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仕様ダイオード構成 = コモンカソード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 12V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3長さ = 2.9mm幅 = 1.5mm高さ = 1.1mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1A小信号ショットキーバリアダイオード、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
219 税込241
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V, +10 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW標準ターンオフ遅延時間 = 140 nsMOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1枚(10個)
269 税込296
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号PNPトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
199 税込219
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
199 税込219
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +125 ℃RFバイポーラトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
199 税込219
当日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-236MOD実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 70トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1長さ = 2.9mm小信号PNPトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
859 税込945
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
199 税込219
当日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号PNPトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
169 税込186
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = US実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 (NPN) V、-5 (PNP) V最大動作周波数 = 120 (PNP) MHz、150 (NPN) MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
299 税込329
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃小信号NPNトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
389 税込428
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号PNPトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
199 税込219
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V標準抵抗比 = 0.21、1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
119 税込131
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 47 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1幅 = 0.8mm抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
119 税込131
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 2.2 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.047幅 = 0.8mm抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
119 税込131
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -7 V, +7 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 150 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 7 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
699 税込769
6日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
119 税込131
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 22 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V標準抵抗比 = 0.47動作温度 Max = +150 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
179 税込197
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 2.2 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.047動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
119 税込131
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
119 税込131
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ
1袋(5個)
119 税込131
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 2最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩベースエミッタ抵抗器 = 4.7kΩパッケージタイプ = USピン数 = 6最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1幅 = 1.25mm抵抗組み込みトランジスタ、BRTシリーズ、2イン1 US6、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
849 税込934
6日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 2最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩベースエミッタ抵抗器 = 4.7kΩパッケージタイプ = SSOPピン数 = 5最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = コモンエミッタ最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Max = +150 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、2-in-1 SMV、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
899 税込989
6日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 50最大パワー消費 = 200 mW最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1構成 = シングル高さ = 1.1mmRNシリーズシングルデジタルトランジスタ. 東芝のシングルデジタルトランジスタです。バイアス抵抗器を内蔵し、デジタルソースから直接駆動できます。NPNタイプとPNPタイプの両タイプが用意されています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(200個)
1,998 税込2,198
翌々日出荷

仕様ロジック機能 = OR実装タイプ = スルーホールエレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = PDIPピン数 = 14ロジックファミリー = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13 ns @ 6 V, 15 ns @ 4.5 V, 75 ns @ 2 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA伝播遅延テスト条件 = 50pFTC74HCシリーズ、東芝. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
219 税込241
当日出荷

仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 16パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 2.5 kVrms最大電流変換率 = 400%標準降下時間 = 3μsシリーズ = TLP 291-4フォトカプラ、トランジスタ出力、TLP291 / TLP293シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP291 / TLP293シリーズシングルフォトカプラです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,498 税込1,648
翌々日出荷

仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトIC最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = DIP標準上昇時間 = 50ns最大入力電流 = 3 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms論理出力 = Y標準降下時間 = 50nsシリーズ = TLP 250HFフォトカプラ、バッファロジック出力(トーテムポール)、東芝. ロジック駆動のプッシュプル出力(「トーテムポール」)を備えた東芝フォトカプラ製品です。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,498 税込1,648
翌々日出荷

仕様ロジック機能 = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SOPピン数 = 14ロジックファミリー = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13 ns @ 6 V, 15 ns @ 4.5 V, 75 ns @ 2 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA伝播遅延テスト条件 = 50pFTC74HCシリーズ、東芝. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
249 税込274
翌々日出荷

仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 4μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3.75 kVrms最大電流変換率 = 400%標準降下時間 = 7μsフォトカプラ、トランジスタ出力、TLP291 / TLP293シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP291 / TLP293シリーズシングルフォトカプラです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
789 税込868
翌々日出荷

電話機とモジュラーの間に付属のモジュラーを接続するだけの簡単取付で設置できる防犯対策。 電話着信後、呼び出し音が鳴る前に「この電話の通話内容は防犯のため会話内容を自動録音いたします。 あらかじめご了承ください。」とメッセージが流れます。 電話をとる前にオレオレ詐欺、振り込め詐欺等の特殊詐欺犯への警告ができます。 最大約60分、最大30件の録音が可能。 録音がいっぱいになると古い録音から順に上書きされます。 音声出力端子付きで録音内容を音声データとして外部に取り出すことができます。 自動応答、録音だから電話中に録音ボタンを押す煩わしさもなく、操作ボタンもシンプルで機械が苦手な方にも安心してご利用いただけます。 電話による特殊詐欺抑制にもなる自動応答録音装置。
付属品ACアダプター(1.8m)、モジュラーコード(1m)、保証書付取扱説明書、簡単取付ガイド ホワイト 外寸法(幅W×奥行D×高さH)(mm)115×70×30 質量(g)約105 電源(V)ACアダプター:100~240(50/60Hz)/0.2A、DC9/500mA 待機電力(W)1.2 最大消費電力(W)4.5 適合アナログ2線式(アナログ回線、PBX回線、INS回線、IP回線) 録音方式自動、上書き録音 保存方法内部メモリー 録音時間(分)60 入力端子音声出力端子:Φ3.5mmミニジャック、電話回線端子・電話機端子:モジュラー(4p)、電源入力端子:DC9V 仕様【ファイル作成】1通話毎1件/長時間通話の場合最大約30分/最大約30件、【消去方式】個別
1台
10,980 税込12,078
当日出荷

仕様ロジックファミリー = 4000ロジック機能 = バッファ, コンバータ1チップ当たりのチャンネル数 = 6入力タイプ = シングルエンド極性 = 反転実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIPピン数 = 16高レベル出力電流 Max = -4.8mA低レベル出力電流 Max = 28mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 120 ns @ 5 V, 50 ns @ 15 V, 65 ns @ 10 V寸法 = 19.25 x 6.4 x 3.5mm高さ = 3.5mm動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
889 税込978
翌々日出荷

仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SO4入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 4μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 400%標準降下時間 = 7μsシリーズ = TLP 291フォトカプラ、トランジスタ出力、TLP291 / TLP293シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP291 / TLP293シリーズシングルフォトカプラです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
1,598 税込1,758
翌々日出荷

仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SO4入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 4μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 400%標準降下時間 = 7μsシリーズ = TLP 291フォトカプラ、トランジスタ出力、TLP291 / TLP293シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP291 / TLP293シリーズシングルフォトカプラです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
1,698 税込1,868
翌々日出荷

仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 3μsフォトカプラ、トランジスタ出力、TLP291 / TLP293シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP291 / TLP293シリーズシングルフォトカプラです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
1,598 税込1,758
翌々日出荷

仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SO6入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 50 mA (順電流)絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 600%最小電流伝送率 = 100%シリーズ = TLP183フォトカプラ、トランジスタ出力、TLP183 / TLP185シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP183 / TLP185シリーズシングルフォトカプラです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
969 税込1,066
翌々日出荷

仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SO4入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 50 mA (順電流)絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 600%最小電流伝送率 = 100%シリーズ = TLP291フォトカプラ、トランジスタ出力、TLP291 / TLP293シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP291 / TLP293シリーズシングルフォトカプラです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
1,998 税込2,198
翌々日出荷

仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = ありパッケージタイプ = SOPピン数 = 14ロジックファミリー = HC入力タイプ = シュミットトリガー動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 110 ns @ 2 V, 19 ns @ 6 V, 22 ns @ 4.5 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA伝播遅延テスト条件 = 50pFTC74HCシリーズ、東芝. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
629 税込692
翌々日出荷

仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = CMOS出力タイプ = 反転1チップ当たりのエレメント数 = 6最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 110 ns @ 50 pF高レベル出力電流 Max = -9mA低レベル出力電流 Max = 12mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOPピン数 = 14ロジックファミリー = CMOS寸法 = 10.8 x 5.3 x 1.5mm高さ = 1.5mm動作供給電圧 Min = 3 VTC4000ファミリ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
1,898 税込2,088
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仕様ロジックファミリー = 4000ロジック機能 = バッファ, コンバータ1チップ当たりのチャンネル数 = 6入力タイプ = シングルエンド極性 = 反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOPピン数 = 16高レベル出力電流 Max = -4.8mA低レベル出力電流 Max = 28mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 120 ns @ 5 V, 50 ns @ 15 V, 65 ns @ 10 V動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
659 税込725
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寸法6.9 x 4.4 x 1mm 入力TTL ピン数(ピン)20 極性反転 回路数8 使用条件【伝播遅延テスト】50pF 論理74AC RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージTSSOP 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)【最小】4.5 低レベル出力電流(mA)【最大】-50 高レベル出力電流(mA)【最大】50 最大伝播遅延時間@最大CL9.5ns ロジック機能バッファ 出力タイプ3ステート
1個
579 税込637
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東芝 フォトカプラ トライアック出力。東芝のフォトカプラ製品です。低電流、低電力ACスイッチング用途に適したトライアック出力を備えています。
仕様●実装タイプ:スルーホール実装●出力デバイス:フォトトライアック●チャンネル数:1●ピン数:5●パッケージタイプ:PDIP●最大入力電流:50 mA●絶縁電圧:2.5 kVrms アズワン品番65-7263-43
1個
299 税込329
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