「v300」の検索結果

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 300 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 300 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最大パワー消費 = 266 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.35mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルNチャンネルMOSFET、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 300 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 2.92mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 300 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最小DC電流ゲイン = 5000。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V。最大コレクタカットオフ電流 = 100nA。幅 = 1.4mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 300 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最小DC電流ゲイン = 5000。最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V。最大コレクタカットオフ電流 = 100nA。幅 = 1.4mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 300 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V。パッケージタイプ = SOT-23 ( TO-236。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 20000。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V。最大コレクタカットオフ電流 = 100nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は、AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

標準ツェナー電圧 = 3.11V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 100 Ω @ 5 mA， 1000 Ω @ 0.5 mA。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 1.8 x 1.35 x 1mm。動作温度 Min = -65 ℃mA。このツェナーダイオード電圧レギュレータは、 SOD323 表面実装パッケージに収められ、消費電力が 300 mW です。電圧調整保護を提供するように設計されており、スペースが限られている場合に特に魅力的です。携帯電話、携帯型ポータブル、高密度 PC ボードなどの用途に最適です標準ツェナー降伏電圧範囲： 2.4 → 75 V 定格安定状態： 200 mW 機械的特性： 厳密な公差 はんだ付け目的での最大ケース温度： 260 ° C ( 10 秒間) 用途 厳密な許容差のツェナー電圧調整

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 17Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52、SZMMBZ52シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 60Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.7 x 1.25 x 0.9mm。標準電圧温度係数 = -0.75mV/℃。ツェナーダイオード200 mW、MM3Zシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 3μA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。標準電圧温度係数 = 0mV/K。ツェナーダイオード225 mW、BZX84BxxxLT、BZX84CxxxLTシリーズ、ON Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (BZX84B)、約5 % (BZX84C) 表面実装ケース: SOT-23

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 95Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。標準電圧温度係数 = -3.5 → 0mV/K

標準ツェナー電圧 = 24V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 70Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。標準電圧温度係数 = 22mV/K。このシリーズのツェナーダイオードは、便利な表面実装プラスチック SOT-23 パッケージで提供されています。これらのデバイスは、最小スペース要件で電圧調整を行うように設計されています。携帯電話、ハンドヘルドポータブル、高密度 PC ボードなどの用途に最適です。FR-4 または FR-5 ボードの定格出力 257mW ツェナー故障電圧範囲 - 2.4V ～ 75V 最適な自動基板アセンブリ用に設計されたパッケージです 高密度アプリケーション用の小型パッケージサイズ 人体>モデルごとのクラス 3 ( 16 kV )の ESD 定格 機械的な特性

標準ツェナー電圧 = 8.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 700nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。標準電圧温度係数 = 6.2mV/K。このシリーズのツェナーダイオードは、便利な表面実装プラスチック SOT-23 パッケージで提供されています。これらのデバイスは、最小スペース要件で電圧調整を行うように設計されています。携帯電話、ハンドヘルドポータブル、高密度 PC ボードなどの用途に最適です。FR-4 または FR-5 ボードの定格は 267mW です ツェナー故障電圧範囲 - 2.4V ～ 75V 最適な自動基板アセンブリ用に設計されたパッケージです 高密度アプリケーション用の小型パッケージサイズ 人体>モデルごとのクラス 3 ( 16 kV )の ESD 定格 機械的な特性

標準ツェナー電圧 = 6.8V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。標準電圧温度係数 = 4.5mV/K

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 60Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm。標準電圧温度係数 = -0.75mV/℃。ツェナーダイオード225 mW、BZX84、SZBZX84シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 3.9V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 3μA。寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm。標準電圧温度係数 = -3mV/℃。ツェナーダイオード225 mW、BZX84、SZBZX84シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 2.7V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 30Ω。最大逆漏れ電流 = 75μA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52、SZMMBZ52シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 30Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/K。ツェナーダイオード225 mW、BZX84BxxxLT、BZX84CxxxLTシリーズ、ON Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (BZX84B)、約5 % (BZX84C) 表面実装ケース: SOT-23

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 200Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。標準電圧温度係数 = 9.2 → 13mV/K。ツェナーダイオード225 mW、BZX84、SZBZX84シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOD-323。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 80Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 1.8 x 1.35 x 0.9mm。自動車規格 = AEC-Q101mA

標準ツェナー電圧 = 5.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 40Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/℃。ツェナーダイオード225 mW、BZX84、SZBZX84シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 39V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 2mA。最大ツェナーインピーダンス = 130Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/℃。ツェナーダイオード225 mW、BZX84、SZBZX84シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 27V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 7%。ピン数 = 3。テスト電流 = 2mA。最大ツェナーインピーダンス = 80Ω。最大逆漏れ電流 = 50nA。寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm。標準電圧温度係数 = 23.35mV/℃。ツェナーダイオード225 mW、BZX84、SZBZX84シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOD-523。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 25Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm。動作温度 Max = +150 ℃mV/K。ツェナーダイオード300 mW、MM5Zシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-523

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 60Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。自動車規格 = AEC-Q101mA

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ピン数 = 3。テスト電流 = 5.2mA。最大ツェナーインピーダンス = 600Ω。最大逆漏れ電流 = 250nA。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。自動車規格 = AEC-Q101mA

標準ツェナー電圧 = 9.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 3。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 3μA。寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52、SZMMBZ52シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 7.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 300 mW。パッケージタイプ = SOT-23。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 3。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm。標準電圧温度係数 = 3.9mV/℃。ツェナーダイオード225 mW、BZX84、SZBZX84シリーズ、ON Semiconductor