Max = 16 V。出力電圧 Min = 1.24 V。出力電圧 Max = 16 V。ピン数 = 3。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。幅 = 1.4mm

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-201AD。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。高さ = 9.5mm。寸法 = 5.3 (Dia.) x 9.5mm。直径 = 5.3mm。メーカー品番の先頭はNSVまたはSURの製品は、AEC-Q101自動車規格に適合しています。. ON Semiconductor 整流ダイオード 2 → 3 A

ロジックタイプ = インバータ。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HCT。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = 4.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 15 pF。動作供給電圧 Min = 4.5 V。低レベル出力電流 Max = 4.8mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DQFN。ピン数 = 16。寸法 = 3.5 x 2.5 x 0.75mm。長さ = 3.5mm。幅 = 2.5mm。高さ = 0.75mm。動作供給電圧 Max = 3.6 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 1.1 V。動作温度 Min = -40 ℃

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 20 ns @ 15 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。幅 = 4mm

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -5.2mA。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。幅 = 4mm。74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。寸法 = 10 x 6.198 x 1.499mm。動作供給電圧 Max = 6 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 15 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。幅 = 4mm

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 6 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ダイオード構成 シングル。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-41。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 1.1V。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃。高さ 5.2mm。寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm。直径 2.7mm。ON Semi 1N4001-1N4007アキシャルリード標準回復整流器. このON Semiconductor製品シリーズは、一般的な低電力用途向けに特別に設計された標準整流器です。この製品は、外部表面に腐食耐性があり、端子リードが容易にはんだ付けできる仕上げが施されています。これにより、顧客に効果的で信頼性の高い製品を提供します。. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 25 仕上げ: 外面は耐食性、端子リードははんだ付け可能 はんだ付け用の鉛温度: 最大260 (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 主な用途. 高周波インバータ フリーホイールダイオード 極性保護ダイオード

ロジックタイプ = NOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 5。論理回路 = TinyLogic HS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -2.6mA。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 2.6mA。幅 = 1.7mm。TinyLogic HS、Fairchild Semiconductor. アドバンスド高速及び低電力CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 6.0 ESD保護ダイオード

ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 2。ゲートあたりの入力数 = 4。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 4000。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 18 V。高レベル出力電流 Max = -4.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 300 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = -5 V。低レベル出力電流 Max = 4.2mA。自動車規格 = AEC-Q100mm。4000シリーズロジックゲート、ON Semiconductors

ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = 74HC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 110 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。幅 = 4mm。74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

出力電流 Max = 3A。出力電圧 Max = 37 V。レギュレータ機能 = バック コントローラ。出力電圧 Min = 1.23 V。入力電圧 Max = 40 V。出力タイプ = 可変。実装タイプ = 表面実装。出力数 = 1。ピン数 = 5。パッケージタイプ = D2PAK。スイッチングレギュレータ = あり。幅 = 4.572mm。スイッチングレギュレータ、ステップダウンDC-DCコンバータ、ON Semiconductor. バック(ステップダウン)、ブースト(ステップアップ)、フライバックの各用途向けの電流モード / 電圧モードDC-DCコンバータです。

出力電流 Max = 3A。出力電圧 Max = 37 V。レギュレータ機能 = バック コントローラ。出力電圧 Min = 1.23 V。入力電圧 Min = 4.5 V。入力電圧 Max = 40 V。出力タイプ = 可変。実装タイプ = 表面実装。出力数 = 1。ピン数 = 5。パッケージタイプ = D2PAK。スイッチングレギュレータ = あり。幅 = 4.572mm。スイッチングレギュレータ、ステップダウンDC-DCコンバータ、ON Semiconductor. バック(ステップダウン)、ブースト(ステップアップ)、フライバックの各用途向けの電流モード / 電圧モードDC-DCコンバータです。

ロジックタイプ = NOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = ACT。入力タイプ = TTL。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 4.5 V。低レベル出力電流 Max = 24mA。幅 = 4mm。MC74ACTシリーズ，オン・セミコンダクター

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。論理回路 = VHCT。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 9 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 4.5 V。低レベル出力電流 Max = 8mA。幅 = 4.4mm。74VHCTファミリ、Fairchild Semiconductor

ロジックタイプ = NOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 113ns。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。幅 = 4mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 6 V。動作温度 Max = +125 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。74HC シリーズ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

出力電流 Max = 3A。出力電圧 Max = 5.25 V。レギュレータ機能 = バック コントローラ。出力電圧 Min = 4.75 V。入力電圧 Min = 8 V。入力電圧 Max = 40 V。出力タイプ = 可変。実装タイプ = 表面実装。出力数 = 1。ピン数 = 5。パッケージタイプ = D2PAK。スイッチングレギュレータ = あり。寸法 = 10.236 x 9.347 x 4.572mm。スイッチングレギュレータ、ステップダウンDC-DCコンバータ、ON Semiconductor. バック(ステップダウン)、ブースト(ステップアップ)、フライバックの各用途向けの電流モード / 電圧モードDC-DCコンバータです。

論理回路 = FXL。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = MicroPak。ピン数 = 10。寸法 = 2.1 x 1.6 x 0.5mm。低レベル出力電流 Max = 24mA。高レベル出力電流 Max = -24mA。伝播遅延テスト条件 = 15pF。動作供給電圧 Max = 3.6 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 1.1 V。動作温度 Min = -40 ℃。電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HCT。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -4.8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18 ns @ 5 V。動作供給電圧 Min = 4.5 V。低レベル出力電流 Max = 4.8mA。幅 = 4mm。74HCTファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS

ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 6 V， 18 ns @ 4.5 V， 90 ns @ 2 V。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。幅 = 4mm。74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = AC。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10ns。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 24mA。幅 = 4mm。74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

ロジックタイプ = NAND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = あり。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = HC。入力タイプ = シュミットトリガ。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = 5.2mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 186 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm

論理回路 = FXMA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = UMLP。ピン数 = 8。寸法 = 1.4 x 1.2 x 0.525mm。低レベル出力電流 Max = 50mA。高レベル出力電流 Max = -50mA。伝播遅延テスト条件 = 50pF。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 1.65 V。動作温度 Min = -40 ℃。電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor

ロジックタイプ = OR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = ACT。入力タイプ = TTL。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10ns。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 24mA。幅 = 4mm。74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS

公称電圧 = 2.5 - 36V。パッケージタイプ = TO-92。基準タイプ = プログラマブル。立上がり精度 = ±4 %。実装タイプ = スルーホール。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 100mA。入力電圧 Max = 37 V。出力電圧 Min = 2.495 V。出力電圧 Max = 36 V。ピン数 = 3。ラインレギュレーション = 53 mV。ロードレギュレーション = 25 mV。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。幅 = 4.19mm。電圧リファレンス、調節可能、ON Semiconductor

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SC-70。ピン数 = 5。論理回路 = TinyLogic ULP-A。入力タイプ = CMOS。動作供給電圧 Max = 3.6 V。高レベル出力電流 Max = -24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.3 ns @ 30 pF。動作供給電圧 Min = 0.9 V。低レベル出力電流 Max = 24mA。寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mm。TinyLogic ULP-A、Fairchild Semiconductor

ロジックタイプ = AND。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 4。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = VHC。動作供給電圧 Max = 5.5 V。高レベル出力電流 Max = -8mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14 ns @ 50 pF。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 8mA。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = VHC。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。ロジックタイプ = バッファmm。低レベル出力電流 Max = 8mA。高レベル出力電流 Max = -8mA。伝播遅延テスト条件 = 50pF。動作供給電圧 Max = 2 → 5.5 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 2 V。動作温度 Min = -40 ℃