「x5a」の検索結果

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 114 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.4 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V長さ = 2mm高さ = 0.75mmPowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

標準ツェナー電圧 = 20V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 12.5mA最大ツェナーインピーダンス = 22Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 16V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 15.5mA最大ツェナーインピーダンス = 16Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 4.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 19Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 17Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 4.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 22Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 17Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SDIPピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA寸法 = 8.51 x 6.5 x 3.3mm幅 = 6.5mmULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション 低DC逆電流

標準ツェナー電圧 = 24V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 10.5mA最大ツェナーインピーダンス = 25Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 15V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 17mA最大ツェナーインピーダンス = 14Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 13V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 19mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 18V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 14mA最大ツェナーインピーダンス = 20Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 35Aピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBPC 4Lピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA寸法 = 29 x 29 x 11.23mm幅 = 29mmUL E-258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 35シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流35 A ガラス不動態化ジャンクション 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化 ファストン端子

ピーク平均順方向電流 = 8Aピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBU 4Lピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA寸法 = 22.3 x 18.8 x 3.56mm高さ = 3.56mmUL、E258596. ブリッジ整流器シングルインラインパッケージ基板実装、GBUシリーズ. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器 耐高サージ電流 基板(PCB)取り付け用ワイヤリード構造

標準ツェナー電圧 = 6.8V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 5Ω最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor

ダイオード構成 = シングルV実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 100Ω最大逆漏れ電流 = 75μA寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm標準電圧温度係数 = -3.5 → 0mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79Cシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 4.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm標準電圧温度係数 = -3.5 → 0.2mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79Cシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 3.6V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 84Ω最大逆漏れ電流 = 4.5μA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 3.6V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 84Ω最大逆漏れ電流 = 4.5μA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 2.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 94Ω最大逆漏れ電流 = 45μA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 56Ω最大逆漏れ電流 = 1.8μA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

標準ツェナー電圧 = 3.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 89Ω最大逆漏れ電流 = 4.5μA寸法 = 1.3 x 1.7 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F

ダイオード構成 = シングルV実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータピン数 = 3テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 2000Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm自動車規格 = AEC-Q101mA

標準ツェナー電圧 = 3.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±5%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 95Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm標準電圧温度係数 = -3.5 → 0mV/K

ダイオード構成 = シングルV実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 0.05mA最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.35mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 3.6V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 90Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm標準電圧温度係数 = -1.75mV/℃ツェナーダイオード225 mW、BZX84、SZBZX84シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 3テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 17Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード225 mW、MMBZ52、SZMMBZ52シリーズ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 3.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 95Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm動作温度 Min = -55 ℃ツェナーダイオード500 mW、MMSZxxxT1G / SZMMSZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 6V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 3.6V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 90Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm動作温度 Min = -55 ℃ツェナーダイオード500 mW、MMSZxxxT1G / SZMMSZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123

標準ツェナー電圧 = 36V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 7mA最大ツェナーインピーダンス = 50Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Max = +200 ℃

標準ツェナー電圧 = 12V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 21mA最大ツェナーインピーダンス = 9Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 4.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-523ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 3μA寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm動作温度 Max = +150 ℃mV/Kツェナーダイオード500 mW、MM5ZxxxT1G / SZMM5ZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-523

標準ツェナー電圧 = 7.5V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-523ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 15Ω最大逆漏れ電流 = 1μA寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm標準電圧温度係数 = 5.3mV/Kツェナーダイオード500 mW、MM5ZxxxT1G / SZMM5ZxxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-523

標準ツェナー電圧 = 120V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = ケース017AAツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±5%ピン数 = 2テスト電流 = 10mA最大ツェナーインピーダンス = 1150Ω最大逆漏れ電流 = 500nA寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm順方向電流 = 1Aツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-523ツェナータイプ = 電圧レギュレータピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 500 Ω @ 1 mA， 60 Ω @ 5 mA最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm標準電圧温度係数 = 1.2mV/K

標準ツェナー電圧 = 4.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 200 mWパッケージタイプ = SOD-323Fツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 470 Ω @ 1 mA， 75 Ω @ 5 mA最大逆漏れ電流 = 2.7μA寸法 = 1.7 x 1.3 x 1mm動作温度 Max = +150 ℃V

標準ツェナー電圧 = 9.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 28mA最大ツェナーインピーダンス = 5Ω最大逆漏れ電流 = 10μA寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor