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￥289税込￥318

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仕様バリスタ電圧 = 8V最大直流定格電圧 = 5.5V制限電圧 = 19Vクランプ電流 = 1Aエネルギー = 0.01J最大サージ電流 = 1A静電容量 = 33pF長さ = 1mm奥行き = 0.5mmパッケージ/ケース = 0402バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタRoHS指令(10物質対応)対応

TDK 酸化金属バリスタ， 8V， 25ATDK

￥4,198税込￥4,618

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仕様バリスタ電圧 = 8V最大直流定格電圧 = 5.5V制限電圧 = 14Vクランプ電流 = 1Aエネルギー = 0.04J最大サージ電流 = 25A静電容量 = 480pF長さ = 1mm奥行き = 0.5mmパッケージ/ケース = 0402 (1005M)バリスタ、AVRシリーズ. 静電気及びパルスノイズ吸収用バリスタRoHS指令(10物質対応)対応

TDK 巻線インダクタ (面実装)， 4.7 μH， 2.09A，シールド， 5.3 x 5 x 2mmTDK

￥369税込￥406

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仕様インダクタンス = 4.7 μH最大直流電流 = 2.09A長さ = 5.3mm奥行き = 5mm高さ = 2mm寸法 = 5.3 x 5 x 2mmシールド = Y許容差 = ±30%最大直流抵抗 = 122mΩシリーズ = VLCF最小動作温度 = -40℃VLCF5020シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク. TDKのVLCFシリーズの業務用表面実装パワーインダクタ製品で、電源回路用磁気シールド型巻線インダクタを備えています。. 特長と利点:. 高磁気シールド構造ポータブルDC-DCコンバータ回線の一般使用が可能テスト周波数 = 100 kHz. 用途:. HDD、DVC、DSCなどの携帯デバイス用の電源インダクタ。LCDディスプレイ及びその他のDC-DCコンバータ。RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 巻線インダクタ (面実装)， 2.2 μH， 2.76A，シールド， 5.3 x 5 x 2mmTDK

￥429税込￥472

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仕様インダクタンス = 2.2 μH最大直流電流 = 2.76A長さ = 5.3mm奥行き = 5mm高さ = 2mm寸法 = 5.3 x 5 x 2mmシールド = Y許容差 = ±30%最大直流抵抗 = 71mΩシリーズ = VLCF最小動作温度 = -40℃VLCF5020シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク. TDKのVLCFシリーズの業務用表面実装パワーインダクタ製品で、電源回路用磁気シールド型巻線インダクタを備えています。. 特長と利点:. 高磁気シールド構造ポータブルDC-DCコンバータ回線の一般使用が可能テスト周波数 = 100 kHz. 用途:. HDD、DVC、DSCなどの携帯デバイス用の電源インダクタ。LCDディスプレイ及びその他のDC-DCコンバータ。RoHS指令(10物質対応)対応

Filter，Common Mode，2Line，700ohm，5ATDK

￥269税込￥296

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仕様寸法 = 9 x 7 x 4.5mm動作温度範囲 = -25 → +85 ℃パッケージ/ケース = 9070高さ = 4.5mmコモンモードフィルタ(ACM3225/4532/ 7060/9070/1211/1513). 大電流巻線チップコモンモードフィルタ最大10 AまでサポートRoHS指令(10物質対応)対応

TDK コモンモードフィルタ， 350mA， 2.5 x 2 x 1.2mmTDK

￥459税込￥505

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仕様最大直流電流 = 350mAパッケージ/ケース = 2520長さ = 2.5mm奥行き = 2mm高さ = 1.2mm寸法 = 2.5 x 2 x 1.2mm最大直流抵抗 = 400mΩ最小動作温度 = -25℃コモンモードフィルタ、ACM2012 / 2520 / 3225 / 4532. 巻線チップコモンモードフィルタ高速信号にも最適 2行及び3行範囲の製品RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 巻線インダクタ (面実装)， 33 μH， 750mA，シールド， 7 x 7 x 3.2mmTDK

￥249税込￥274

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仕様インダクタンス = 33 μH最大直流電流 = 750mA長さ = 7mm奥行き = 7mm高さ = 3.2mm寸法 = 7 x 7 x 3.2mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 160mΩ最小動作温度 = -20℃インダクタ、SLF7032シリーズ. 電源SMDインダクタ(コイル) 電源コンポーネントに最適な低Rdc、高電流、低エネルギー消費基板に安定して取り付けられるフラットな底部RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 巻線インダクタ (面実装)， 47 μH， 540mA，シールド， 7 x 7 x 2.8mmTDK

￥1,198税込￥1,318

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仕様インダクタンス = 47 μH最大直流電流 = 540mA長さ = 7mm奥行き = 7mm高さ = 2.8mm寸法 = 7 x 7 x 2.8mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 340mΩ最小動作温度 = -20℃インダクタ、SLF7028シリーズ. 電源SMDインダクタ(コイル) 電源コンポーネントに最適な低Rdc、高電流、低エネルギー消費高密度設計に適した磁気シールドタイプRoHS指令(10物質対応)対応

TDK 巻線インダクタ (面実装)， 22 μH， 750mA，シールド， 7 x 7 x 2.8mmTDK

￥1,198税込￥1,318

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仕様インダクタンス = 22 μH最大直流電流 = 750mA長さ = 7mm奥行き = 7mm高さ = 2.8mm寸法 = 7 x 7 x 2.8mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 180mΩ最小動作温度 = -20℃インダクタ、SLF7028シリーズ. 電源SMDインダクタ(コイル) 電源コンポーネントに最適な低Rdc、高電流、低エネルギー消費高密度設計に適した磁気シールドタイプRoHS指令(10物質対応)対応

TDK 巻線インダクタ (面実装)， 33 μH， 590mA，シールド， 6 x 6 x 2.5mmTDK

￥249税込￥274

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仕様インダクタンス = 33 μH最大直流電流 = 590mA長さ = 6mm奥行き = 6mm高さ = 2.5mm寸法 = 6 x 6 x 2.5mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 180mΩ最小動作温度 = -20℃インダクタ、SLF6025シリーズ. 高電流、省エネ電源用に最適な低いDC抵抗. 磁気シールドコイル付きパワーSMDインダクタ。モバイルデバイスやPCなど様々な電気的用途に最適RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 巻線インダクタ (面実装)， 100 μH， 330mA，シールド， 6 x 6 x 2.5mmTDK

￥929税込￥1,022

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仕様インダクタンス = 100 μH最大直流電流 = 330mA長さ = 6mm奥行き = 6mm高さ = 2.5mm寸法 = 6 x 6 x 2.5mmシールド = Y許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 500mΩ最小動作温度 = -20℃インダクタ SLF6025シリーズ. 電源用SMDインダクタ(巻線、磁気シールド) 電源系に最適な低Rdc、大電流、省エネタイプ携帯機器、パソコンその他の各種電子機器に最適RoHS指令(10物質対応)対応

TDK チップフェライトビーズ， 1.6 x 0.8 x 0.8mmTDK

￥129税込￥142

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仕様パッケージタイプ = 0603 (1608M)タイプ = チップビーズ寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm長さ = 1.6mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm材料 = フェライトチップビーズ、MMZ1608. 5つの材質でできたチップビーズ高信頼性、完全モノリシック構造閉磁気回路構造により高密度実装が可能RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 100mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK

￥149税込￥164

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仕様インダクタンス = 100 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 100mA最大自己共振周波数 = 1.9GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 2.2Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK

￥57税込￥63

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仕様インダクタンス = 82 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 2.2GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.8Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 6.8 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK

￥73税込￥80

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仕様インダクタンス = 6.8 nH許容差 = ±0.5nH最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 350mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 68 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK

￥58税込￥64

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仕様インダクタンス = 68 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 2.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.5Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 22 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK

￥149税込￥164

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仕様インダクタンス = 22 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最大自己共振周波数 = 4.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 700mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 18 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK

￥58税込￥64

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仕様インダクタンス = 18 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 4.7GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 600mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 300mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK

￥179税込￥197

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仕様インダクタンス = 15 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 300mA最大自己共振周波数 = 4.8GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 500mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 nH， 600mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mmTDK

￥60税込￥66

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仕様インダクタンス = 1.5 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 19.6GHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1608シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 1.2 nH， 600mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mmTDK

￥229税込￥252

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仕様インダクタンス = 1.2 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 20GHzパッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1608シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 390 nH， 50mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK

￥129税込￥142

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仕様インダクタンス = 390 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 50mA最大自己共振周波数 = 400MHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 8Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 150 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK

￥67税込￥74

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仕様インダクタンス = 150 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 700MHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 3.5Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 5.6 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK

￥129税込￥142

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仕様インダクタンス = 5.6 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 5.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 5.1 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK

￥119税込￥131

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様インダクタンス = 5.1 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 5GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 56 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK

￥67税込￥74

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仕様インダクタンス = 56 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.3Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 47 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK

￥149税込￥164

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様インダクタンス = 47 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 1.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.2Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 3.9 nH， 700mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK

￥81税込￥89

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仕様インダクタンス = 3.9 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 700mA最大自己共振周波数 = 6.5GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 200mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 3 nH， 800mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK

￥81税込￥89

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仕様インダクタンス = 3 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 800mA最大自己共振周波数 = 6.8GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 200mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 39 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK

￥88税込￥97

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仕様インダクタンス = 39 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 1.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 2.7 nH， 800mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK

￥119税込￥131

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翌々日出荷

仕様インダクタンス = 2.7 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 800mA最大自己共振周波数 = 7.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 150mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃インダクタ構造 = 多層チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 2.2 nH， 900mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK

￥119税込￥131

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様インダクタンス = 2.2 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 900mA最大自己共振周波数 = 8.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 150mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 2 nH， 900mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK

￥96税込￥106

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3日以内出荷

仕様インダクタンス = 2 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 900mA最大自己共振周波数 = 9.3GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 150mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 27 nH， 300mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK

￥96税込￥106

1袋(10個)

3日以内出荷

仕様インダクタンス = 27 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 300mA最大自己共振周波数 = 2GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 800mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 1.5 nH， 1A， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK

￥149税込￥164

1袋(10個)

3日以内出荷

仕様インダクタンス = 1.5 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 1A最大自己共振周波数 = 9.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層表面実装インダクタ， 1 nH， 1A， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK

￥119税込￥131

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様インダクタンス = 1 nH許容差 = ±0.2nH最大直流電流 = 1A最小品質ファクター = 7パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 100mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタセラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 25V dc 10μF ±10%TDK

￥869税込￥956

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様静電容量 = 10μF電圧 = 25V dcパッケージ/ケース = 1210取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = JB許容差 = ±10%寸法 = 3.2 x 2.5 x 2.5mm長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 2.5mm許容差(マイナス) = -10%許容差(プラス) = +10%温度係数 = ±10%C Series 1210 (3225) size. 1210 (3225 metric) size chip capacitor: 3.2 (±0.4) x 2.5 (±0.3) mm Low stray capicitance ensures high conformity with the nominal values， thereby simplifying the design process Low residual inductance assures superior high frequency characteristicsRoHS指令(10物質対応)対応

TDK 積層セラミックコンデンサ(MLCC) 16V dc 22μF ±20%TDK

￥749税込￥824

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様静電容量 = 22μF電圧 = 16V dcパッケージ/ケース = 1210取り付けタイプ = 表面実装温度特性 = JB許容差 = ±20%寸法 = 3.2 x 2.5 x 2.5mm長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 2.5mm許容差(マイナス) = -20%許容差(プラス) = +20%温度係数 = ±10%セラミックコンデンサ Cシリーズ(3225サイズ). 3225 (ミリサイズ) チップコンデンサ浮遊容量が少なく、理論値に近い回路設計が可能残留インダクタンスが小さく、周波数特性が良好RoHS指令(10物質対応)対応

TDK 巻線インダクタ (面実装)， 6.8 μH， 180mA， 3.2 x 2.5 x 2.2mmTDK

￥459税込￥505

1袋(25個)

7日以内出荷

仕様インダクタンス = 6.8 μH最大直流電流 = 180mAパッケージ/ケース = 1210長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 2.2mm寸法 = 3.2 x 2.5 x 2.2mm許容差 = ±5%最大直流抵抗 = 1.8Ωシリーズ = NLV-PF最大自己共振周波数 = 40MHz最小品質ファクター = 30TDK 1210 NLVシリーズ巻線型インダクタ. 幅広い信号ライン用途に最適なSMD巻線型インダクタ高Q値による、シャープな周波数応答耐熱性の高い熱可塑樹脂製外装パッケージ動作温度範囲 -40℃ → +105℃ 用途: TV、VCR、デジタルカメラ、xDSL、カーオーディオ、ECUシステム、HDDなどRoHS指令(10物質対応)対応

TDK 巻線インダクタ (面実装)， 3.3 μH， 260mA， 3.2 x 2.5 x 2.2mmTDK

￥529税込￥582

1袋(25個)

7日以内出荷

仕様インダクタンス = 3.3 μH最大直流電流 = 260mAパッケージ/ケース = 1210長さ = 3.2mm奥行き = 2.5mm高さ = 2.2mm寸法 = 3.2 x 2.5 x 2.2mm許容差 = ±5%最大直流抵抗 = 1.2Ωシリーズ = NLV-PF最大自己共振周波数 = 60MHz最小品質ファクター = 30TDK 1210 NLVシリーズ巻線型インダクタ. 幅広い信号ライン用途に最適なSMD巻線型インダクタ高Q値による、シャープな周波数応答耐熱性の高い熱可塑樹脂製外装パッケージ動作温度範囲 -40℃ → +105℃ 用途: TV、VCR、デジタルカメラ、xDSL、カーオーディオ、ECUシステム、HDDなどRoHS指令(10物質対応)対応

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