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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
209 税込230
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号PNPトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
209 税込230
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
209 税込230
当日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +125 ℃RFバイポーラトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
209 税込230
当日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号PNPトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
209 税込230
当日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-236MOD実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 70トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1長さ = 2.9mm小信号PNPトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
859 税込945
翌々日出荷

仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = スルーホールエレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = PDIPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 10 V, 200 ns @ 5 V, 80 ns @ 15 V動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 4mA動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
419 税込461
当日出荷

仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = スルーホールエレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = ありパッケージタイプ = PDIPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000入力タイプ = シュミットトリガー動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 120 ns @ 10 V, 260 ns @ 5 V, 80 ns @ 15 V動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 4mA幅 = 6.4mmTC4000ファミリ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
399 税込439
当日出荷

仕様ロジック機能 = AND実装タイプ = スルーホールエレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = PDIPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 10 V, 200 ns @ 5 V, 80 ns @ 15 V動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 4mA動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
429 税込472
翌々日出荷

仕様ロジック機能 = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SOPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 10 V, 200 ns @ 5 V, 80 ns @ 15 V動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 4mA動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
339 税込373
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号NPNトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
359 税込395
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 25 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1トランジスタ素材 = Si小信号NPNトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
849 税込934
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃小信号NPNトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
399 税込439
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 350トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号NPNトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
359 税込395
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号PNPトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
179 税込197
翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-723ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.2V長さ = 1.2mm幅 = 1.2mm高さ = 0.5mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1A汎用整流ダイオード、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
459 税込505
6日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 25 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.5mm小信号NPNトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
519 税込571
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -35 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.25 V小信号PNPトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
1,998 税込2,198
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 400 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.75 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1 W標準ターンオフ遅延時間 = 38 ns RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
1,398 税込1,538
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 150 mW長さ = 1.6mmMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
289 税込318
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 70トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -600 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 V最大動作周波数 = 35 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 5.5mm高電圧トランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,198 税込1,318
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.52 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V, +10 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 46 pF @ 10 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
369 税込406
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 90 nsMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
299 税込329
翌々日出荷

仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 10 V, 200 ns @ 5 V, 80 ns @ 15 V動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 4mA幅 = 4.4mmTC4000ファミリ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
349 税込384
翌々日出荷

仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SOPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 10 V, 200 ns @ 5 V, 80 ns @ 15 V動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 4mA動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
359 税込395
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.52 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V, +10 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 150 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
379 税込417
翌々日出荷

仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = ありパッケージタイプ = SOPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000入力タイプ = シュミットトリガー動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 120 ns @ 10 V, 260 ns @ 5 V, 80 ns @ 15 V動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 4mA動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,398 税込1,538
翌々日出荷

仕様ロジック機能 = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SOPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 18 V dc高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 200ns動作供給電圧 Min = 3 V dc低レベル出力電流 Max = +4mA出力タイプ = バッファ, CMOSTC4000ファミリ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
749 税込824
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 80 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V最大動作周波数 = 7000 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2.9 x 1.5 x 1.1mmRFバイポーラトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
589 税込648
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仕様出力電圧 = 3 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = UFV出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 3.2 V入力電圧 Max = 15 Vピン数 = 5出力数 = 1静止電流 = 0.17mA動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 0.45Wイネーブル = ありLDO(低ドロップアウト)レギュレータ、AR5Sシリーズ、東芝. セラミックコンデンサに適合 シャットダウン機能実装 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
669 税込736
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仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = シュミットトリガー1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 120 ns @ 15 V, 160 ns @ 10 V, 340 ns @ 5 V高レベル出力電流 Max = -4mA低レベル出力電流 Max = 4mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000寸法 = 10.3 x 5.3 x 1.5mm動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,298 税込1,428
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V, +10 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW標準ターンオフ遅延時間 = 140 nsMOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1枚(10個)
269 税込296
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW標準ターンオフ遅延時間 = 180 nsMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
229 税込252
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V, +10 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
289 税込318
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 150 mWトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
529 税込582
6日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 7.8 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
219 税込241
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 70 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
649 税込714
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 92 pF @ 3 VMOSFET Pチャンネル、2SJシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
799 税込879
翌々日出荷

仕様出力電圧 = 3 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = SSOP出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 3.2 V入力電圧 Max = 15 Vピン数 = 5極性 = 正静止電流 = 0.17mA動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 0.38W幅 = 1.6mmポイントレギュレータ(低ドロップアウトレギュレータ)、シングル出力、バイポーラタイプ、東芝. 低ドロップアウト電圧 制御端子付き(オン / オフ制御) 入力安定性3 mV (通常)、15 mV (最大) 負荷安定性25 mV (通常)、75 mV (最大) RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
399 税込439
6日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 150 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 7.8 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
549 税込604
6日以内出荷

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