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標準ツェナー電圧 = 3V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 29Ω最大逆漏れ電流 = 50μA寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm動作温度 Min = -55 ℃ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 460 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.1 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V最大パワー消費 = 350 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V幅 = 1.3mm動作温度 Min = -55 ℃mm拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 105 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1600 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 3mm高さ = 1mmPowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 Vシリーズ = QFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 39000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 4.7mm高さ = 9.19mmQFETR NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 680 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V最大パワー消費 = 350 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V幅 = 1.3mm高さ = 0.93mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

レギュレータタイプ = リニア電圧A出力電圧 = 12 Vラインレギュレーション = 240 mVロードレギュレーション = 240 mV極性 = 正静止電流 = 8mAピン数 = 3パワーレーティング = 15W寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm動作温度 Min = -40 ℃mm幅 = 6.22mmMC7812リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の 12 V リニア電圧レギュレータは、 MC7812 ファミリに属しています。これらの製品はモノリシック集積回路で、ローカルやカード上のレギュレーションをはじめとする幅広い用途向けに固定電圧レギュレータとして設計されています。ポジティブ 7812 電圧レギュレータには、外部コンポーネントは不要で、内部に熱過負荷保護と電流制限、安全区域補償が組み込まれています。外付け部品なしで、外部機器の電圧及び電流を調整できます。

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧mA出力電圧 = 3 Vラインレギュレーション = 0.02 %ロードレギュレーション = 0.02 %極性 = 正静止電流 = 75μAピン数 = 3 + Tab出力タイプ = 固定寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.25mm高さ = 2.25mm幅 = 6.22mm低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ、最大120 mA、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 8mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 0.2 V最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 40V回路構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 Ω実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm高さ = 0.93mmNチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = 8 to 80mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 0.4 V最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 40Vトランジスタ構成 = シングル実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.97mm幅 = 1.3mmNチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = PIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = -2 to -15mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 15 V最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30Vトランジスタ構成 = シングル実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 2.9 x 1.3 x 1.04mm幅 = 1.3mmPチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 120 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 2.1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -15 V， +15 V幅 = 3.5mm高さ = 1.57mmON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V

チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = 1.2 to 3mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30Vトランジスタ構成 = シングル実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-883ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 4pFソースゲート オンキャパシタンス = 4pF寸法 = 1.08 x 0.68 x 0.41mm高さ = 0.41mmNチャンネルJFET、ON Semiconductor

レギュレータタイプ = リニア電圧mA出力電圧 = -5 Vラインレギュレーション = 50 mV精度 = 4%極性 = 負パッケージタイプ = DPAKピン数 = 3出力タイプ = 固定寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm高さ = 2.38mm幅 = 6.22mm負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。

チャンネルタイプ = PIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = -2 to -25mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 15 V最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 Ω実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm幅 = 1.3mmPチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

レギュレータタイプ = リニア電圧A出力電圧 = -12 Vラインレギュレーション = 240 mVロードレギュレーション = 240 mV極性 = 負静止電流 = 8mAピン数 = 3パワーレーティング = 15W寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm動作温度 Min = -40 ℃mm幅 = 4.82mm負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。

レギュレータタイプ = リニア電圧mA出力電圧 = 1.2 → 37 Vラインレギュレーション = 0.07 %/Vロードレギュレーション = 1.5 %/V、70 mV%極性 = 正パッケージタイプ = TO-220基準電圧 = 1.25V出力タイプ = 可変寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm動作温度 Min = -40 ℃mm幅 = 4.82mm1.2 → 37 V リニア電圧レギュレータ、 ON Semiconductor. ON SemiconductorのLM317シリーズは可変リニア電圧レギュレータです。この3端子正電圧レギュレータは、出力電圧範囲1.2 → 37 Vで1.5 A以上の出力電流を供給できます。LM317可変電圧レギュレータは使いやすく、オンカードレギュレーションなどの多様な用途に使用できるほか、プログラマブル出力レギュレータとしても使用できます。調整端子と出力端子の間に固定抵抗を入れると、高精度の電流レギュレータとして使用できます。. 出力電圧範囲: 1.25 → 37 V 出力電流: 1.5 A 短絡電流制限、熱保護及び安全領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作