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東芝, スイッチングダイオード, シリーズ, 300mA, 3-Pin SOT-723 東芝東芝, スイッチングダイオード, シリーズ, 300mA, 3-Pin SOT-723東芝
459税込505
1袋(25個)
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仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-723ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.2V長さ = 1.2mm幅 = 1.2mm高さ = 0.5mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1A汎用整流ダイオード、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin USM 東芝Toshiba NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin USM東芝
209税込230
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin USM 東芝Toshiba PNP トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin USM東芝
209税込230
1袋(10個)
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59) 東芝Toshiba NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝(2件のレビュー)
209税込230
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +125 ℃RFバイポーラトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59) 東芝Toshiba NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝
209税込230
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59) 東芝Toshiba PNP トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝
209税込230
1袋(10個)
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin TO-236MOD 東芝Toshiba PNP トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin TO-236MOD東芝
859税込945
1袋(50個)
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-236MOD実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 70トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1長さ = 2.9mm小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 4000シリーズ ロジックゲート, 4mA, 3~18 V, 14-Pin PDIP 2-入力 東芝Toshiba 4000シリーズ ロジックゲート, 4mA, 3~18 V, 14-Pin PDIP 2-入力東芝
399税込439
1袋(5個)
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仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = スルーホールエレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = ありパッケージタイプ = PDIPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000入力タイプ = シュミットトリガー動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 120 ns @ 10 V, 260 ns @ 5 V, 80 ns @ 15 V動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 4mA幅 = 6.4mmTC4000ファミリ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 4000シリーズ, 4mA, 3~18 V, 14-Pin PDIP 2-入力 東芝Toshiba 4000シリーズ, 4mA, 3~18 V, 14-Pin PDIP 2-入力東芝
429税込472
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様ロジック機能 = AND実装タイプ = スルーホールエレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = PDIPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 10 V, 200 ns @ 5 V, 80 ns @ 15 V動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 4mA動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 4000シリーズ ロジックゲート, 4mA, 3~18 V, 14-Pin PDIP 2-入力 東芝Toshiba 4000シリーズ ロジックゲート, 4mA, 3~18 V, 14-Pin PDIP 2-入力東芝
419税込461
1袋(5個)
当日出荷
仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = スルーホールエレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = PDIPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 10 V, 200 ns @ 5 V, 80 ns @ 15 V動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 4mA動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 4000シリーズ, 4mA, 3~18 V, 14-Pin SOP 2-入力 東芝Toshiba 4000シリーズ, 4mA, 3~18 V, 14-Pin SOP 2-入力東芝
339税込373
1袋(5個)
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仕様ロジック機能 = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SOPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 10 V, 200 ns @ 5 V, 80 ns @ 15 V動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 4mA動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ, 120 V, 100mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59) 東芝Toshiba NPN トランジスタ, 120 V, 100mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝
359税込395
1袋(10個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ, 20 V, 300 mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59) 東芝Toshiba NPN トランジスタ, 20 V, 300 mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝
519税込571
1袋(25個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 25 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.5mm小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ, 120 V, 100mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59) 東芝Toshiba NPN トランジスタ, 120 V, 100mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝
359税込395
1袋(10個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 350トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59) 東芝Toshiba PNP トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝(1件のレビュー)
179税込197
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ, 20 V, 300 mA, 3-Pin SOT-323 (SC-70) 東芝Toshiba NPN トランジスタ, 20 V, 300 mA, 3-Pin SOT-323 (SC-70)東芝
849税込934
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 25 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1トランジスタ素材 = Si小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ, 30 V, 500mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59) 東芝Toshiba PNP トランジスタ, 30 V, 500mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝
1,998税込2,198
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -35 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.25 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル Nチャンネル MOSFET, 60 V, 400 mA, 3 ピン パッケージSOT-23 東芝Toshiba デュアル Nチャンネル MOSFET, 60 V, 400 mA, 3 ピン パッケージSOT-23東芝
1,398税込1,538
1袋(100個)
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 400 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.75 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1 W標準ターンオフ遅延時間 = 38 nsRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET, 20 V, 330 mA, 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ 東芝Toshiba Pチャンネル MOSFET, 20 V, 330 mA, 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ東芝
289税込318
1袋(10個)
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 150 mW長さ = 1.6mmMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP 高電圧 パワートランジスタ, 600 V, 500mA, 3-Pin DPAK (TO-252) 東芝Toshiba PNP 高電圧 パワートランジスタ, 600 V, 500mA, 3-Pin DPAK (TO-252)東芝
1,198税込1,318
1袋(5個)
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 70トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -600 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 V最大動作周波数 = 35 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 5.5mm高電圧トランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 20 V, 500 mA, 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 20 V, 500 mA, 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ東芝
369税込406
1袋(10個)
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.52 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V, +10 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 46 pF @ 10 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル MOSFET, 20 V, 330 mA, 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ 東芝Toshiba Pチャンネル MOSFET, 20 V, 330 mA, 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ東芝
299税込329
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 90 nsMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 4000シリーズ ロジックゲート, 4mA, 3~18 V, 14-Pin TSSOP 2-入力 東芝Toshiba 4000シリーズ ロジックゲート, 4mA, 3~18 V, 14-Pin TSSOP 2-入力東芝
349税込384
1袋(5個)
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仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 10 V, 200 ns @ 5 V, 80 ns @ 15 V動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 4mA幅 = 4.4mmTC4000ファミリ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 4000シリーズ ロジックゲート, 4mA, 3~18 V, 14-Pin SOP 2-入力 東芝Toshiba 4000シリーズ ロジックゲート, 4mA, 3~18 V, 14-Pin SOP 2-入力東芝(1件のレビュー)
359税込395
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SOPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 10 V, 200 ns @ 5 V, 80 ns @ 15 V動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 4mA動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 20 V, 500 mA, 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル MOSFET, 20 V, 500 mA, 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ東芝
379税込417
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.52 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V, +10 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 150 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 4000シリーズ ロジックゲート, 4mA, 3~18 V, 14-Pin SOP 2-入力 東芝Toshiba 4000シリーズ ロジックゲート, 4mA, 3~18 V, 14-Pin SOP 2-入力東芝
1,398税込1,538
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = ありパッケージタイプ = SOPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000入力タイプ = シュミットトリガー動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 120 ns @ 10 V, 260 ns @ 5 V, 80 ns @ 15 V動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 4mA動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 4000シリーズ ロジックゲート, +4mA, 3~18 V dc, 14-Pin SOP 2-入力 東芝Toshiba 4000シリーズ ロジックゲート, +4mA, 3~18 V dc, 14-Pin SOP 2-入力東芝
749税込824
1袋(5個)
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仕様ロジック機能 = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SOPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 18 V dc高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 200ns動作供給電圧 Min = 3 V dc低レベル出力電流 Max = +4mA出力タイプ = バッファ, CMOSTC4000ファミリ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN RFトランジスタ, 高周波, 12 V, 80 mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59) 東芝Toshiba NPN RFトランジスタ, 高周波, 12 V, 80 mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝
589税込648
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 80 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V最大動作周波数 = 7000 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2.9 x 1.5 x 1.1mmRFバイポーラトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba LDOレギュレータ 200mA, 3 V 固定出力, 3.2~15 V入力, 5-Pin UFV 東芝Toshiba LDOレギュレータ 200mA, 3 V 固定出力, 3.2~15 V入力, 5-Pin UFV東芝
669税込736
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様出力電圧 = 3 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = UFV出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 3.2 V入力電圧 Max = 15 Vピン数 = 5出力数 = 1静止電流 = 0.17mA動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 0.45Wイネーブル = ありLDO(低ドロップアウト)レギュレータ、AR5Sシリーズ、東芝. セラミックコンデンサに適合 シャットダウン機能実装RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba LDOレギュレータ 200mA, 3 V 固定出力, 3.2~15 V入力, 5-Pin SSOP 東芝Toshiba LDOレギュレータ 200mA, 3 V 固定出力, 3.2~15 V入力, 5-Pin SSOP東芝
399税込439
1袋(10個)
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仕様出力電圧 = 3 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = SSOP出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 3.2 V入力電圧 Max = 15 Vピン数 = 5極性 = 正静止電流 = 0.17mA動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 0.38W幅 = 1.6mmポイントレギュレータ(低ドロップアウトレギュレータ)、シングル出力、バイポーラタイプ、東芝. 低ドロップアウト電圧 制御端子付き(オン / オフ制御) 入力安定性3 mV (通常)、15 mV (最大) 負荷安定性25 mV (通常)、75 mV (最大)RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba 4000シリーズ ヘキサ CMOS インバータ(NOTゲート), 4mA, 3~18 V, 14-Pin SOP 東芝Toshiba 4000シリーズ ヘキサ CMOS インバータ(NOTゲート), 4mA, 3~18 V, 14-Pin SOP東芝
1,298税込1,428
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仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = シュミットトリガー1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 120 ns @ 15 V, 160 ns @ 10 V, 340 ns @ 5 V高レベル出力電流 Max = -4mA低レベル出力電流 Max = 4mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000寸法 = 10.3 x 5.3 x 1.5mm動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 20 V, 50 mA, 3 ピン パッケージUSM 2SK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 20 V, 50 mA, 3 ピン パッケージUSM 2SK シリーズ東芝
269税込296
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V, +10 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW標準ターンオフ遅延時間 = 140 nsMOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 100 mA, 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 100 mA, 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ東芝
229税込252
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW標準ターンオフ遅延時間 = 180 nsMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 20 V, 100 mA, 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 20 V, 100 mA, 3 ピン パッケージSSM SSM3 シリーズ東芝
289税込318
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V, +10 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 100 mA, 3 ピン パッケージSOT-323 (SC-70) 東芝Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 100 mA, 3 ピン パッケージSOT-323 (SC-70)東芝
549税込604
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 150 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 7.8 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 100 mA, 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) SSM3 シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 100 mA, 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) SSM3 シリーズ東芝
219税込241
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 7.8 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Pチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 200 mA, 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) 2SJ シリーズ 東芝Toshiba Pチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 200 mA, 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) 2SJ シリーズ東芝
799税込879
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 92 pF @ 3 VMOSFET Pチャンネル、2SJシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 200 mA, 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) 2SK シリーズ 東芝Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 200 mA, 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) 2SK シリーズ東芝
649税込714
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 70 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
東芝, 整流ダイオード, 100mA, 85V, 3-Pin SOT-346 (SC-59) 東芝東芝, 整流ダイオード, 100mA, 85V, 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝
419税込461
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 85V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.2V長さ = 2.9mm幅 = 1.5mm高さ = 1.1mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A汎用整流ダイオード、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
東芝, 整流ダイオード, 300mA, 250V, 3-Pin SOT-323 (SC-70) 東芝東芝, 整流ダイオード, 300mA, 250V, 3-Pin SOT-323 (SC-70)東芝
439税込483
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仕様最大連続 順方向電流 = 300mA整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 250V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.2V長さ = 2mm幅 = 1.25mm高さ = 0.9mmピーク逆回復時間 = 60ns動作温度 Min = -55 ℃汎用整流ダイオード、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
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