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トランジスタ(バイポーラ)
東芝
￥689税込￥758
1個
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バリエーション一覧へ(116)
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 58 A， 3 ピンパッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
￥869税込￥956
1袋(5個)
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET， 900 V， 9 A， 3 ピンパッケージTO-3PN TK シリーズ
東芝(1件のレビュー)
￥999税込￥1,099
1個
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET， 40 V， 15 A， 3 ピンパッケージDPAK
東芝
￥1,398税込￥1,538
1袋(10個)
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 48 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 Vパッケージタイプ = DPAK実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 29 W1チップ当たりのエレメント数 = 1
Toshiba Pチャンネル MOSFET
東芝(1件のレビュー)
￥1,898～税込￥2,088～
1袋(5個)ほか
当日出荷
実装タイプ表面実装チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型
バリエーション一覧へ(12)
Toshiba NチャンネルパワーMOSFET
東芝
￥669～税込￥736～
1個ほか
当日出荷から7日以内出荷
チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型
バリエーション一覧へ(100)
Toshiba Nチャンネル MOSFET
東芝(1件のレビュー)
￥539～税込￥593～
1個ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型
バリエーション一覧へ(30)
Toshiba NPN トランジスタ， 80 V， 12 A， 3-Pin TO-220SIS
東芝
￥2,498税込￥2,748
1袋(5個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応