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TDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 50mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mmTDK￥41税込￥45
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翌々日出荷
仕様インダクタンス = 100 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 50mA最大自己共振周波数 = 900MHzパッケージ/ケース = 0201 (0603M)最大直流抵抗 = 4.5Ω寸法 = 0.6 x 0.3 x 0.3mm奥行き = 0.3mm高さ = 0.3mm長さ = 0.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG0603Sシリーズ. 高周波数(多層)用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 33 nH， 100mA， 0.6 x 0.3 x 0.3mmTDK￥68税込￥75
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 33 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 100mA最大自己共振周波数 = 4.4GHzパッケージ/ケース = 0201 (0603M)最大直流抵抗 = 1.8Ω寸法 = 0.6 x 0.3 x 0.3mm奥行き = 0.3mm高さ = 0.3mm長さ = 0.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK0603シリーズRoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 100 nH， 100mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥149税込￥164
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翌々日出荷
仕様インダクタンス = 100 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 100mA最大自己共振周波数 = 1.9GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 2.2Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥57税込￥63
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翌々日出荷
仕様インダクタンス = 82 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 2.2GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.8Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 68 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥58税込￥64
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 68 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 2.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.5Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 22 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥149税込￥164
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翌々日出荷
仕様インダクタンス = 22 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最大自己共振周波数 = 4.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 700mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 18 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥58税込￥64
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翌々日出荷
仕様インダクタンス = 18 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 4.7GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 600mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 300mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥56税込￥62
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翌々日出荷
仕様インダクタンス = 15 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 300mA最大自己共振周波数 = 4.8GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 500mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLK1005シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 150 nH， 250mA， 1.6 x 0.8 x 0.8mmTDK￥289税込￥318
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翌々日出荷
仕様インダクタンス = 150 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最小品質ファクター = 14パッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大直流抵抗 = 1.3Ω寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mm奥行き = 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 1.6mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1608シリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 390 nH， 50mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥129税込￥142
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仕様インダクタンス = 390 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 50mA最大自己共振周波数 = 400MHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 8Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 150 nH， 150mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥67税込￥74
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 150 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 150mA最大自己共振周波数 = 700MHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 3.5Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 82 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥109税込￥120
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翌々日出荷
仕様インダクタンス = 82 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.6Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 5.1 nH， 600mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥119税込￥131
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仕様インダクタンス = 5.1 nH許容差 = ±0.3nH最大直流電流 = 600mA最大自己共振周波数 = 5GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 250mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 56 nH， 200mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥67税込￥74
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様インダクタンス = 56 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 200mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.3Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 47 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥149税込￥164
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仕様インダクタンス = 47 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 1.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1.2Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 39 nH， 250mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥88税込￥97
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仕様インダクタンス = 39 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 250mA最大自己共振周波数 = 1.6GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 1Ω寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 27 nH， 300mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥96税込￥106
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仕様インダクタンス = 27 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 300mA最大自己共振周波数 = 2GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 800mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 15 nH， 400mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥84税込￥92
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翌々日出荷
仕様インダクタンス = 15 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 400mA最小品質ファクター = 8パッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 550mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
TDK 積層表面実装インダクタ， 10 nH， 500mA， 1 x 0.5 x 0.5mmTDK￥119税込￥131
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仕様インダクタンス = 10 nH許容差 = ±5%最大直流電流 = 500mA最大自己共振周波数 = 3.4GHzパッケージ/ケース = 0402 (1005M)最大直流抵抗 = 350mΩ寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm奥行き = 0.5mm高さ = 0.5mm長さ = 1mm最大動作温度 = +125℃最小動作温度 = -55℃チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用RoHS指令(10物質対応)対応
