「pf-c1」の検索結果

動作入力順電圧: 推奨5V(標準)。負荷電圧 20V/50V/60V20V品： 連続負荷電流1A(最大)低C×R=7.2pF・Ω、COFF(標準)=40pF、RON(標準)=0.18Ω50V品： 連続負荷電流0.3A(最大)低C×R=12pF・Ω、COFF(標準)=12pF、RON(標準)=1Ω60V品： 連続負荷電流0.4A(最大)。高温対応(使用周囲温度：-40℃～110℃ )。動作入力順電圧: 推奨5V(標準)。負荷電圧 20V/50V/60V。20V品： 連続負荷電流1A(最大)。低C×R=7.2pF・Ω、COFF(標準)=40pF、RON(標準)=0.18Ω。50V品： 連続負荷電流0.3A(最大)。低C×R=12pF・Ω、COFF(標準)=12pF、RON(標準)=1Ω。60V品： 連続負荷電流0.4A(最大)。高温対応(使用周囲温度：-40℃～110℃ )

動作入力順電圧: 推奨5V(標準)。負荷電圧 20V/50V/60V20V品： 連続負荷電流1A(最大)低C×R=7.2pF・Ω、COFF(標準)=40pF、RON(標準)=0.18Ω50V品： 連続負荷電流0.3A(最大)低C×R=12pF・Ω、COFF(標準)=12pF、RON(標準)=1Ω60V品： 連続負荷電流0.4A(最大)。高温対応(使用周囲温度：-40℃～110℃ )。動作入力順電圧: 推奨5V(標準)。負荷電圧 20V/50V/60V。20V品： 連続負荷電流1A(最大)。低C×R=7.2pF・Ω、COFF(標準)=40pF、RON(標準)=0.18Ω。50V品： 連続負荷電流0.3A(最大)。低C×R=12pF・Ω、COFF(標準)=12pF、RON(標準)=1Ω。60V品： 連続負荷電流0.4A(最大)。高温対応(使用周囲温度：-40℃～110℃ )

L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)

L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)

L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)

動作入力順電圧: 推奨5V(標準)。負荷電圧 20V/50V/60V20V品： 連続負荷電流1A(最大)低C×R=7.2pF・Ω、COFF(標準)=40pF、RON(標準)=0.18Ω50V品： 連続負荷電流0.3A(最大)低C×R=12pF・Ω、COFF(標準)=12pF、RON(標準)=1Ω60V品： 連続負荷電流0.4A(最大)。高温対応(使用周囲温度：-40℃～110℃ )。動作入力順電圧: 推奨5V(標準)。負荷電圧 20V/50V/60V。20V品： 連続負荷電流1A(最大)。低C×R=7.2pF・Ω、COFF(標準)=40pF、RON(標準)=0.18Ω。50V品： 連続負荷電流0.3A(最大)。低C×R=12pF・Ω、COFF(標準)=12pF、RON(標準)=1Ω。60V品： 連続負荷電流0.4A(最大)。高温対応(使用周囲温度：-40℃～110℃ )

動作入力順電圧: 推奨5V(標準)。負荷電圧 20V/50V/60V20V品： 連続負荷電流1A(最大)低C×R=7.2pF・Ω、COFF(標準)=40pF、RON(標準)=0.18Ω50V品： 連続負荷電流0.3A(最大)低C×R=12pF・Ω、COFF(標準)=12pF、RON(標準)=1Ω60V品： 連続負荷電流0.4A(最大)。高温対応(使用周囲温度：-40℃～110℃ )。動作入力順電圧: 推奨5V(標準)。負荷電圧 20V/50V/60V。20V品： 連続負荷電流1A(最大)。低C×R=7.2pF・Ω、COFF(標準)=40pF、RON(標準)=0.18Ω。50V品： 連続負荷電流0.3A(最大)。低C×R=12pF・Ω、COFF(標準)=12pF、RON(標準)=1Ω。60V品： 連続負荷電流0.4A(最大)。高温対応(使用周囲温度：-40℃～110℃ )

L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)

L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)。L2.0×W1.45×H1.3mmのS-VSON(L)4ピン小型パッケージで基板の省スペース化に貢献。負荷電圧 20V/40V/60V。低C×R設計により高周波帯域で優れた出力特性を発揮。形G3VM-21QR : 低C×R=4.08pF・Ω(標準)。形G3VM-21QR1 : 低C×R=5.2pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR4 : 低C×R=13pF・Ω(標準)。形G3VM-41QR10 : 低C×R=4.95pF・Ω(標準)。形G3VM-61QR/61QR3 : 低C×R=13.2pF・Ω(標準)。高速応答性を実現。形G3VM-61QR3 : 動作時間0.25ms(最大)、復帰時間0.2ms(最大)。形G3VM-21QR : 動作時間0.08ms(最大)、復帰時間0.12ms(最大)。形G3VM-21QR1/41QR4 : 動作時間0.15ms(最大)、復帰時間0.1ms(最大)。高温対応(使用周囲温度 : -40℃～110℃)

負荷電圧 40V/50V。形G3VM-41UR12：低C×R=4.5pF・Ω、COFF(標準)=0.3pF、RON(標準)=15Ω。形G3VM-41UR10：低C×R=5.4pF・Ω、COFF(標準)=0.45pF、RON(標準)=12Ω。形G3VM-41UR11：低C×R=4.9pF・Ω、COFF(標準)=0.7pF、RON(標準)=7Ω。形G3VM-41UR4：低C×R=10pF・Ω、COFF(標準)=5pF、RON(標準)=2Ω。形G3VM-51UR：低C×R=12pF・Ω、COFF(標準)=12pF、RON(標準)=1Ω。高温対応(使用周囲温度：-40℃～110℃)。負荷電圧 40V/50V。形G3VM-41UR12：低C×R=4.5pF・Ω、COFF(標準)=0.3pF、RON(標準)=15Ω。形G3VM-41UR10：低C×R=5.4pF・Ω、COFF(標準)=0.45pF、RON(標準)=12Ω。形G3VM-41UR11：低C×R=4.9pF・Ω、COFF(標準)=0.7pF、RON(標準)=7Ω。形G3VM-41UR4：低C×R=10pF・Ω、COFF(標準)=5pF、RON(標準)=2Ω。形G3VM-51UR：低C×R=12pF・Ω、COFF(標準)=12pF、RON(標準)=1Ω。高温対応(使用周囲温度：-40℃～110℃)