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仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F 寸法1.3 x 1.7 x 1mm ピン数(ピン)2 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 1チップ当たりのエレメント数1 テスト電流(mA)5 最大逆漏れ電流(μA)4.5 最大パワー消費(mW)200 ツェナー電圧許容性(%)2 最大ツェナーインピーダンス(Ω)89 ツェナー電圧(V)標準3.3
1箱(200個)
1,598 税込1,758
5日以内出荷

仕様●方向性タイプ : 単方向●最大クランピング電圧 : 10.1V●最小ブレークダウン電圧 : 5.32V●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOT-523 (SC-89)●最大逆スタンドオフ電圧 : 3V●ピン数 : 3●ピークパルスパワー消費 : 50W●最大ピークパルス電流 : 4.8A●ESD保護 : あり●1チップ当たりのエレメント数 : 2●動作温度 Min : -55 ℃●動作温度 Max : +150 ℃mm●長さ : 1.7mm●低静電容量ESD保護アレイ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
1,698 税込1,868
7日以内出荷

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大連続 順方向電流 = 16A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = コモンカソード。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 35ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、10 A → 30 A、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
9,998 税込10,998
7日以内出荷

仕様●ダイオード構成 : シングルV●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 500 mW●パッケージタイプ : DO-35●ツェナータイプ : 汎用●ツェナー電圧許容性 : 5%●ピン数 : 2●テスト電流 : 20mA●最大ツェナーインピーダンス : 1600 Ω @ 0.25 mA, 29 Ω @ 20 mA●最大逆漏れ電流 : 50μA●寸法 : 1.91 (Dia.) x 4.56mm●順方向電流 : 200mA●このグループのすべてのシリーズに適用される一般データ。 500 ミリワット ハーメチックシールド ガラスシリコンツェナーダイオード 完全電圧範囲: 1.8 ~ 200 V DO-204AH パッケージ - 従来の DO-204AA パッケージよりも小型です ダブルスラグタイプの構造 金属接合構造 機械的特性: ケース:二重スラグタイプ、ハーメチックシールドガラス はんだ付け用の最大リード温度:ケースから 10 秒間、 230 ° C 、 1/16 インチ 仕上げ : 容易にはんだ付け可能なリードを使用して、すべての外部表面が耐腐食性を備えています 極性:色バンドで示されるカソード。ツェナーモードで作動すると、陽極は陽極に対して正になります 取り付け位置 : 任意 ウエハー工場所在地:アリゾナ州フェニックス 組み立て / 試験場所:韓国ソウル RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(250個)
1,198 税込1,318
7日以内出荷

標準ツェナー電圧 = 3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 29Ω。最大逆漏れ電流 = 50μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Min = -55 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
9,698 税込10,668
7日以内出荷

仕様●ダイオード構成 : シングルV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最大パワー消費 : 300 mW●パッケージタイプ : SOD-323●ツェナータイプ : 電圧レギュレータ●ツェナー電圧許容性 : 5%●ピン数 : 2●テスト電流 : 5mA●最大ツェナーインピーダンス : 100Ω●最大逆漏れ電流 : 10μA●寸法 : 1.8×1.35×1mm●動作温度 Min : -65 ℃mV/K●ツェナーダイオード300 mW、MM3Z、SZMM3Zシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76) RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
11,980 税込13,178
7日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:0.125 高さ(mm)1 ピン数(ピン)6 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷 パッケージSOT-23 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプP 最大パワー消費(mW)1600 材質(トランジスタ)Si チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)60 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)105 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
639 税込703
5日以内出荷

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧mA。出力電圧 = 3 V。ラインレギュレーション = 0.02 %。ロードレギュレーション = 0.02 %。極性 = 正。静止電流 = 75μA。ピン数 = 3 + Tab。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.25mm。高さ = 2.25mm。幅 = 6.22mm。低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ、最大120 mA、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
2,698 税込2,968
7日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 120 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2.1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -15 V, +15 V。幅 = 3.5mm。高さ = 1.57mm。ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
57,980 税込63,778
7日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
499 税込549
5日以内出荷

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 105 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1600 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。長さ = 3mm。高さ = 1mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
639 税込703
5日以内出荷

仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 長さ(mm)2.92 ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Min)-55 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)350 チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(mA)680 最大ドレイン-ソース間電圧(V)25 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)450 最小ゲートしきい値電圧(V)0.65 最大ゲート-ソース間電圧(V)8 トランジスタ構成シングル
1箱(100個)
1,698 税込1,868
5日以内出荷

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 460 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.1 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V。幅 = 1.3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング 耐久性と信頼性に優れたパフォーマンス DMOS テクノロジー. 用途:. 負荷スイッチング DC/DC コンバータ バッテリー保護 電源管理制御 DC モータ制御
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
63 税込69
5日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A シリーズPowerTrench ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 材質(トランジスタ)Si チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(mA)900 最大ドレイン-ソース間電圧(V)20 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)220 最小ゲートしきい値電圧(V)0.6 最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12 トランジスタ構成シングル 最大パワー消費350 mW
1箱(10個)
479 税込527
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 39000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.19mm。QFETR NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,698 税込1,868
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:3V●最大連続ドレイン電流:0.125●標準ゲートチャージ @ Vgs:13 nC @ 10 V シリーズQFET ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷 パッケージTO-220F 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)39000 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)800 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)4.8 最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 , +30 トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
1,598 税込1,758
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:0.65V●最大連続ドレイン電流:460 mA ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング パッケージSOT-23 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプP 最大パワー消費(mW)350 材質(トランジスタ)Si チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)25 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.1 最大ゲート-ソース間電圧(V)8 トランジスタ構成シングル 最小動作温度(℃)-55
1個
63 税込69
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = 1.2 to 3mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30V。トランジスタ構成 = シングル。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-883。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 4pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 4pF。寸法 = 1.08 x 0.68 x 0.41mm。高さ = 0.41mm。NチャンネルJFET、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
2,398 税込2,638
7日以内出荷

仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor 寸法(mm)2.9×1.3×1.04 ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大ドレイン-ソース間電圧(V)20 最大ゲート-ソース間電圧(V)-40 トランジスタ構成シングル IDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)10 to 40 最大ドレイン-ゲート間電圧(V)40
1箱(50個)
1,898 税込2,088
5日以内出荷

仕様PチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor 寸法(mm)2.9×1.3×1.04 ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Min)-55 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 回路構成シングル 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプP 最大ドレイン-ソース間電圧(V)15 最大ゲート-ソース間電圧(V)30 IDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)-2 to -15 最大ドレイン-ゲート間電圧(V)-30
1箱(50個)
3,298 税込3,628
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 680 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V。幅 = 1.3mm。高さ = 0.93mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
1,698 税込1,868
5日以内出荷


仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor 寸法2.9 x 1.3 x 0.97mm ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Max)+150 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大ドレイン-ソース間電圧(V)0.4 最大ゲート-ソース間電圧(V)-40 トランジスタ構成シングル IDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)8 to 80 最大ドレイン-ゲート間電圧(V)40
1箱(100個)
1,998 税込2,198
5日以内出荷

仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor 寸法(mm)2.9×1.3×1.04 ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Min)-55 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大ドレイン-ソース間電圧(V)15 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)30 最大ゲート-ソース間電圧(V)-35 トランジスタ構成シングル IDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)20 最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35 ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28 ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28
1セット(50個)
2,398 税込2,638
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 8mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 0.2 V。最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 40V。回路構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 Ω。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm。高さ = 0.93mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
2,798 税込3,078
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = 8 to 80mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 0.4 V。最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 40V。トランジスタ構成 = シングル。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.97mm。幅 = 1.3mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
1,998 税込2,198
5日以内出荷

チャンネルタイプ = P。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = -2 to -25mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 15 V。最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 Ω。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm。幅 = 1.3mm。PチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
72,980 税込80,278
7日以内出荷

1袋(50個)ほか
1,698 税込1,868
7日以内出荷
バリエーション一覧へ (2種類の商品があります)

チャンネルタイプ = P。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = -2 to -15mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 15 V。最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30V。トランジスタ構成 = シングル。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。寸法 = 2.9 x 1.3 x 1.04mm。幅 = 1.3mm。PチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
3,298 税込3,628
5日以内出荷

仕様●レギュレータタイプ : リニア電圧A●出力電圧 : 24 V●ラインレギュレーション : 480 mV●ロードレギュレーション : 480 mV●極性 : 正●パッケージタイプ : TO-220mA●ピン数 : 3●出力タイプ : 固定W●寸法 : 10.28 x 4.82 x 15.75mm●動作温度 Max : +125 ℃mm●長さ : 10.28mm●7824リニア電圧レギュレータ●ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
829 税込912
翌々日出荷

仕様●出力電流 Max : 2.2A●出力電圧 : 18 V●ラインレギュレーション : 360 mV●ロードレギュレーション : 360 mV●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-220mA●ピン数 : 3●出力タイプ : 固定●寸法 : 10.28 x 4.82 x 15.75mm●動作温度 Min : -40 ℃mm●長さ : 10.28mm●7818リニア電圧レギュレータ●ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
3,500 税込3,850
7日以内出荷

仕様●レギュレータタイプ : リニア電圧A●出力電圧 : -18 V●ラインレギュレーション : 360 mV●精度 : ±4%●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-220●ピン数 : 3●出力タイプ : 固定●寸法 : 10.28 x 4.82 x 9.28mm●動作温度 Max : +125 ℃mm●長さ : 10.28mm●負電圧リニアレギュレータ●ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
4,798 税込5,278
7日以内出荷

仕様●出力電流 Max : 1A●出力電圧 : 5 V●ラインレギュレーション : 10 mV●精度 : ±4%●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-220mA●ピン数 : 3●出力タイプ : 固定●寸法 : 10.28 x 4.82 x 30.02mm●動作温度 Min : 0 ℃mm●長さ : 10.28mm●ON Semiconductor 5V MC7805リニア電圧レギュレータ. ON Semiconductor優れた5Vリニア電圧レギュレータは●MC7805ファミリに属しています。これらの製品は●ローカル●オンカード調整など●幅広い用途向けの固定電圧レギュレータとして設計されたモノリシック統合回路です。正電圧7805電圧レギュレータは外付け部品を必要とせず●内部の熱過負荷保護と電流制限●さらに安全領域補償を内蔵しています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
3,698 税込4,068
7日以内出荷

仕様●出力電流 Max : 2.2A●出力数 : 1●ラインレギュレーション : 100 mV●ロードレギュレーション : 100 mV%●実装タイプ : 表面実装●静止電流 : 3.2mA●ピン数 : 3●出力タイプ : 固定●寸法 : 6.73 x 6.22 x 2.38mm●動作温度 Min : -40 ℃mm●長さ : 6.73mm●ON Semiconductor 5V MC7805リニア電圧レギュレータ. ON Semiconductor優れた5Vリニア電圧レギュレータは●MC7805ファミリに属しています。これらの製品は●ローカル●オンカード調整など●幅広い用途向けの固定電圧レギュレータとして設計されたモノリシック統合回路です。正電圧7805電圧レギュレータは外付け部品を必要とせず●内部の熱過負荷保護と電流制限●さらに安全領域補償を内蔵しています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
92 税込101
翌々日出荷

仕様●レギュレータタイプ : リニア電圧A●出力電圧 : 12 V●ラインレギュレーション : 120 mV●ロードレギュレーション : 25 mV●実装タイプ : スルーホール●静止電流 : 6mA●ピン数 : 3●出力タイプ : 固定●寸法 : 10.28 x 4.82 x 15.75mm●高さ : 15.75mm●幅 : 4.82mm●MC7800 シリーズの正のリニア電圧レギュレータは●ローカルのカード上での調整などの幅広い用途で固定電圧レギュレータとして設計されたモノリシック集積回路です。これらのレギュレータは●内部電流制限●サーマルシャットダウン●安全区域補償を採用しています。十分なヒートシンクを使用すれば● 1.0 A を超える電流を出力することができます主に固定電圧レギュレータとして設計されていますが●このデバイスを外部コンポーネントと併用すると●調整可能な電圧と電流を得ることができます。リニア電圧レギュレータには●自動車の NCV7800 タイプもあります。出力電流: 1.0 A 超 外付け部品不要 内部の熱的過負荷保護 内部の短絡電流制限 出力トランジスタ安全動作領域補償 出力電圧提供(許容差 2 % 及び 4 % 鉛フリーパッケージを用意 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
3,798 税込4,178
7日以内出荷

仕様●出力電流 Max : 1A●出力数 : 1●ラインレギュレーション : 300 mV●精度 : ±4%●実装タイプ : スルーホール●静止電流 : 3.5mA●ピン数 : 3●出力タイプ : 固定●寸法 : 10.28 x 4.82 x 30.02mm●高さ : 30.02mm●幅 : 4.82mm●MC7815リニア電圧レギュレータ●ON Semiconductor. ON Semiconductorのリニア電圧レギュレータは●2 %又は4 %の公差で15 Vの固定電圧を出力します。 MC7815正電圧レギュレータには●安全動作領域補償が組み込まれています。また●内部の電流制限及びサーマルシャットダウン過負荷保護の機能も備えています。 出力を調整する場合を除き●外部コンポーネントは不要です。 このデバイスは●電子産業におけるさまざまな用途に適しています。. 出力電圧: 15 V 鉛フリーパッケージを用意 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
3,698 税込4,068
7日以内出荷

レギュレータタイプ = リニア電圧A。出力電圧 = 12 V。ラインレギュレーション = 240 mV。ロードレギュレーション = 240 mV%。極性 = 正。静止電流 = 3.4mA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 10.28 x 4.82 x 30.02mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 4.82mm。MC7812リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の 12 V リニア電圧レギュレータは、 MC7812 ファミリに属しています。これらの製品はモノリシック集積回路で、ローカルやカード上のレギュレーションをはじめとする幅広い用途向けに固定電圧レギュレータとして設計されています。ポジティブ 7812 電圧レギュレータには、外部コンポーネントは不要で、内部に熱過負荷保護と電流制限、安全区域補償が組み込まれています。外付け部品なしで、外部機器の電圧及び電流を調整できます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
4,198 税込4,618
7日以内出荷

仕様●出力電流 Max : 1A●出力電圧 : 5 V●ラインレギュレーション : 20 mV●精度 : ±4%●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-220mA●ピン数 : 3●出力タイプ : 固定●寸法 : 10.28 x 4.82 x 30.02mm●動作温度 Min : 0 ℃mm●長さ : 10.28mm●ON Semiconductor 5V MC7805リニア電圧レギュレータ. ON Semiconductor優れた5Vリニア電圧レギュレータは●MC7805ファミリに属しています。これらの製品は●ローカル●オンカード調整など●幅広い用途向けの固定電圧レギュレータとして設計されたモノリシック統合回路です。正電圧7805電圧レギュレータは外付け部品を必要とせず●内部の熱過負荷保護と電流制限●さらに安全領域補償を内蔵しています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
4,598 税込5,058
5日以内出荷

仕様●レギュレータタイプ : リニア電圧A●出力電圧 : 5 V●ラインレギュレーション : 10 mV●ロードレギュレーション : 25 mV%●極性 : 正●パッケージタイプ : TO-220mA●ピン数 : 3●出力タイプ : 固定●寸法 : 10.28 x 4.82 x 30.02mm●動作温度 Min : -40 ℃mm●長さ : 10.28mm●ON Semiconductor 5V MC7805リニア電圧レギュレータ. ON Semiconductor優れた5Vリニア電圧レギュレータは●MC7805ファミリに属しています。これらの製品は●ローカル●オンカード調整など●幅広い用途向けの固定電圧レギュレータとして設計されたモノリシック統合回路です。正電圧7805電圧レギュレータは外付け部品を必要とせず●内部の熱過負荷保護と電流制限●さらに安全領域補償を内蔵しています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
379 税込417
翌々日出荷

仕様●レギュレータタイプ : リニア電圧A●出力電圧 : 24 V●ラインレギュレーション : 60 mV●精度 : ±4%●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-220mA●ピン数 : 3●出力タイプ : 固定●寸法 : 10.28 x 4.82 x 30.02mm●動作温度 Max : +125 ℃mm●長さ : 10.28mm●7824リニア電圧レギュレータ●ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
4,398 税込4,838
7日以内出荷

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